本技术属于一种抗电磁污染装置,尤其是关于一种抗电磁污染,且可控制热膨胀的方向,防止外罩破裂的装置。
背景技术:
1、数据中心采用强大的特定应用积体电路(application specific integratedcircuit,asic),例如cpu、gpu、机器学习加速器、消耗高达千安培电流的网络交换机、服务器等,并在其功率需求中迅速变化。多相电压调节器(voltage regulator,vr)传统上用于为此类负载供电。为了跟上增加的安培数和负载带宽,不断的增加vr的相数及其输出电容。这些都在一定程度上改善了传统vr的瞬态响应;然而,由于其较大的输出阻抗,去藕电容的距离负载,传统vr正在达到性能极限。
2、跨电感稳压器(trans-inductor voltage regulator,tlvr)是属于一种透过藕合电感来增加藕合电流,进而快速增加暂态电流响应速度来提升整体效能,而目前已知一种习知tlvr电感的磁力线,其如图6所述,依据安培定律,当电流流经金属导体时,电流越大,磁场则越强,造成的电磁污染也越大。未来产品用的电子零件越多,对零件或系统的电磁波干扰的检测需求越高,毕竟一个闪失,就有可能造成功能失效,亦或是电动车,则有可能造成人的伤亡。
3、旧型式的外罩经高压成形,但由于一侧的金属导体外露,造成电磁污染且外露的金属导体容易与飞线碰触造成相互短路的情形,此为急需改善的事项;另一旧型式产品,中柱与本体式分为两个部分,组装时中柱与外罩的垂直度或倾斜度式影响电性公差的主要原因;不仅手动组装时,垂直度与倾斜度不佳,且组装时容易漏放中柱,此为急需改善的事项。
4、此装置应用在电子电路上的表面黏著元件(surface mount device,smd),故,打件于组装电路板(printed cicrcuit board assembly,pcba)上时须经回焊炉进行此装置与pcba的熔接,回焊温度会造成接合胶的热膨胀,此热膨胀的压力会对外罩产生推挤力,进而使外罩破裂。
5、有鉴于前述问题,本实用新型创作人根据习知装置的缺点,乃著手进行研发与改良,经由反复的实验与修正,终能完成本件具备抗电磁污染且可防止外罩破裂的tlvr电路抗电磁污染装置。
技术实现思路
1、本实用新型的主要目的在于提供一种具有抗电磁污染装置,其有效防止tlvr电路辐射出电磁污染,确保周边电路系统的正常运作与安全性。
2、本创作的另一目的在于提供一种具有防止磁芯外罩破裂的装置,其结构改良,可控制热膨胀的方向,避免未知方向的热膨胀导致磁芯外罩破裂,大幅提高产品的稳定性,增加寿命并降低维护成本。
3、为了达成上述目的,本实用新型包含有一本体、一侧盖与一导体部。本体设有一容置槽、一中柱、一第一开口及一第二开口,中柱设置于容置槽的中间,第一开口设置于本体一侧,第二开口设置于第一开口的隔壁侧;侧盖设置于本体的第一开口侧;导体部至少包含有一金属导体,金属导体末端向前端或后端凸伸包含有二定位销,定位销沿第一开口将金属导体扣入中柱或本体,使金属导体相对于本体位置保持不变,定位销外露于第二开口。
4、其中,本体与侧盖的接触面左右两侧设有二凹槽,各凹槽位置对称于中柱,各凹槽内设有一漆包线。
5、其中,该本体与该侧盖的接触面设有一间隙。
6、其中,该本体与该侧盖,是由铁氧体或直接还原铁组成。
7、其中,该漆包线由抗高温高分子聚合物所组成。
8、综上所述,本体除第一开口与第二开口之外,其余皆为封闭,不仅可减少辐射出电磁污染与防止飞线碰触金属导体造成相互短路的风险,也可以控制热膨胀的方向,防止磁芯外罩破裂。
1.一种tlvr电路抗电磁污染装置,其特征在于,包含:
2.如权利要求1所述的tlvr电路抗电磁污染装置,其特征在于,所述本体与所述侧盖的接触面左右两侧设有二凹槽,各所述凹槽位置对称于所述中柱,各所述凹槽内设有一漆包线。
3.如权利要求1所述的tlvr电路抗电磁污染装置,其特征在于,所述本体与所述侧盖的接触面设有一间隙。
4.如权利要求2或3所述的tlvr电路抗电磁污染装置,其特征在于,所述本体与所述侧盖接触面上设有一点胶处,所述点胶处设有一接合胶,各所述凹槽内所凸出的各所述漆包线高度与所述接合胶的直径系为所述间隙尺寸,所述间隙尺寸需两侧相等。
5.如权利要求2所述的tlvr电路抗电磁污染装置,其特征在于,所述漆包线由抗高温高分子聚合物所组成。
6.如权利要求1所述的tlvr电路抗电磁污染装置,其特征在于,所述本体与所述侧盖系为铁氧体金属。
7.如权利要求1所述的tlvr电路抗电磁污染装置,其特征在于,所述本体与所述侧盖系为直接还原铁金属。