一种提高信噪比的通用低噪声放大器电路的制作方法

文档序号:38930429发布日期:2024-08-14 12:27阅读:41来源:国知局
一种提高信噪比的通用低噪声放大器电路的制作方法

本技术属于电路设计领域,更具体的说涉及一种提高信噪比的通用低噪声放大器电路。


背景技术:

1、在无线通信系统中,低噪声放大器(lna)电路是非常重要的一部分,它承担着接收和放大微弱的信号,尤其在接收端,lna的性能直接影响到整个系统的接收性能。信噪比(snr)又是评价低噪声放大器性能的关键指标,其影响着接收端的接收灵敏度,进而影响整个通信系统的性能。

2、然而,传统的低噪声放大电路面临着多个技术挑战。首先,传统的低噪声放大器设计中常常忽视了开关噪声对信噪比的影响,这直接导致了信噪比较低。其次,在传统的低噪声放大电路中,偏置电路选型不合理,可能导致放大器工作不稳定,甚至导致电路烧毁。此外,由于未对输入和输出阻抗进行匹配,传统的放大电路可能出现单位增益不稳定,增益值难以预测的情况,这将大大降低系统的性能。


技术实现思路

1、本实用新型这种电路设计充分降低了噪声水平,提高了信噪比,保证了其稳定运行,且具有良好的阻抗匹配,因此呈现出了良好的放大效果。

2、为了实现上述目的,本实用新型是采用以下技术方案时下的:所述的放大器电路包括由放大电路1、偏置电路2、单刀双掷收发开关电路3及bypass支路4构成;

3、所述的单刀双掷收发开关电路3选通发射、接收支路,所述的单刀双掷收发开关电路3输出端与放大电路1连接,放大电路1上连接有偏置电路2,bypass支路4与放大电路1并联。

4、进一步地,所述的单刀双掷收发开关电路3采用串并联结构,为非对称结构;

5、所述的单刀双掷收发开关电路3当lna_en为高电平,pa_en为低电平时,射频开关选通接收支路,m1管关断隔离发射支路,天线ant端口接收信号经过m2、m3管从rx端输出至lna主体放大;当lna_en为低电平,pa_en为高电平时,m2、m3关断隔离接收支路,pa发出的大功率信号由tx端口经过m1管从ant端输出。

6、进一步地,所述的放大电路1主体由三极管qce和qcb构成;所述的放大电路1输入阻抗匹配采用额外的并联电容反馈cf和l1、c1构成的l型匹配网络;

7、所述的放大电路1输出阻抗匹配采用负载电感ld与电容c3、c4、c5构成的t型匹配网络。

8、进一步地,所述的偏置电路2采用动态偏置电路2对放大电路1进行偏置采用基准模块产生的恒定电流。

9、本实用新型有益效果:

10、高信噪比:通过采用专门设计的低噪声放大电路1和输入输出阻抗匹配方案,有效降低了噪声水平,提高了信噪比,从而提升了接收信号的质量和通信系统的接收性能。

11、稳定可靠:通过使用动态偏置电路2,实现了放大电路1的稳定运作,避免了由于偏置电路2设计不当导致的电路烧毁等问题,提高了电路的稳定性和可靠性。

12、阻抗匹配:利用特别设计的输入输出阻抗匹配方案,可以避免传统电路中单位增益不稳定和增益值难以预测的情况,从而提高了放大器的性能。

13、通用性强:本实用新型的低噪声放大电路1适应性强,不仅可以应用于通信领域,还可以广泛应用于遥感、雷达等其他需要放大微弱信号的领域。



技术特征:

1.一种提高信噪比的通用低噪声放大器电路,其特征在于:所述的放大器电路包括由放大电路(1)、偏置电路(2)、单刀双掷收发开关电路(3)及bypass支路(4)构成;

2.根据权利要求1所述的一种提高信噪比的通用低噪声放大器电路,其特征在于:所述的单刀双掷收发开关电路(3)采用串并联结构,为非对称结构;

3.根据权利要求1所述的一种提高信噪比的通用低噪声放大器电路,其特征在于:所述的放大电路(1)主体由三极管qce和qcb构成;所述的放大电路(1)输入阻抗匹配采用额外的并联电容反馈cf和l1、c1构成的l型匹配网络;

4.根据权利要求1所述的一种提高信噪比的通用低噪声放大器电路,其特征在于:所述的偏置电路(2)采用动态偏置电路对放大电路(1)进行偏置采用基准模块产生的恒定电流。


技术总结
本技术涉及的是一种提高信噪比的通用低噪声放大器电路。该电路由一个放大电路、一个偏置电路、一个单刀双掷收发开关电路、以及一个Bypass支路构成。其中,单刀双掷开关为串并联结构,既可以选通发射和接收支路,又可以在需要时隔离两者。放大电路主体由三极管QCE和QCB构成,且在输入和输出阻抗匹配上采用了额外的并联电容反馈和T型匹配网络,从而确保其处在最佳工作状态。偏置电路采用了动态偏置电路,可靠稳定地对放大电路进行偏置。这种电路充分降低了噪声水平,提高了信噪比,保证了其稳定运行,且具有良好的阻抗匹配,因此呈现出了良好的放大效果。

技术研发人员:徐小刚,蒋孝林
受保护的技术使用者:成都中微电微波技术有限公司
技术研发日:20231219
技术公布日:2024/8/13
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