本公开的各种实施例总体上涉及存储器设备和制造该存储器设备的方法，并且更特别地，涉及将选择线彼此分离的存储器设备和制造该存储器设备的方法。
背景技术：
1、存储器设备可以包括非易失性存储器设备，即使切断所供应的功率也维持在非易失性存储器设备中所存储的数据。非易失性存储器设备可以根据在其中布置存储器单元的结构而分类为二维(2d)结构或三维(3d)结构。具有2d结构的非易失性存储器设备的存储器单元可以以单层布置在衬底上，而具有3d结构的非易失性存储器设备的存储器单元可以垂直堆叠在衬底上。因为具有3d结构的非易失性存储器设备的集成程度高于具有2d结构的非易失性存储器设备的集成程度，所以使用具有3d结构的非易失性存储器设备的电子设备正在增加。
技术实现思路
1、依照本公开的一个实施例的是一种存储器设备。该存储器设备可以包括：第一选择线，包括第一单元区域；第二选择线，包括第二单元区域，第二单元区域设置在距第一单元区域的第一方向上；第一分离图案，在与第一方向相交的第二方向上在第一单元区域与第二单元区域之间延伸；第二分离图案，分别从第一分离图案的两个端部在第一方向和与第一方向相反的第三方向上延伸；以及第三分离图案，从第二分离图案中的至少一个第二分离图案在第二方向上延伸，并且相对于该至少一个第二分离图案被设置在与第一分离图案相反的方向上。
2、依照本公开的另一实施例的是一种制造存储器设备的方法。该方法可以包括形成包括单元阵列区域和接触区域的堆叠体，其中单元阵列区域包括在第一方向上彼此间隔开的第一单元区域和第二单元区域，并且接触区域包括在单元阵列区域的两侧上形成的阶梯结构。该方法还可以包括形成第一沟槽，第一沟槽穿过堆叠体的部分，并且在与第一方向相交的第二方向上在第一单元区域与第二单元区域之间延伸。此外，该方法还可以包括形成第二沟槽，第二沟槽穿过堆叠体的部分，并且分别从第一沟槽的两个端部在第一方向和与第一方向相反的第三方向上延伸。该方法可以附加地包括形成第三沟槽，第三沟槽穿过堆叠体的部分并且从第二沟槽中的至少一个第二沟槽在第二方向上延伸，并且第三沟槽相对于该至少一个第二沟槽被设置在与第一沟槽相反的方向上。该方法还可以包括在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中形成绝缘材料。
技术特征：1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一选择线包括：
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述第一单元区域在所述第一方向上的宽度小于所述第一接触区域在所述第一方向上的宽度。
4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述第一接触区域在所述第一方向上的宽度大于通过将所述第一单元区域在所述第一方向上的宽度与所述第二单元区域在所述第一方向上的宽度相加而获得的值。
5.根据权利要求2所述的存储器设备，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述第一选择线接触部在所述第一方向上与所述第三分离图案相邻。
7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述第一选择线接触部在所述第二方向上与所述第一分离图案相邻。
8.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述第二选择线进一步包括：
9.根据权利要求2所述的存储器设备，进一步包括：
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中至少一个所述第三分离图案将所述第一接触区域与所述第三接触区域分离。
11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述第三分离图案将所述第一选择线与所述第三选择线分离。
12.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述第二选择线和所述第三选择线通过所述第一分离图案或通过所述第一分离图案和所述第二分离图案彼此分离。
13.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一选择线和所述第二选择线通过所述第一分离图案和所述第二分离图案彼此分离。
14.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第三分离图案从所述至少一个第二分离图案的两个端部中的任何一个端部延伸。
15.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第三分离图案的两个端部中的任何一个端部接触对应的第二分离图案的两个端部之间的部分。
16.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一分离图案、所述第二分离图案和所述第三分离图案中的每一者包括绝缘材料。
17.一种制造存储器设备的方法，包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中：
19.根据权利要求18所述的方法，其中：
20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括在所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽中形成所述绝缘材料之后：
21.根据权利要求18所述的方法，其中：
技术总结提供了存储器设备和制造该存储器设备的方法。该存储器设备包括：第一选择线，包括第一单元区域；第二选择线，包括第二单元区域，第二单元区域设置在距第一单元区域的第一方向上；第一分离图案，在与第一方向相交的第二方向上在第一单元区域与第二单元区域之间延伸；第二分离图案，分别从第一分离图案的两个端部在第一方向和与第一方向相反的第三方向上延伸；以及第三分离图案，从第二分离图案中的至少一个第二分离图案在第二方向上延伸，并且相对于该至少一个第二分离图案被设置在与第一分离图案相反的方向上。
技术研发人员：崔元根,金定焕,张晶植
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：技术公布日：2024/12/19