成像元件和电子设备的制作方法

本技术涉及成像元件和电子设备，并且例如涉及被构造为允许实现更高质量图像的成像元件和电子设备。

背景技术：

1、通常，诸如cmos(互补金属氧化物半导体)图像传感器和ccd(电荷耦合器件)之类的成像元件广泛用于数码静止相机和数码视频相机等。人们希望改进成像元件的特性，并且例如希望扩大动态范围。专利文献1提出了通过包含多个累积电容元件来扩大动态范围的方法，这些累积电容元件可以累积从光电二极管溢出的电荷。

2、还提出了一种成像元件(图像传感器)，该成像元件包括切换布置在每个像素中的浮动扩散部(fd)的转换效率的机构(参照专利文献2)。在根据专利文献2的技术中，基于一般性cmos(互补金属氧化物半导体)图像传感器，布置了用于切换第一fd和比第一fd具有更高电容的第二fd的栅极。此外，专利文献2还包括关于以下内容的说明。在切换到高转换效率的情况下，栅极关断以使第一fd的寄生电容最小化。相反，在切换到低转换效率的情况下，栅极接通，并且第一fd和第二fd连接以使寄生电容最大化。

3、引文列表

4、专利文献

5、专利文献1：jp 2006-245522a

6、专利文献2：jp 2014-112580a

技术实现思路

1、技术问题

2、近年来，像素小型化得到推进。因而，构成一个像素的晶体管的布置区域也变小，并且变得难以以能够充分获得晶体管特性的尺寸来布置晶体管。

3、本技术是鉴于这种情况而做出的，并且可以在不降低晶体管特性的情况下实现像素的小型化。

4、问题解决方案

5、本技术的一个方面的成像元件是包括将光转换为电荷的光电转换部、临时累积电荷的累积部和将电荷传输到累积部的传输部的成像元件。成像元件还包括建立像素之间的隔离的像素间隔离部、隔离元件的元件隔离部和在平面图中围绕传输部布置的多个晶体管。在平面图中，在所述多个晶体管中的每个晶体管中，存在该晶体管的至少一侧与像素间隔离部重叠的区域，并且与所述一侧相反的一侧包括与元件隔离部重叠的区域。

6、本技术的一个方面的电子设备是包括成像元件的电子设备。成像元件包括将光转换为电荷的光电转换部、临时累积电荷的累积部和将电荷传输到累积部的传输部。成像元件还包括建立像素之间的隔离的像素间隔离部、隔离元件的元件隔离部和在平面图中围绕传输部布置的多个晶体管。在平面图中，在所述多个晶体管中的每个晶体管中，存在该晶体管的至少一侧与像素间隔离部重叠的区域，并且与所述一侧相反的一侧包括与元件隔离部重叠的区域。电子设备还包括处理来自成像元件的信号的处理部。

7、本技术方面的成像元件包括将光转换为电荷的光电转换部、临时累积电荷的累积部和将电荷传输到累积部的传输部。成像元件还包括建立像素之间的隔离的像素间隔离部、隔离元件的元件隔离部和在平面图中围绕传输部布置的多个晶体管。在成像元件中，在平面图中，在所述多个晶体管中的每个晶体管中，存在该晶体管的至少一侧与像素间隔离部重叠的区域，并且与所述一侧相反的一侧包括与元件隔离部重叠的区域。

8、本技术方面的电子设备包括成像元件。

9、应注意，电子装置可以是独立装置，也可以是包含在一个装置中的内部模块。

技术特征：

1.一种成像元件，其包括：

2.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

3.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

4.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

5.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

6.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

7.根据权利要求6所述的成像元件，其中，

8.根据权利要求6所述的成像元件，其中，

9.根据权利要求6所述的成像元件，其中，

10.根据权利要求1所述的成像元件，其还包括：

11.根据权利要求10所述的成像元件，其中，

12.根据权利要求10所述的成像元件，其中，

13.根据权利要求10所述的成像元件，其中，

14.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

15.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

16.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

17.根据权利要求16所述的成像元件，其中，

18.根据权利要求2所述的成像元件，其还包括：

19.根据权利要求2所述的成像元件，其还包括：

20.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

21.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

22.根据权利要求21所述的成像元件，其中，

23.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

24.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

25.根据权利要求23所述的成像元件，其中，

26.根据权利要求1所述的成像元件，其还包括：

27.根据权利要求1所述的成像元件，其中，

28.一种电子设备，其包括成像元件和处理来自所述成像元件的信号的处理部，所述成像元件包括：

技术总结
本技术涉及一种能够抑制白点或暗电流的生成的成像元件和电子设备。成像元件包括将光转换为电荷的光电转换部、临时累积电荷的累积部和将电荷传输到累积部的传输部。成像元件还包括在像素之间建立隔离的像素间隔离部、隔离元件的元件隔离部和在平面图中围绕传输部布置的多个晶体管。在平面图中，在多个晶体管中的每个晶体管中，存在该晶体管的至少一侧与像素间隔离部重叠的区域，并且与该一侧相反的一侧包括与元件隔离部重叠的区域。本技术可以例如应用于具有多个累积部的成像元件。

技术研发人员：朝山忍,楢村卓朗,福井僚,伊藤智美,内田哲弥,河村智彦,上坂祐介,矢神贵规,西村丰
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2025/4/17