显示装置的制作方法

一个或多个实施例涉及一种显示装置。

背景技术：

1、诸如有机发光显示装置和液晶显示装置等的显示装置可以包括包含薄膜晶体管(tft)、电容器和多条布线的阵列基板。阵列基板通常包括tft、电容器和布线等的精细图案。包括这样的阵列基板的显示装置可以基于tft、电容器和布线之间的复杂连接来操作。

技术实现思路

1、近来，随着对紧凑和高分辨率显示装置的需求增加，期望包括在这样的显示装置中的tft、电容器和布线之间的有效空间设置、其中的连接结构的改善、其驱动方法的改善以及图像质量的改善。

2、一个或多个实施例包括一种具有改善的晶体管特性和确保的电容器容量的显示装置。然而，这样的技术问题是示例，并且本公开不限于此。

3、根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：基板，包括沟槽；电容器，布置在基板上、在沟槽中；底部金属层，布置在基板上并且与电容器间隔开；以及薄膜晶体管，布置在底部金属层上，其中，电容器包括第一金属层、第二金属层和无机绝缘层，第一金属层与底部金属层布置在同一层中，第二金属层布置在第一金属层上，并且无机绝缘层布置在第一金属层与第二金属层之间。

4、在实施例中，电容器的一部分可以具有与沟槽的形状相对应的形状。

5、在实施例中，第二金属层可以包括钛(ti)。

6、在实施例中，显示装置可以进一步包括：填充层，布置在第二金属层上并且填充第二金属层上的与沟槽相对应的区。

7、在实施例中，填充层可以包括旋涂玻璃(sog)材料。

8、在实施例中，沟槽在平面图中可以具有椭圆形形状。

9、在实施例中，沟槽可以被提供为多个以包括多个沟槽。

10、在实施例中，多个沟槽中的每一个沟槽在平面图中可以具有椭圆形形状，并且多个沟槽在平面图中可以彼此分开。

11、在实施例中，第二金属层可以通过接触孔连接到布置在薄膜晶体管上的连接电极层。

12、在实施例中，连接电极层可以包括数据线，并且第二金属层可以电连接到数据线。

13、在实施例中，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。

14、根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：基板，包括沟槽；电容器，在基板上，其中，电容器包括沿着沟槽的形状顺序地布置在基板上的第一金属层、无机绝缘层和第二金属层；以及填充层，布置在第二金属层上并且填充第二金属层上的与沟槽相对应的区，其中，填充层包括旋涂玻璃(sog)材料。

15、在实施例中，显示装置可以进一步包括：薄膜晶体管，布置在基板上。

16、在实施例中，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。

17、在实施例中，显示装置可以进一步包括：底部金属层，布置在基板与薄膜晶体管之间。

18、在实施例中，第一金属层可以与底部金属层布置在同一层中。

19、在实施例中，显示装置可以进一步包括：连接电极层，布置在第二金属层和薄膜晶体管上，其中，连接电极层可以电连接到第二金属层。

20、在实施例中，第二金属层可以包括与连接电极层的材料相同的材料。

21、在实施例中，沟槽可以被提供为多个以包括多个沟槽。

22、在实施例中，多个沟槽中的每一个沟槽在平面图中可以具有椭圆形形状，并且多个沟槽在平面图中可以彼此分开。

23、在实施例中，显示装置可以进一步包括：像素电极，布置在连接电极层上；像素限定层，布置在像素电极上，其中，开口可以通过像素限定层被限定以暴露像素电极的一部分；中间层，填充开口；以及对电极，布置在中间层上。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电容器的一部分具有与所述沟槽的形状相对应的形状。

3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽在平面图中具有椭圆形形状。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，所述沟槽被提供为多个以包括多个沟槽。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二金属层通过接触孔连接到布置在所述薄膜晶体管上的连接电极层。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体。

10.根据权利要求8所述的显示装置，进一步包括：

技术总结
一种显示装置，包括：基板，包括沟槽；电容器，布置在基板上、在沟槽中；底部金属层，布置在基板上并且与电容器间隔开；以及薄膜晶体管，布置在底部金属层上，其中，电容器包括第一金属层、第二金属层和无机绝缘层，第一金属层与底部金属层布置在同一层中，第二金属层布置在第一金属层上，并且无机绝缘层布置在第一金属层与第二金属层之间。

技术研发人员：申铉亿,裵俊佑
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：20230808
技术公布日：2024/4/17