无源高通滤波器的制作方法

本申请属于无源高通滤波器，更具体地说，是涉及一种无源高通滤波器。

背景技术：

1、随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展，电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展，新型电子元器件将向小型化、集成化、高频化等方向发展。并且，电子元器件由原来只为适应整机小型化和被动改进，变成主动满足数字技术、微电子技术发展所提出的特性要求，并呈现产业化发展趋势。

2、高通滤波器的作用是通高频信号阻隔低频信号，广泛用于通讯、雷达、电子对抗等信息领域，是必不可少的重要元件之一。作为重要的无源电子元器件之一的高通滤波器，小型化、集成化、高频化同样是其必然的发展趋势。传统的高通滤波器一般采用平面结构，把电容、电感等电抗元件按照一定的顺序排列起来，形成滤波器，这样不仅占用面积比较大，而且滤波器的插入损耗较大，性能不是十分理想，不能满足射频电路对器件小型化、高性能的要求。

3、因此，如何实现具有滤波特性好的微型高通滤波器，已成为业界急需解决的问题之一。近几十年，众多学者纷纷展开高通滤波器的小型化研究，得益于低温共烧陶瓷(ltcc)技术发展，高通滤波器小型化取得较好发展。而ltcc技术是实现无源器件小型化的一个有效途径，ltcc高通滤波具有体积小、重量轻、可靠性高和批量生产一致性好的优点。

4、但是，目前的微型ltcc高通滤波器的阻带抑制不够陡峭，在1800mhz时，带外抑制优于24db，在1500mhz时，带外抑制优于50db。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的在于提供一种无源高通滤波器，旨在解决现有技术中的微型ltcc高通滤波器的阻带抑制不够陡峭的技术问题。

2、为实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种无源高通滤波器，无源高通滤波器包括：信号输入模块，频率调整部，信号衰减部，其中信号输入模块用于接入射频信号；频率调整部包括五个串联的电容滤波模块，五个串联的电容滤波模块与信号输入模块电连接，用于对射频信号的频率进行调整；信号衰减部包括四个谐振衰减模块，五个串联的电容滤波模块中的相邻的两个电容滤波模块之间形成有公共节点，谐振衰减模块的第一端与公共节点电连接，谐振衰减模块的第二端接地，用于衰减射频信号中预设通带频率的杂波信号；信号输出模块，信号输出模块与五个串联的电容滤波模块电连接，用于对处理后的射频信号进行输出。

3、可选地，五个串联的电容滤波模块分别为第一电容、第二电容、第三电容、第四电容及第五电容，第一电容的第一端与信号输入模块电连接，第一电容的第二端与第二电容的第一端电连接，第二电容的第二端与第三电容的第一端电连接，第三电容的第二端与第四电容的第一端电连接，第四电容的第二端与第五电容的第一端电连接，第五电容的第二端与信号输出模块电连接。

4、可选地，第一电容与第二电容之间形成有第一公共节点，第二电容与第三电容之间形成有第二公共节点，第三电容与第四电容之间形成有第三公共节点，第四电容与第五电容之间形成有第四公共节点，四个谐振衰减模块分别为第一谐振衰减模块、第二谐振衰减模块、第三谐振衰减模块及第四谐振衰减模块，第一谐振衰减模块的第一端与第一公共节点电连接，第二谐振衰减模块的第一端与第二公共节点电连接，第三谐振衰减模块的第一端与第三公共节点电连接，第四谐振衰减模块的第一端与第四公共节点电连接，第一谐振衰减模块、第二谐振衰减模块、第三谐振衰减模块及第四谐振衰减模块的第二端均接地。

5、可选地，第一谐振衰减模块包括第六电容及第一电感，第六电容与第一电感串联谐振，第二谐振衰减模块包括第七电容及第二电感，第七电容与第二电感串联谐振；第三谐振衰减模块包括第八电容及第三电感，第八电容与第三电感串联谐振；第四谐振衰减模块包括第九电容及第四电感，第九电容与第四电感串联谐振。

6、可选地，无源高通滤波器还包括基体，频率调整部及信号衰减部均设置在基体内，第一电容、第三电容及第五电容共面设置，以形成第一元器件层，第二电容及第四电容共面设置，以形成第二元器件层，第一电感、第二电感、第三电感及第四电感共面设置，以形成第三元器件层，第六电容、第七电容、第八电容及第九电容共面设置，以形成第四元器件层，第一元器件层、第二元器件层、第三元器件层及第四元器件层沿基体的厚度方向依次设置。

7、可选地，第一电容与第五电容沿基体的中心镜像对称，第二电容与第四电容沿基体的中心镜像对称，第一电感与第四电感沿基体的中心镜像对称，第二电感与第三电感沿基体的中心镜像对称。

8、可选地，第一电感、第二电感、第三电感及第四电感均为沿基体厚度方向延伸的矩形螺旋线圈。

9、可选地，第一电容、第二电容、第三电容、第四电容及第五电容均为vic电容；第六电容、第七电容、第八电容及第九电容均为平面min电容。

10、可选地，矩形螺旋线圈包括多个矩形电感层，多个矩形电感层沿基体的厚度方向间隔设置，相邻的两个矩形电感层之间通过导电柱电连接，相邻的两个矩形电感层之间的间距为0.09mm。

11、可选地，基体为低损耗低温共烧陶瓷介质，相对介电常数为5.0±0.3，介质损耗tanα≤0.003。

12、本申请提供的无源高通滤波器的有益效果在于：与现有技术相比，本申请所提供的无源高通滤波器通过将四个谐振衰减模块的第一端，分别与五个串联的电容滤波模块中相邻的两个电容滤波模块之间形成的公共节点电连接，并将谐振衰减模块的第二端接地，使本申请所提供的无源高通滤波器能够通过谐振衰减模块对射频信号中预设通带频率的杂波信号进行衰减，通过五个串联的电容滤波模块对射频信号的频率进行调整，与此同时，由于本申请所提供的无源高通滤波器使用谐振衰减模块对射频信号中的预设通带频率的杂波信号进行衰减，因此会在无源高通滤波器的左边阻带上产生至少两个零点，以实现陡峭的阻带抑制。

技术特征：

1.一种无源高通滤波器，其特征在于，所述无源高通滤波器包括：

2.根据权利要求1所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述五个串联的电容滤波模块分别为第一电容、第二电容、第三电容、第四电容及第五电容，所述第一电容的第一端与所述信号输入模块电连接，所述第一电容的第二端与所述第二电容的第一端电连接，所述第二电容的第二端与所述第三电容的第一端电连接，所述第三电容的第二端与所述第四电容的第一端电连接，所述第四电容的第二端与所述第五电容的第一端电连接，所述第五电容的第二端与所述信号输出模块电连接。

3.根据权利要求2所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述第一电容与所述第二电容之间形成有第一公共节点，所述第二电容与所述第三电容之间形成有第二公共节点，所述第三电容与所述第四电容之间形成有第三公共节点，所述第四电容与所述第五电容之间形成有第四公共节点；

4.根据权利要求3所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述第一谐振衰减模块包括第六电容及第一电感，所述第六电容与所述第一电感串联谐振，所述第二谐振衰减模块包括第七电容及第二电感，所述第七电容与所述第二电感串联谐振；所述第三谐振衰减模块包括第八电容及第三电感，所述第八电容与所述第三电感串联谐振；所述第四谐振衰减模块包括第九电容及第四电感，所述第九电容与所述第四电感串联谐振。

5.根据权利要求4所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述无源高通滤波器还包括基体，所述频率调整部及所述信号衰减部均设置在所述基体内，所述第一电容、所述第三电容及所述第五电容共面设置，以形成第一元器件层，所述第二电容及所述第四电容共面设置，以形成第二元器件层，所述第一电感、所述第二电感、所述第三电感及第四电感共面设置，以形成第三元器件层，所述第六电容、所述第七电容、所述第八电容及所述第九电容共面设置，以形成第四元器件层，所述第一元器件层、所述第二元器件层、所述第三元器件层及所述第四元器件层沿所述基体的厚度方向依次设置。

6.根据权利要求5所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述第一电容与所述第五电容沿所述基体的中心镜像对称，所述第二电容与所述第四电容沿所述基体的中心镜像对称，所述第一电感与所述第四电感沿所述基体的中心镜像对称，所述第二电感与所述第三电感沿所述基体的中心镜像对称。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述第一电感、所述第二电感、所述第三电感及所述第四电感均为沿所述基体厚度方向延伸的矩形螺旋线圈。

8.根据权利要求4至6中任意一项所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容及所述第五电容均为vic电容；

9.根据权利要求7所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述矩形螺旋线圈包括多个矩形电感层，多个所述矩形电感层沿基体的厚度方向间隔设置，相邻的两个所述矩形电感层之间通过导电柱电连接，相邻的两个所述矩形电感层之间的间距为0.09mm。

10.根据权利要求5所述的无源高通滤波器，其特征在于，所述基体为低损耗低温共烧陶瓷介质，相对介电常数为5.0±0.3，介质损耗tanα≤0.003。

技术总结
本申请适用于无源高通滤波器技术领域，提供了一种无源高通滤波器，本申请所提供的无源高通滤波器通过将四个谐振衰减模块的第一端，分别与五个串联的电容滤波模块中相邻的两个电容滤波模块之间形成的公共节点电连接，并将谐振衰减模块的第二端接地，使本申请所提供的无源高通滤波器能够通过谐振衰减模块对射频信号中预设通带频率的杂波信号进行衰减，通过五个串联的电容滤波模块对射频信号的频率进行调整，与此同时，由于本申请所提供的无源高通滤波器使用谐振衰减模块对射频信号中的预设通带频率的杂波信号进行衰减，因此会在无源高通滤波器的左边阻带上产生至少两个零点，以实现陡峭的阻带抑制。

技术研发人员：刘季超,王志华,林亚梅,肖倩,沈诗垚,蒙腾奥,杨俊雅
受保护的技术使用者：深圳振华富电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8