显示装置的制作方法

文档序号:36862654发布日期:2024-02-02 20:45阅读:18来源:国知局
显示装置的制作方法

公开涉及一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。


背景技术:

1、已经使用了采用液晶显示器(lcd)或有机发光二极管(oled)显示器作为显示装置的各种电子装置(诸如蜂窝电话、导航系统、数码相机、电子书阅读器、便携式游戏装置和各种终端)。

2、最近,这种显示装置已经被开发为具有柔性特性。例如,可折叠显示装置、可弯曲显示装置和可伸展显示装置已经在开发中。

3、柔性显示装置可以包括柔性基底。由于柔性基底由柔性物质制成,因此可能不容易在柔性基底上形成元件。因此,柔性基底形成在支撑基底上,元件形成在柔性基底上,并且支撑基底可以与柔性基底分离。

4、在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解,并且因此其可以含有不形成本领域普通技术人员在该国家中已知的现有技术的信息。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了提供一种用于改善柔性显示装置中所包括的元件的特性并且改善该柔性显示装置中所包括的源/漏电极与半导体之间的接触特性的显示装置。

2、根据实施例,显示装置可以包括:基底,包括开口;半导体,设置在基底上;栅电极,在平面图中与半导体的至少一部分叠置;源电极和漏电极,电连接到半导体;以及发光器件,电连接到漏电极,其中,基底的开口在平面图中与半导体的另一部分叠置。

3、半导体可以包括:沟道区,在平面图中与栅电极叠置;第一区,设置在沟道区的一侧;第二区,设置在沟道区的另一侧;第一接触区,设置在第一区中;以及第二接触区,设置在第二区中。

4、基底的开口可以包括第一开口和第二开口,基底的第一开口可以在平面图中与第一接触区叠置,并且基底的第二开口可以在平面图中与第二接触区叠置。

5、源电极可以电接触第一接触区的上表面,并且漏电极可以电接触第二接触区的上表面。

6、在剖视图中,基底的第一开口的宽度和第一接触区的宽度可以相同,并且在剖视图中,基底的第二开口的宽度和第二接触区的宽度可以相同。

7、第一接触区的电阻可以低于第一区的电阻,并且第二接触区的电阻可以低于第二区的电阻。

8、显示装置还可以包括:层间绝缘层,设置在半导体与源电极之间,并且在半导体与漏电极之间,其中,层间绝缘层可以包括:第一开口,在平面图中与半导体和源电极叠置;以及第二开口,在平面图中与半导体和漏电极叠置,源电极可以通过层间绝缘层的第一开口电连接到半导体,并且漏电极可以通过层间绝缘层的第二开口电连接到半导体。

9、层间绝缘层的第一开口和第二开口可以在平面图中与基底的开口叠置。

10、缓冲层可以填充基底的开口。

11、显示装置还可以包括:钝化层,设置在漏电极和源电极上,并且包括用于将发光器件连接到漏电极的开口。

12、根据实施例,显示装置可以包括:基底,包括开口;缓冲层,设置在基底上;半导体,设置在缓冲层上;栅电极,在平面图中与半导体的至少一部分叠置;源电极和漏电极,电连接到半导体;以及发光器件,电连接到漏电极。基底的开口可以在平面图中与半导体的另一部分叠置。

13、半导体可以包括:沟道区,在平面图中与栅电极叠置;第一区,设置在沟道区的一侧;第二区,设置在沟道区的另一侧;第一接触区,设置在第一区中;以及第二接触区,设置在第二区中。

14、基底的开口可以包括第一开口和第二开口。基底的第一开口可以在平面图中与第一接触区叠置,并且基底的第二开口可以在平面图中与第二接触区叠置。

15、源电极可以电接触第一接触区的上表面,并且漏电极可以电接触第二接触区的上表面。

16、在剖视图中,基底的第一开口的宽度和第一接触区的宽度可以相同,并且在剖视图中,基底的第二开口的宽度和第二接触区的宽度可以相同。

17、第一接触区的电阻可以低于第一区的电阻,并且第二接触区的电阻可以低于第二区的电阻。

18、显示装置还可以包括:层间绝缘层,设置在半导体与源电极之间,并且在半导体与漏电极之间。层间绝缘层可以包括:第一开口,在平面图中与半导体和源电极叠置;以及第二开口,在平面图中与半导体和漏电极叠置。源电极可以通过层间绝缘层的第一开口电连接到半导体,并且漏电极可以通过层间绝缘层的第二开口电连接到半导体。

19、层间绝缘层的第一开口和第二开口可以在平面图中与基底的开口叠置。

20、基底可以包括柔性材料。

21、缓冲层可以填充基底的开口。

22、根据实施例,一种用于制造显示装置的方法可以包括以下步骤:在支撑基底上形成基底;通过将基底图案化在基底中形成开口;在基底上形成缓冲层;在缓冲层上形成在平面图中与基底的开口叠置的半导体;形成在平面图中与半导体叠置的栅电极;形成电连接到半导体的源电极和漏电极;形成电连接到漏电极的发光器件;以及通过将激光束照射到支撑基底的下表面来将支撑基底与基底分离。

23、半导体可以包括:沟道区,在平面图中与栅电极叠置;第一区,设置在沟道区的一侧,第二区,设置在沟道区的另一侧;第一接触区,设置在第一区中;以及第二接触区,设置在第二区中。

24、基底的开口可以包括第一开口和第二开口。基底的第一开口可以在平面图中与第一接触区叠置,基底的第二开口可以在平面图中与第二接触区叠置,并且在照射激光束的步骤中照射的激光束可以穿过基底的第一开口和第二开口,并且可以到达第一接触区和第二接触区。

25、源电极可以电接触第一接触区的上表面,并且漏电极可以电接触第二接触区的上表面。

26、在剖视图中,基底的第一开口的宽度和第一接触区的宽度可以相同,并且在剖视图中,基底的第二开口的宽度和第二接触区的宽度可以相同。

27、第一接触区的电阻可以低于第一区的电阻,并且第二接触区的电阻可以低于第二区的电阻。

28、该方法还可以包括以下步骤:在形成栅电极之后,在栅电极上形成层间绝缘层;以及在层间绝缘层中形成第一开口和第二开口。源电极和漏电极可以设置在层间绝缘层上,层间绝缘层的第一开口可以在平面图中与半导体和源电极叠置,层间绝缘层的第二开口可以在平面图中与半导体和漏电极叠置,源电极可以通过层间绝缘层的第一开口电连接到半导体,并且漏电极可以通过层间绝缘层的第二开口电连接到半导体。

29、层间绝缘层的第一开口和第二开口可以在平面图中与基底的开口叠置。

30、支撑基底可以包括刚性材料,并且基底可以包括柔性材料。

31、形成缓冲层的步骤可以包括将缓冲层填充在基底的开口中。

32、根据实施例,可以改善包括在柔性显示装置中的元件的特性。

33、显示装置可以通过包括具有与半导体叠置的开口的基底而改善半导体与源/漏电极之间的接触特性。此外,通过在基底的预定区域中形成开口,可以改善显示装置中包括的元件的特性。



技术特征:

1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述半导体包括:

3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,

5.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,

6.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:

8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述层间绝缘层的所述第一开口和所述第二开口在平面图中与所述基底的所述开口叠置。

9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,缓冲层填充所述基底的所述开口。

10.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:


技术总结
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底,包括开口;半导体,设置在基底上;栅电极,在平面图中与半导体的至少一部分叠置;源电极和漏电极,电连接到半导体;以及发光器件,电连接到漏电极。基底的开口在平面图中与半导体的另一部分叠置。所述显示装置可以改善柔性显示装置中所包括的源/漏电极与半导体之间的接触特性。

技术研发人员:徐宗吾,李童敏
受保护的技术使用者:三星显示有限公司
技术研发日:20230606
技术公布日:2024/2/1
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