壳体及其制作方法以及电子设备与流程

文档序号:37619483发布日期:2024-04-18 17:33阅读:13来源:国知局
壳体及其制作方法以及电子设备与流程

本申请涉及镀膜,尤其涉及一种壳体及其制作方法和一种应用所述壳体的电子设备。


背景技术:

1、金属与塑胶的复合材料作为基材应用广泛,由于金属容易被氧化腐蚀致使功能失效,通常会在其表面形成功能性膜层改善其抗腐蚀性能、机械性能或者硬度等功能,亦或单纯地作为装饰膜层。然而,在进行物理气相沉积形成功能性膜层时,由于塑胶材料的导电性差,容易在金属与塑胶的界面处积累电荷发生电弧打火现象。电弧打火会在塑胶基材表面发生微小的爆炸,将塑胶基材以颗粒的形式炸出,使其表面形成微小的弹坑,从而影响后续形成功能性膜层的均匀性与连续性。


技术实现思路

1、有鉴于此,为了解决上述技术问题,本申请提出一种壳体以及一种壳体的制作方法。

2、本申请的第一方面提供一种壳体,包括基材层、惰性绝缘层和功能性镀层。所述基材层包括相互连接的金属基材和绝缘基材,所述惰性绝缘层形成于所述基材层表面至少覆盖部分所述绝缘基材,所述功能性镀层沉积形成于所述惰性绝缘层背离所述基材层的表面。

3、先在基材层上设置惰性绝缘层,通过惰性绝缘层减小基材层表面各区域导电性的差异,从而有利于避免电子积累改善电弧打火情况,进而有利于后续形成功能性镀层时改善功能性镀层的连续性以及均匀性,同时有利于避免直接在基材层表面沉积形成功能性镀层时因打火原因而导致功能性镀层均匀性和连续性的问题。

4、基于上述第一方面,在一些可能的实施方式中,所述惰性绝缘层的材料为氮化铝,所述惰性绝缘层的厚度为400纳米至600纳米。

5、基于上述第一方面,在一些可能的实施方式中,所述金属基材具有第一外表面,自所述第一外表面向所述金属基材内部开设有收容凹陷,所述绝缘基材形成于所述收容凹陷内,所述绝缘基材具有第二外表面,所述第一外表面和所述第二外表面构成所述基材层的所述表面。

6、基于上述第一方面,在一些可能的实施方式中,所述绝缘基材的材质为塑胶。

7、基于上述第一方面,在一些可能的实施方式中,所述功能性镀层包括颜色镀层,所述颜色镀层包括铬镀层和氮硅铬镀层。

8、本申请的第二方面提供一种电子设备,包括如上所述的壳体。

9、本申请的第三方面提供一种壳体的制作方法,包括:提供基材层,所述基材层包括相互连接的金属基材和绝缘基材;所述绝缘基材的表面通过气相沉积形成惰性绝缘层;及在所述惰性绝缘层背离所述基材层的表面气相沉积形成功能性镀层。

10、通过惰性绝缘层减小基材层表面各区域导电性的差异,从而有利于避免电子积累改善电弧打火情况,进而有利于后续形成功能性镀层时改善功能性镀层的连续性以及均匀性,同时有利于避免直接在基材层表面沉积形成功能性镀层时因打火原因而导致功能性镀层脱膜的情况。

11、基于上述第三方面,在一些可能的实施方式中,形成所述惰性绝缘层具体包括:将所述基材层置于样品架上,采用al作为阴极靶材,抽真空后通入氩气,开启偏压电源对所述基材层进行离子轰击清洗,而后通入氮气和氩气调节工作压强,并施加偏负压并调节占空比后,开启al靶材电源进行沉积形成至少覆盖部分所述绝缘基材的氮化铝膜作为惰性绝缘层。

12、通过上述方法沉积形成的氮化铝膜,有利于提升氮化铝膜的耐磨性、硬度以及提升氮化铝膜与基材之间的结合力。

13、基于上述第三方面,在一些可能的实施方式中,抽真空后通入氩气并开启偏压电源对所述基材层进行离子轰击清洗具体包括:在90℃至125℃下抽真空至真空度为6.0×10-3pa;在真空度为6.0×10-3pa时开始在继续抽真空的同时对所述基材层在100℃至140℃下烘烤80min至180min;和继续抽真空的同时在90℃至125℃下以1000sccm的流量通入氩气调节工作压强为0.8pa至1pa,开启偏压电源,调节所述基材层的负偏压为550v至825v,占空比为50%至90%,对所述基材层进行离子轰击清洗20min至40min。

14、基于上述第三方面,在一些可能的实施方式中,通入氮气和氩气调节工作压强并施加偏负压并调节占空比后开启al靶材电源进行沉积具体包括:继续抽真空的同时在90℃至125℃下以1:5.5至1:7.2的流量比通入氩气和氮气调节工作压强为0.3pa至0.37pa,其中,氩气流量为270sccm至350sccm,氮气流量为47sccm至52sccm;调节所述基材层的负偏压为185v至235v,占空比为55%至80%,开启al靶材电源,功率为3500w至4300w,al靶材电流为8.5a至13a,以在所述基材层的表面沉积400min至600min形成至少覆盖部分所述绝缘基材的氮化铝膜。



技术特征:

1.一种壳体,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的壳体,其特征在于,所述惰性绝缘层的材料为氮化铝,所述惰性绝缘层的厚度为400纳米至600纳米。

3.如权利要求2所述的壳体,其特征在于,所述金属基材具有第一外表面,自所述第一外表面向所述金属基材内部开设有收容凹陷,所述绝缘基材形成于所述收容凹陷内,所述绝缘基材具有第二外表面,所述第一外表面和所述第二外表面构成所述基材层的所述表面。

4.如权利要求3所述的壳体,其特征在于,所述绝缘基材的材质为塑胶。

5.如权利要求1所述的壳体,其特征在于,所述功能性镀层包括颜色镀层,所述颜色镀层包括铬镀层和氮硅铬镀层。

6.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1至5中任一项所述的壳体。

7.一种壳体的制作方法,其中,包括:

8.如权利要求7所述的壳体的制作方法,其特征在于,形成所述惰性绝缘层具体包括:

9.如权利要求8所述的壳体的制作方法,其特征在于,抽真空后通入氩气并开启偏压电源对所述基材层进行离子轰击清洗具体包括:

10.如权利要求8所述的壳体的制作方法,其特征在于,通入氮气和氩气调节工作压强并施加偏负压并调节占空比后开启al靶材电源进行沉积具体包括:


技术总结
本申请提供一种壳体,包括基材层、惰性绝缘层和功能性镀层。所述基材层包括相互连接的金属基材和绝缘基材,所述惰性绝缘层形成于所述基材层表面至少覆盖部分所述绝缘基材,所述功能性镀层沉积形成于所述惰性绝缘层背离所述基材层的表面,通过惰性绝缘层膜减小基材层表面各区域导电性的差异,从而有利于避免电子积累改善电弧打火情况。本申请还提供一种电子设备和一种壳体的制作方法。

技术研发人员:黄耘晧,薛世初,张磊,郭艳,刘书宇,廖伟博,秦安立
受保护的技术使用者:富联裕展科技(深圳)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/17
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