功率分配器及射频功率放大器的制作方法

【】本技术涉及射频，尤其涉及一种功率分配器及射频功率放大器。

背景技术

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背景技术：

1、随着5g的开始建设，未来的很长时间内，通信网将会迎来4g和5g共存的局面。一是因为5g的建设不会那么快；二是因为5g从技术上就是把对应的频段定在超高频，需要和4g配合组网，正因如此5g的协议就有了两种组网方式，nsa non-standalone(4g和5g共同组网)和sa standalone(5g单独组网)。

2、除了新定义成5g的频段以外，还有对4g频谱的重耕，这就需要在现有的4g射频半导体基础上同时支持5g-nr的标准。目前5g-nr的射频功率放大器工作在hpue功率等级，相较于4g-lte，其额定功率提升了2db，而功率合成便是有效达到功率提升的主要部分。

3、功率合成中必要的架构便是功率分配器(功分器)，传统的功率分配器中，信号由信号输入端进入，一路通过单个耦合器的线圈耦合到第一信号输出端发射出去，另一路则通过π型网络传输到第二信号输出端发射出去。

4、虽然上述功率分配器通过单个耦合器便能实现功率分配，但其带宽较窄，耗损较大，对称性也较差，很难实现90°相移。

技术实现思路

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技术实现要素：

1、本实用新型的目的在于提供一种新的功率分配器，以解决现有功率分配器的带宽较窄，耗损较大，对称性也较差，很难实现90°相移的问题。

2、为了解决上述技术问题，第一方面，本实用新型提供了一种功率分配器，其包括信号输入端、第一电容、第一耦合器、第二电容、第三电容、第二耦合器、第四电容、第一信号输出端以及第二信号输出端；

3、所述第一耦合器包括第一初级线圈以及与所述第一初级线圈耦合第一次级线圈；所述第一初级线圈的第一端与所述信号输入端连接，所述第一次级线圈的第一端与所述第一信号输出端连接；

4、所述第一电容的两端分别连接至所述第一初级线圈的第一端和所述第一次级线圈的第一端；

5、所述第二电容的第一端与所述第一初级线圈的第二端连接，所述第二电容的第二端接地；

6、所述第三电容的第一端与所述第一次级线圈的第二端连接，所述第三电容的第二端接地；

7、所述第二耦合器包括第二初级线圈以及与所述第二初级线圈耦合的第二次级线圈；所述第二初级线圈的第一端与所述第一初级线圈的第二端连接，所述第二初级线圈的第二端连接至所述第二信号输出端；所述第二次级线圈的第一端与所述第一次级线圈的第二端连接，所述第二次级线圈的第二端接地；

8、所述第四电容的两端分别连接至所述第二初级线圈的第二端和所述第二次级线圈的第二端。

9、优选的，所述功率分配器还包括电阻；所述第二次级线圈的第二端通过串联所述电阻后接地。

10、第二方面，本实用新型提供了一种射频功率放大器，该射频功率放大器包括如上所述的功率分配器。

11、与相关技术相比，本实用新型中功率分配器的第一电容、第一耦合器、第二电容和第三电容可以形成一阶谐振，第二电容、第三电容、第二耦合器和第四电容可以形成二阶谐振，两阶谐振叠加可以拓展工作带宽，并且复用第二电容和第三电容，还能降低耗损，使其对称性更好，同时还能利用这些器件来降低整个功率分配器的q值以实现90°相移。

技术特征：

1.一种功率分配器，其特征在于，所述功率分配器包括信号输入端、第一电容、第一耦合器、第二电容、第三电容、第二耦合器、第四电容、第一信号输出端以及第二信号输出端；

2.如权利要求1所述的功率分配器，其特征在于，所述功率分配器还包括电阻；所述第二次级线圈的第二端通过串联所述电阻后接地。

3.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括如权利要求1或2所述的功率分配器。

技术总结
本技术公开了一种功率分配器及射频功率放大器，其中，所述功率分配器包括信号输入端、第一电容、第一耦合器、第二电容、第三电容、第二耦合器、第四电容、第一信号输出端以及第二信号输出端；所述第一耦合器包括第一初级线圈以及与所述第一初级线圈耦合第一次级线圈；所述第二耦合器包括第二初级线圈以及与所述第二初级线圈耦合的第二次级线圈。本技术中的功率分配器通过采用第一电容、第一耦合器、第二电容、第三电容、第二耦合器以及第四电容组成，从而可以提升其带宽，降低耗损，使其对称性更好，同时实现90°相移。

技术研发人员：祁威,郭嘉帅
受保护的技术使用者：飞骧科技（无锡）有限公司
技术研发日：20230118
技术公布日：2024/1/12