电容器及其制造方法、电子设备与流程

本申请涉及电子设备，特别涉及一种电容器及其制造方法、电子设备。

背景技术：

1、在集成电路中，为了获得稳定的电源，需要在元件的电源端装设去耦电容。芯片级电容由于具有优化感抗、降低电容厚度等多种优势被广泛使用。随着科技的不断进步，电子设备对于电容的电容量的需求不断增高，目前芯片级电容的电容量已无法满足需求，因此，提高芯片级电容的电容量成为亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种电容器及其制造方法、电子设备，此电容器的电容量相对较高。

2、技术方案如下：

3、本申请第一方面提供一种电容器，包括：

4、衬底层；

5、第一介质层，第一介质层上设置有第一凹槽，第一介质层的数量为多个，多个第一介质层在衬底层上沿第一方向依次布设；

6、电容单元，电容单元的数量为多个，多个电容单元与多个第一凹槽一一对应设置，电容单元的至少部分位于第一凹槽内，各电容单元电连接。

7、本申请提供的电容器，通过在衬底层的一侧设置多个第一介质层，各第一介质层上均设置有第一凹槽，第一凹槽内设置有电容单元，由于第一介质层的数量为多个，因此电容单元的数量至少为多个，如此，增大了电容器在单位面积上电极层的数量，使得电容器的电容密度增大，进而使得电容器的电容量也相应增大。同时，由于各第一介质层上分别设置有第一凹槽，电容单元的至少部分结构位于第一凹槽内，因此使得第一介质层与电容单元的总厚度减小，从而使得电容器的整体厚度相对较小的情况下提高了电容器的电容密度。

8、在一些实现方式中，各第一介质层上分别设置有多个第一凹槽，多个第一凹槽在对应的第一介质层上间隔分布。

9、在一些实现方式中，在第一介质层中，多个第一凹槽沿第二方向间隔分布，各第一凹槽的长度方向为第三方向，第一方向、第二方向和第三方向两两垂直。

10、在一些实现方式中，在第一介质层中，多个第一凹槽呈阵列状分布。

11、在一些实现方式中，第一凹槽在第一介质层上沿第一方向的投影为圆形。

12、在一些实现方式中，相邻的两个第一介质层中设置的电容单元在第一方向上一一正对设置，且在第一方向上相邻的两个电容单元电连接。

13、在一些实现方式中，电容器还包括第二介质层，每两个相邻的第一介质层之间设置有一个第二介质层，电容单元的部分位于第二介质层内，位于两个第二介质层之间的第一介质层上设置有第一导通区，各第二介质层上设置有第二导通区，第二导通区与第一导通区连通，第一导通区设置有第一导电体，第二导通区设置有第二导电体，第一导电体与电容单元电连接，第二导电体与相邻的两个第一导电体电连接。

14、在一些实现方式中，电容单元包括多个电极层，相邻的电极层之间设置有第三介质层，多个电极层包括至少一个第一电极层和至少一个第二电极层，第一电极层和第二电极层的极性相反，在第一方向上相邻电容单元之间的第一电极层连接，且在第一方向上相邻电容单元中的第二电极层电连接。

15、在一些实现方式中，衬底层设置有第二凹槽，与衬底层相邻的第一介质层的部分位于第二凹槽内，第一凹槽位于第二凹槽内。

16、本申请第二方面提供一种电子设备，包括如上述任一技术方案提供的电容器。

17、通过上述技术方案，由于电子设备包括上述电容器，因此至少具备电容器的所有有益效果，在此不再赘述。

18、本申请第三方面提供一种电容器的制造方法，包括：

19、提供一衬底层；

20、制备第一介质层，以使得第一介质层具有第一凹槽，第一介质层位于衬底层在第一方向的一侧；

21、在第一介质层上制备电容单元，使得电容单元的至少部分位于第一凹槽内；

22、重复上述制备第一介质层，在第一介质层上形成第一凹槽，以及在第一介质层上制备电容单元的步骤，直至第一介质层的数量达到设定值；并使得在第一方向上正对设置的两个电容单元电连接。

23、本申请提供的电容器的制造方法制造出的电容器，通过在衬底层的一侧设置多个第一介质层，各介质层上均设置有第一凹槽，第一凹槽内设置有电容单元，由于第一介质层的数量为多个，因此电容单元的数量至少为多个，如此，增大了电容器在单位面积上电极层的数量，使得电容器的电容密度增大，进而使得电容器的电容量也相应增大。同时，由于各第一介质层上分别设置有第一凹槽，电容单元的至少部分结构位于第一凹槽内，因此使得第一介质层与电容单元的总厚度减小，从而使得电容器的整体厚度相对较小的情况下提高了电容器的电容密度。

24、在一些实现方式中，在第一介质层远离衬底层的一侧制备另一第一介质层之前，方法还包括：

25、在第一介质层远离衬底层的一侧制备第二介质层，第二介质层包覆在电容单元位于第一凹槽外的区域外侧；

26、在第二介质层上形成第二导通区；

27、在第二导通区形成第二导电体，第二导电体与第二介质层内的电容单元电连接；

28、位于第二介质层远离衬底层一侧的第一介质层的制备方法还包括：

29、在第一介质层上形成第一导通区，第一导通区与第二导通区连通；

30、在第一导通区内形成第一导电体，第一导电体与第二导电体电连接。

技术特征：

1.一种电容器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各所述第一介质层上分别设置有多个所述第一凹槽，多个所述第一凹槽在对应的所述第一介质层上间隔分布。

3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，在所述第一介质层中，多个所述第一凹槽沿第二方向间隔分布，各所述第一凹槽的长度方向为第三方向，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两垂直。

4.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，在所述第一介质层中，多个所述第一凹槽呈阵列状分布。

5.如权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述第一凹槽在所述第一介质层上沿所述第一方向的投影为圆形。

6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，相邻的两个所述第一介质层中设置的电容单元在所述第一方向上一一正对设置，且在所述第一方向上相邻的两个所述电容单元电连接。

7.如权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括第二介质层，每两个相邻的所述第一介质层之间设置有一个所述第二介质层，所述电容单元的部分位于所述第二介质层内，位于两个所述第二介质层之间的所述第一介质层上设置有第一导通区，各所述第二介质层上设置有第二导通区，所述第二导通区与所述第一导通区连通，所述第一导通区设置有第一导电体，所述第二导通区设置有第二导电体，所述第一导电体与所述电容单元电连接，所述第二导电体与相邻的两个第一导电体电连接。

8.如权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述电容单元包括多个电极层，相邻的所述电极层之间设置有第三介质层，多个所述电极层包括至少一个第一电极层和至少一个第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层的极性相反，在所述第一方向上相邻所述电容单元之间的所述第一电极层连接，且在所述第一方向上相邻所述电容单元中的所述第二电极层电连接。

9.如权利要求1-8任一项所述的电容器，其特征在于，所述衬底层设置有第二凹槽，与所述衬底层相邻的所述第一介质层的部分位于所述第二凹槽内，所述第一凹槽位于所述第二凹槽内。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的电容器。

11.一种电容器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述第一介质层远离所述衬底层的一侧制备另一所述第一介质层之前，所述方法还包括：

技术总结
本申请公开了一种电容器及其制造方法、电子设备，属于电子设备技术领域。所述电容器包括衬底层、第一介质层和电容单元；第一介质层上设置有第一凹槽，第一介质层的数量为多个，多个第一介质层在衬底层上沿第一方向依次布设；电容单元的数量为多个，多个电容单元与多个第一凹槽一一对应设置，电容单元的至少部分位于第一凹槽内，各电容单元电连接。本申请提供的电容器包括多个电容单元，各电容单元分别位于对应的第一凹槽内，从而使得电容器的整体厚度相对较小的情况下提高了电容器的电容密度。

技术研发人员：王者伟,黄松,杨秀娟
受保护的技术使用者：荣耀终端有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27