低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组的制作方法

本申请涉及射频，尤其涉及一种低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组。

背景技术：

1、低噪声放大器是一种自身噪声系数很低的放大器，在射频领域中通常用作接收通道的前置放大器，能够从天线获取极其微弱的不确定信号，然后将该信号放大至一个更有用的水平，

2、一般地，低噪声放大器包括偏置晶体管和放大晶体管，经由偏置晶体管为放大晶体管提供偏置信号，偏置晶体管与放大晶体管的尺寸会影响到低噪声放大器的增益。

3、然而，在生产制造过程中往往存在工艺偏差，导致低噪声放大器的增益受到影响。因此，如何减小因工艺偏差对低噪声放大器增益准确性的影响，是当前亟待解决的一个问题。

技术实现思路

1、本申请提出了一种低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组，能够减小因工艺误差对低噪声放大电路增益的影响，提升低噪声放大电路的增益准确性。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种低噪声放大电路，包括：

3、放大晶体管，所述放大晶体管包括第一放大单元；

4、偏置晶体管，与所述放大晶体管连接，并且，所述偏置晶体管包括第一偏置单元和第二偏置单元，所述第一偏置单元临近于所述第一放大单元的一侧设置；所述第二偏置单元与所述第一偏置单元间隔设置。

5、第二方面，本申请实施例提供了一种低噪声放大电路，包括：

6、放大晶体管，设置于第二布局区域；

7、第九虚设单元和第十虚设单元，所述第九虚设单元和所述第十虚设单元沿第一方向或第二方向分布在所述第二布局区域的两侧。

8、第三方面，本申请实施例提供了一种射频芯片，包括如上述第一方面或第二方面的低噪声放大电路。

9、第四方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括如第三方面的射频芯片。

10、本申请的低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组，通过在放大模块的两侧设置虚设单元以避免放大模块发生工艺偏差，或者将偏置晶体管拆分为至少两个偏置单元并设置在常通的放大单元两侧，使常通的放大单元的工艺偏差与偏置晶体管的工艺偏差对增益造成的影响能够互相抵消，从而提升低噪声放大电路的增益准确性。

技术特征：

1.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述放大晶体管还包括第二放大单元；

4.根据权利要求3所述的低噪声放大电路，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第二放大单元的数量为至少两个；

6.根据权利要求2所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第二放大单元的数量为至少两个，所述第一偏置单元、所述第一放大单元和所述第二偏置单元依序设置在两个所述第二放大单元之间。

7.根据权利要求3-6任一项所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一放大单元为常通的放大单元，所述第二放大单元用于根据对应的增益档位控制信号导通。

8.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述放大晶体管还包括至少一个第三放大单元，第三放大单元位于所述第一放大单元在第二方向上的一侧或两侧；

9.根据权利要求8所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第二偏置单元的数量为至少两个，每一所述第二偏置单元设置于一所述第三放大单元在第一方向上的一侧。

10.根据权利要求8或9所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路还包括至少一个第七虚设单元；

11.根据权利要求8所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路还包括第二放大单元，所述第二放大单元位于所述第一放大单元在第一方向上的一侧；

12.根据权利要求8-11任一项所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一放大单元为常通的放大单元；除所述第一放大单元之外的其他放大单元用于根据对应的增益档位控制信号导通。

13.根据权利要求1-11任一项所述的低噪声放大电路，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述偏置晶体管和所述放大晶体管位于第一布局区域；

15.根据权利要求连接1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路包括至少两个所述放大晶体管，其中两个所述放大晶体管连接形成共源共栅结构。

16.根据权利要求连接15所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述共源共栅结构中的一个放大晶体管与所述偏置晶体管连接，所述共源共栅结构中的另一个放大晶体管接收偏置电压。

17.根据权利要求连接15所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路包括至少两个所述偏置晶体管，所述共源共栅结构中的两个所述放大晶体管分别与对应的所述偏置晶体管连接。

18.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括：

19.根据权利要求18所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述虚设模块还包括第十一虚设单元和第十二虚设单元；

20.根据权利要求18所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第二布局区域包括至少两个沿所述第二方向排列的子区域，每一所述子区域与至少一个所述放大晶体管对应，所述放大晶体管设置在对应的所述子区域内。

21.根据权利要求20所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路还包括至少一个第十三虚设单元，所述第十三虚设单元设置于所述第二布局区域，并位于相邻的两个所述子区域之间。

22.根据权利要求18所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路还包括偏置晶体管，所述偏置晶体管设置于所述第二布局区域并与所述放大晶体管连接。

23.一种射频芯片，其特征在于，包括如权利要求1-22任一项所述的低噪声放大电路。

24.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求23所述的射频芯片。

技术总结
本申请公开了一种低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组，其中低噪声放大电路包括放大晶体管和偏置晶体管，放大晶体管包括沿第一方向排列的第一放大单元和第二放大单元，第一放大单元为常通单元，第二放大单元用于根据对应的增益档位控制信号导通；偏置晶体管与放大晶体管连接，并且，偏置晶体管包括第一偏置单元和第二偏置单元，第一偏置单元和第二偏置单元沿第一方向布设在第一放大单元的两侧，其中，第一偏置单元或第二偏置单元设置在第一放大单元与第二放大单元之间。通过将偏置晶体管拆分为至少两个偏置单元，使偏置晶体管与放大晶体管因工艺偏差对增益的影响互相抵消，从而提升低噪声放大电路的增益准确性。

技术研发人员：李镁钰,奉靖皓,田昱,宋楠,吴昊,李海著,张艺,倪建兴
受保护的技术使用者：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24