本发明是有关于一种单向循环装置,特别是有关于一种回路式热管单向循环装置。
背景技术:
1、随着处理器运算能力的日益增强,处理器等电子元件工作时的温度控制越来越重要。而当手机、平板以及笔记型电脑等电子装置内的工作晶片(即发热源)的运算速度不断提升,亦升高了系统内的环境温度,进而降低系统稳定度。
2、为了解决所述问题,业界利用热管(heat pipe)以及均温板(vapor chamber)进行工作晶片的散热,使得工作晶片的热能能够快速地排出系统之外,以控制手机、平板以及笔记型电脑等电子装置的系统内的温度,进而维持系统的稳定性。
3、一般而言,均温板以及热管,可以连接至需要散热的热源,并连接至散热鳍片或其他散热装置,借以将热量利用均温板或热管传送至散热鳍片或其他散热装置,以将热量带出手机、平板以及笔记型电脑等电子装置,进而提升电子元件的工作可靠度。
4、此外,回路式热管具有高传热量、远距热输送、低热阻等功能,因此广泛地应用于航太科技、能源与电子冷却等领域。然而,面对日益增进的科技进步,现存的回路式热管仍存在改善空间。因此,如何使得回路式热管的效能得以提升,是目前相关业者所面临的挑战。
技术实现思路
1、本发明的一目的在于提供一种回路式热管单向循环装置,用以提升回路式热管的散热效率。
2、根据本发明的一实施例提供一种回路式热管单向循环装置。回路式热管单向循环装置包含有一下盖板以及一上壳体密合于下盖板。其中,上壳体包含有一流体入口、一流体出口、一接合面、一吸热区以及一气体排放腔。接合面密合于下盖板,吸热区形成于流体入口以及流体出口之间。其中,吸热区包含有一吸热区内表面高度,而气体排放腔则具有一气体排放腔高度,气体排放腔高度大于吸热区内表面高度。
3、在一些实施例中,上壳体更包含有一流体导引块,流体导引块具有一尖端,朝向流体出口的方向设置。
4、在一些实施例中,上壳体更包含有一入口流道,具有一入口流道上表面高度,且吸热区内表面高度大于入口流道上表面高度。
5、在一些实施例中,上壳体更包含有一气体容置腔,具有一气体容置腔高度,且气体容置腔高度大于吸热区内表面高度。
6、在一些实施例中,入口流道至少部分位于吸热区与气体容置腔之间。
7、在一些实施例中,入口流道、吸热区、气体容置腔以及气体排放腔围绕流体导引块。
8、在一些实施例中,流体导引块贴合于下盖板。
9、在一些实施例中,入口流道以及气体容置腔之间,具有一气体容置腔启用区间,以决定散热气体是否由吸热区流动至气体容置腔。
10、在一些实施例中,吸热区更包含多个导热凸块,由吸热区向下延伸。
11、在一些实施例中,上壳体更包含有一流体入口腔位于流体入口,流体入口腔具有一流体入口腔高度,且流体入口腔高度高于入口流道上表面高度。
12、在一些实施例中,上壳体更包含有一流体隔离凸块,位于流体入口腔与气体容置腔之间。
13、在一些实施例中,流体出口约与气体排放腔的气体排放腔上表面齐平。
14、在一些实施例中,气体容置腔高度等于气体排放腔高度。
15、因此,根据本发明的回路式热管单向循环装置的各实施例所述架构,回路式热管单向循环装置可以利用气体容置腔以及流体导引块,增加气体排出的压力,并避免气体回流,提升散热效率,更能利用气体容置腔启用区间,以根据需求开启或关闭气体容置腔,进而提升回路式热管单向循环装置的工作效率,并增加回路式热管的散热效率。
16、以上所述仅是用以阐述本发明所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等,本发明的具体细节将在下文的实施方式及相关图式中详细介绍。
1.一种回路式热管单向循环装置,其特征在于,包含:
2.如权利要求1所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述上壳体更包含一流体导引块,所述流体导引块具有一尖端,朝向所述流体出口的方向设置。
3.如权利要求2所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述上壳体更包含一入口流道,具有一入口流道上表面高度,且所述吸热区内表面高度大于所述入口流道上表面高度。
4.如权利要求3所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述上壳体更包含一气体容置腔,具有一气体容置腔高度,且所述气体容置腔高度大于所述吸热区内表面高度。
5.如权利要求4所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述入口流道至少部分位于所述吸热区与所述气体容置腔之间。
6.如权利要求5所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述入口流道、所述吸热区、所述气体容置腔以及所述气体排放腔围绕所述流体导引块。
7.如权利要求6所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述流体导引块贴合于所述下盖板。
8.如权利要求6所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述入口流道以及所述气体容置腔之间,具有一气体容置腔启用区间,以决定散热气体是否由所述吸热区流动至所述气体容置腔。
9.如权利要求7所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述吸热区更包含多个导热凸块,由所述吸热区向下延伸。
10.如权利要求4所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述上壳体更包含一流体入口腔,位于所述流体入口,所述流体入口腔具有一流体入口腔高度,且所述流体入口腔高度高于所述入口流道上表面高度。
11.如权利要求10所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述上壳体更包含一流体隔离凸块,位于所述流体入口腔与所述气体容置腔之间。
12.如权利要求1所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述流体出口约与所述气体排放腔的气体排放腔上表面齐平。
13.如权利要求4所述的回路式热管单向循环装置,其特征在于,所述气体容置腔高度等于所述气体排放腔高度。