显示面板、制备方法、控制方法及显示装置与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种显示面板、制备方法、控制方法和显示装置。

背景技术：

1、有机电致发光器件(organic light-emitting diodes；oleds)由于其独特的性能，在固态照明以及大面积平板显示领域有着巨大的发展潜力，目前在移动显示终端等方面已经得到了较好的商业化应用。随着商业化的发展，其应用领域逐步拓宽，研究者们不仅仅针对形态、发光效率和色域等方面进行研究，对于产品使用体验需求也逐步提升。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种显示面板、制备方法、控制方法和显示装置。

2、基于上述目的，本申请第一方面提供了显示面板，包括：

3、衬底基板；

4、缓冲层，设置在所述衬底基板的出光侧；

5、第一半导体层，设置在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧；

6、所述显示面板在所述衬底基板和所述缓冲层之间设置有阻隔层，所述阻隔层被配置为防止所述衬底基板中的电荷向所述第一半导体层移动。

7、基于同一发明构思，本申请第二方面还提供了一种显示面板制备方法，用于制备如第一方面所述的显示面板，所述制备方法包括：

8、形成衬底基板；

9、在衬底基板的出光侧形成阻隔层；

10、在阻隔层远离所述衬底基板的一侧形成缓冲层；

11、在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成第一半导体层；

12、其中，所述阻隔层被配置为防止所述衬底基板中的电荷向所述第一半导体层移动。

13、基于同一发明构思，本申请第三方面还提供了显示面板控制方法，用于控制如第一方面所述的显示面板，所述控制方法包括：

14、获取显示面板显示目标非0灰阶对应的第一电压值；

15、将第一电压值缩小为第二电压值；

16、确定显示面板在所述第二电压值时的实际显示亮度；

17、响应于所述实际显示亮度处于预设的亮度范围内，则将所述第二电压值作为显示面板显示0灰阶对应的电压值。

18、基于同一发明构思，本申请第四方面还提供了显示装置，包括如第一方面所述的显示面板。

19、从上面所述可以看出，本申请提供的显示面板、制备方法、控制方法和显示装置，将阻隔层设置在衬底基板和缓冲层之间，一方面能够防止移动电荷进入第一半导体层中的半导体图案，从而能够避免由于半导体图案受移动电荷影响从而造成该半导体图案所形成的薄膜晶体管出现特性漂移；另一方面由于缓冲层位于阻隔层和第一半导体层之间，也能够避免阻隔层对第一半导体层产生特性影响。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻隔层包括金属阻隔层、硅胶阻隔层、离子交换树脂阻隔层和纳米阻隔层中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述金属阻隔层的材料包括钼、钴、铬或钼钴合金。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述纳米阻隔层的材料包括纳米三氧化二锑、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛或纳米氧化铝。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述金属阻隔层的厚度为800nm至1600nm。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述硅胶阻隔层、所述离子交换树脂阻隔层或所述纳米阻隔层的厚度为100nm至500nm。

7.一种显示面板制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至6任一项所述的显示面板，所述制备方法包括：

8.根据权利要求7所述的显示面板制备方法，其特征在于，形成所述缓冲层的温度为380℃至550℃。

9.根据权利要求7所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述形成衬底基板，包括：

10.根据权利要求9所述的显示面板制备方法，其特征在于，通过n2、o2或ar对所述第二柔性基底远离所述第一柔性基底的表面进行等离子体处理。

11.一种显示面板控制方法，其特征在于，用于控制如权利要求1至6任一项所述的显示面板，所述控制方法包括：

12.根据权利要求11所述的显示面板控制方法，其特征在于，所述根据所述第一电压值确定第二电压值，包括：

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的显示面板。

技术总结
本申请提供一种显示面板、制备方法、控制方法和显示装置，显示面板包括：衬底基板；缓冲层，设置在衬底基板的出光侧；第一半导体层，设置在缓冲层远离衬底基板的一侧；显示面板在衬底基板和缓冲层之间设置有阻隔层，阻隔层被配置为防止衬底基板中的电荷向第一半导体层移动。本申请提供的显示面板、制备方法、控制方法和显示装置，将阻隔层设置在衬底基板和缓冲层之间，一方面能够防止移动电荷进入第一半导体层中的半导体图案，从而能够避免由于半导体图案受移动电荷影响从而造成该半导体图案所形成的薄膜晶体管出现特性漂移；另一方面由于缓冲层位于阻隔层和第一半导体层之间，也能够避免阻隔层对第一半导体层产生特性影响。

技术研发人员：陈佳,高栋雨,聂汉,邓成绩,仝勋飞,姜行宗,杨春梅,杜陵,叶建江
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/6