显示装置、电子设备及制造显示装置的方法与流程

文档序号:37595709发布日期:2024-04-18 12:32阅读:16来源:国知局
显示装置、电子设备及制造显示装置的方法与流程

本公开涉及显示装置、电子装置和制造显示装置的方法。


背景技术:

1、在显示装置中,为了提高光提取效率,设计了一种结构,其中在每个像素的发光方向上为每个像素提供微透镜(ml)。例如,专利文献1和专利文献2公开了一种有机电致发光(el)显示装置,其中为每个像素提供ml,有机el显示装置通过与在其上形成多个发光元件的第一基板接合,与在其表面上形成多个ml的第二基板接合来生产,使得多个ml面对多个发光元件。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1:日本专利申请公开第2014-120433号

5、专利文献2:日本专利申请公开第2015-69700号


技术实现思路

1、本发明要解决的问题

2、近年来,积极地进行了安装在电子装置上的超小型显示装置(也称为微显示器)的研发,电子装置例如是头戴式显示器(hmd)、数码相机的电子取景器(evf)等。在这样的超小型显示装置中,为了获得期望的亮度,与更大的显示装置相比需要进一步提高光提取效率。因此,认为为每个像素提供ml的上述配置在这样的超小型显示装置中特别有效。

3、然而,上述专利文献1和专利文献2中描述的技术被认为是用于安装在电子装置上的中型显示装置,例如智能电话、平板个人计算机(pc)等,而不是用于超小型显示装置。因此,即使将上述专利文献1和专利文献2中描述的技术原样应用于超小型显示装置,也存在光提取效率不能有效提高的可能性。

4、因此,本公开设计了能够进一步提高光提取效率的新颖和改进的显示装置、电子装置和制造显示装置的方法。

5、问题的解决办法

6、根据本公开,提供了一种显示装置,包括:第一基板,其是硅基板并且在其上形成多个发光元件;第二基板,包括在表面上依次层叠的滤色器层和微透镜层,滤色器层包括多个排列的滤色器,微透镜层包括多个排列的微透镜,微透镜层被布置成相对于第一基板面向多个发光元件;以及粘合层,其填充第一基板和第二基板之间的间隙,用于将第一基板和第二基板接合在一起。

7、根据本公开,提供了一种包括基于图像信号执行显示的显示装置的电子装置,其中显示装置包括:第一基板,其是硅基板并且在其上形成多个发光元件;第二基板,包括在表面上依次层叠的滤色器层和微透镜层,滤色器层包括多个排列的滤色器,微透镜层包括多个排列的微透镜,微透镜层被布置成相对于第一基板面向多个发光元件;以及粘合层,其填充第一基板和第二基板之间的间隙,用于将第一基板和第二基板接合在一起。

8、此外,根据本公开,提供了一种制造显示装置的方法,包括:在作为硅基板的第一基板上形成多个发光元件;在第二基板上依次层叠包括多个排列的滤色器的滤色器层和包括多个排列的微透镜的微透镜层;以及将第一基板和第二基板接合在一起以使微透镜层面向多个发光元件。

9、根据本公开,提供了一种面向cf型显示装置。为了解决小型化,使用硅基板作为第一基板。此外,在显示装置中,在发光元件侧的第一基板和cf侧的第二基板接合在一起之前,在第二基板上形成ml。因此,不需要考虑热等对发光元件的影响,并且现有技术可以原样应用于形成ml的步骤。如上所述,根据本公开,在能够解决小型化的显示装置中,可以在不显著增加研发成本的情况下形成ml,并且可以提高光提取效率。

10、本发明的效果

11、如上所述,根据本公开,可以进一步提高光提取效率。注意,上述效果不一定受到限制,以及除了上述效果之外,或者代替上述效果,还可以显示本说明书中描述的任何效果,或者可以从本说明书中理解的其他效果。



技术特征:

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

9.一种电子装置,具有:

10.一种制造显示装置方法,包括:


技术总结
公开了显示装置、电子设备及制造显示装置的方法。该显示装置,包括:第一基板,其是硅基板并且在第一基板上形成多个发光元件;第二基板,表面上包括滤色器层、形成在滤色器层上的平坦化层以及形成在平坦化层上的微透镜层,滤色器层包括多个排列的滤色器,且微透镜层包括多个排列的微透镜,第二基板相对于第一基板设置,使得微透镜层面向多个发光元件;以及粘合层,填充第一基板和第二基板之间的间隙,用于将多个发光元件和微透镜层接合在一起,其中,微透镜层的厚度大于等于500nm且小于等于2000nm,粘合层的材料的折射率小于微透镜层的材料的折射率,微透镜层通过回蚀法形成,平坦化膜包括折射率为1.0至2.5的材料。

技术研发人员:松崎康二,元山阳介
受保护的技术使用者:索尼半导体解决方案公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/17
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