一种SOA放大器防腐蚀结构的制作方法

文档序号:37530467发布日期:2024-04-08 11:22阅读:18来源:国知局
一种SOA放大器防腐蚀结构的制作方法

本技术涉及soa放大器,具体为一种soa放大器防腐蚀结构。


背景技术:

1、soa(面向服务的架构)是一个组件模型,它将应用程序的不同功能单元(称为服务)通过这些服务之间定义良好的接口和契约联系起来。soa是一种粗粒度、松耦合服务架构,服务之间通过简单、精确定义接口进行通讯,不涉及底层编程接口和通讯模型。soa可以看作是b/s模型、xml(标准通用标记语言的子集)/web service技术之后的自然延伸。

2、soa放大器是针对网络信息安全项目,实现对小功率100g信号进行放大,以满足数据处理设备的功率要求的设备,是一种半导体光放大器

3、soa放大器在长期的使用过程中,在外界因素的影响下,如工作环境中含有大量的湿气和氧气,这些物质会导致soa放大器的金属表面产生氧化反应,长期以来从而引起腐蚀,从而影响soa放大器的后续使用。


技术实现思路

1、针对上述现有技术中的技术问题,本实用新型提供了一种soa放大器防腐蚀结构,目的是解决上述问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

3、一种soa放大器防腐蚀结构,包括外壳,外壳内部设有机体,还包括:

4、除湿结构,其分别插装于外壳上侧面的左右两端,所述外壳两侧面对应除湿结构开设有多个第一通风孔;

5、风机,其固定设于外壳左侧,并位于外壳左侧除湿结构左侧;

6、两个隔板,其设于外壳内部左右两侧,所述隔板的一侧面与除湿结构抵接,另一端与机体抵接,所述隔板上开设有多个第二通风孔;

7、支撑块,其固定设于外壳内部上下侧面,且与机体相抵接,使得机体上下侧面与外壳之间形成第一空腔。

8、优选的,所述除湿结构包括插装块,所述外壳对应插装块开设有插装槽,所述插装块内开设有第二空腔,所述第二空腔内设有防潮剂,所述插装块顶部盖合有盖板,所述插装块插装后,盖板与外壳顶部平齐。

9、优选的,所述盖板上侧面设有拉手。

10、优选的,所述盖板对应外壳插装口处设有密封条。

11、优选的,所述插装块位于外壳内部部分侧壁设有多个透气孔。

12、优选的,盖板与插装块通过螺栓固定连接。

13、优选的,所述支撑块为四个,分别两两设于外壳内部上下侧面,所述支撑块为贴合机体的长条形。

14、与现有技术相比,本实用新型具备以下有益效果:

15、本实用新型提供的一种soa放大器防腐蚀结构,通过在外壳左右两侧插装有除湿结构,通过插装块内的防潮剂,对进入放大器内的外界空气或风机在进行散热时进入的空气进行水分过滤,保持内部干燥,支撑块将机体与外壳隔离,保证其通风干燥,同时插装块插装设置,可定期更换,保证防潮剂的正常使用,保持放大器内部干燥,避免腐蚀。



技术特征:

1.一种soa放大器防腐蚀结构,包括外壳(1),外壳(1)内部设有机体(2),其特征在于,还包括:

2.根据权利要求1所述的一种soa放大器防腐蚀结构,其特征在于,所述除湿结构(3)包括插装块(31),所述外壳(1)对应插装块(31)开设有插装槽,所述插装块(31)内开设有第二空腔(32),所述第二空腔(32)内设有防潮剂(33),所述插装块(31)顶部盖合有盖板(34),所述插装块(31)插装后,盖板(34)与外壳(1)顶部平齐。

3.根据权利要求2所述的一种soa放大器防腐蚀结构,其特征在于,所述盖板(34)上侧面设有拉手(35)。

4.根据权利要求2所述的一种soa放大器防腐蚀结构,其特征在于,所述盖板(34)对应外壳(1)插装口处设有密封条(36)。

5.根据权利要求2所述的一种soa放大器防腐蚀结构,其特征在于,所述插装块(31)位于外壳(1)内部部分侧壁设有多个透气孔(37)。

6.根据权利要求2所述的一种soa放大器防腐蚀结构,其特征在于,所述盖板(34)与插装块(31)通过螺栓固定连接。

7.根据权利要求2所述的一种soa放大器防腐蚀结构,其特征在于,所述支撑块(6)为四个,分别两两设于外壳(1)内部上下侧面,所述支撑块(6)为贴合机体(2)的长条形。


技术总结
本技术公开了一种SOA放大器防腐蚀结构,包括外壳,外壳内部设有机体,外壳上侧面的左右两端分别插装有除湿结构,外壳两侧面对应除湿结构开设有多个第一通风孔,外壳左侧固定设有风机,并位于外壳左侧除湿结构左侧,便于对外壳内部进行散热,同时风机设于除湿结构左侧,在进风时通过除湿结构将空气进行水分过滤,保证外壳内部干燥,外壳内部左右两侧分别设有隔板,隔板的一侧面与除湿结构抵接,另一端与机体抵接,隔板上开设有多个第二通风孔,使其不影响通风,外壳内部上下侧面固定设有支撑块,支撑块与机体相抵接,使得机体上下侧面与外壳之间形成第一空腔,空气流通,便于机体的散热。

技术研发人员:王伟,陈帅,曾志超
受保护的技术使用者:天津见合八方光电科技有限公司
技术研发日:20230829
技术公布日:2024/4/7
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