一种散热组件以及电子设备的制作方法

文档序号:35505648发布日期:2023-09-20 17:29阅读:22来源:国知局
一种散热组件以及电子设备的制作方法

本申请涉及电子设备散热,更具体的说,涉及一种散热组件以及电子设备。


背景技术:

1、随着科学技术的不断进步,越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。

2、电子设备中需要设置散热组件,以提高其内部电子元件的散热效率,以使得电子元件工作产生的热量能够快速散发,保证电子元件工作在适宜的温度环境,进而保证电子元件安全、可靠的运行。

3、现有电子设备中,所采用的散热组件的厚度较大,不便于电子设备轻薄化设计,且对电子设备不同散热区域的热量均匀性调控能力较差。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供了一种散热组件以及电子设备,方案如下:

2、一种散热组件,包括:

3、均热件,均热件具有相对的第一侧和第二侧,第二侧具有凹槽;

4、导热管,容纳固定于凹槽内;

5、其中,均热件包括:依次层叠的多层均热薄膜;

6、其中,凹槽从第二侧贯穿连续排布的至少两层均热薄膜。

7、优选的,在上述散热组件中,相邻均热薄膜之间通过导热胶膜粘接固定;凹槽还贯穿至少两层均热薄膜之间的导热胶膜。

8、优选的,在上述散热组件中,凹槽的深度小于均热件的厚度,凹槽的底部与第一侧之间具有至少一层均热薄膜和/或至少一层导热胶膜。

9、优选的,在上述散热组件中,均热薄膜为柔性导热薄膜。

10、优选的,在上述散热组件中,均热薄膜的厚度范围是70μm-200μm,和/或,导热胶膜的厚度范围是1μm-5μm。

11、优选的,在上述散热组件中,导热管表面最高处与第二侧所在表面齐平,或是导热管表面最高处低于第二侧所在平面。

12、优选的,在上述散热组件中,导热管通过导热胶固定在凹槽内。

13、本申请还提供了一种电子设备,其特征在于,包括:

14、电路板;

15、固定连接在电路板表面上的电子元件;

16、上述任一项的散热组件,散热组件和电子元件热接触。

17、优选的,在上述电子设备中,均热件的第一侧与电子元件热接触。

18、优选的,在上述电子设备中,电子元件的表面具有电磁屏蔽件;

19、散热组件设置在电磁屏蔽件的表面上。

20、通过上述描述可知,本申请技术方案提供的散热组件以及电子设备中,散热组件能够通过导热管将电子设备中高温区域的热量快速传导至电子设备中低温区域,还能够通过均热件实现电子设备中不同区域的热量均匀分布。故采用该散热组件的电子设备,能够对内部电子元件实现较快速的散热,且能够使得电子设备不同区域具有较为均匀的热量分布,避免热量集中。另外,散热组件设置有用于容纳导热管的凹槽,能够降低散热组件的厚度,便于电子设备轻薄化设计。



技术特征:

1.一种散热组件,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的散热组件,其特征在于,相邻所述均热薄膜之间通过导热胶膜粘接固定;所述凹槽还贯穿所述至少两层均热薄膜之间的所述导热胶膜。

3.根据权利要求2所述的散热组件,其特征在于,所述凹槽的深度小于所述均热件的厚度,所述凹槽的底部与所述第一侧之间具有至少一层所述均热薄膜和/或至少一层所述导热胶膜。

4.根据权利要求1所述的散热组件,其特征在于,所述均热薄膜为柔性导热薄膜。

5.根据权利要求2所述的散热组件,其特征在于,所述均热薄膜的厚度范围是70μm-200μm,和/或,所述导热胶膜的厚度范围是1μm-5μm。

6.根据权利要求1所述的散热组件,其特征在于,所述导热管表面最高处与所述第二侧所在表面齐平,或是所述导热管表面最高处低于所述第二侧所在平面。

7.根据权利要求1所述的散热组件,其特征在于,所述导热管通过导热胶固定在所述凹槽内。

8.一种电子设备,其特征在于,包括:

9.根据权利要求8所述的电子设备,其特征在于,所述均热件的第一侧与所述电子元件热接触。

10.根据权利要求9所述的电子设备,其特征在于,所述电子元件的表面具有电磁屏蔽件;


技术总结
本申请公开了一种散热组件以及电子设备,散热组件包括:均热件,均热件具有相对的第一侧和第二侧,第二侧具有凹槽;导热管,导热管容纳固定于凹槽内;其中,均热件包括:依次层叠的多层均热薄膜;凹槽111从第二侧贯穿连续排布的至少两层均热薄膜。散热组件能够通过导热管将电子设备中高温区域的热量快速传导至电子设备中低温区域,还能够通过均热件实现电子设备中不同区域的热量均匀分布。故采用该散热组件的电子设备,能够对内部电子元件实现较快速的散热,且能够使得电子设备不同区域具有较为均匀的热量分布,避免热量集中。另外,散热组件设置有用于容纳导热管的凹槽,能够降低散热组件的厚度,便于电子设备轻薄化设计。

技术研发人员:许俊杰,严地,刘倩
受保护的技术使用者:鼎道智芯(上海)半导体有限公司
技术研发日:20230330
技术公布日:2024/1/14
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