HDI封装基板的制作方法与流程

本发明涉及nm卡生产，特别涉及一种hdi封装基板的制作方法。

背景技术：

1、随着的生产技术愈发成熟，hdi封装基板的尺寸和厚度得到了较好的控制，hdi封装基板能够应用到中，

2、超微型存储卡(nano memory，nm)卡具有小尺寸、大容量和高速传输的特点，在电子产品行业得到广泛应用。高密度互连(high density interconnector，hdi)封装基板是nm卡的基础。目前，hdi封装基板的插拔手指通过硬金vcp电镀得到，金面光泽度较高，影响nm卡产品的功能。

技术实现思路

1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种hdi封装基板的制作方法，能够降低插拔手指金面的光泽度。

2、第一方面，本发明实施例提供了一种hdi封装基板的制作方法，包括：

3、对芯板基材进行发料烘烤得到内层基板，在所述内层基板进行内层钻孔处理和内层线路制作，其中，所述内层基板包括基板顶层和基板底层；

4、在所述内层基板的外侧压合pp层得到基板外层，其中，所述基板外层包括邦定层和插拔手指层，所述邦定层为压合于所述基板顶层的pp层，所述插拔手指层为压合于所述基板底层的pp层；

5、在所述基板外层进行外层钻孔处理、外层线路制作和防焊处理；

6、在所述基板外层进行电镀镍金，其中，所述电镀镍金包括软金vcp镀镍工艺和手动电镀硬金工艺；

7、进行成型和测试后完成hdi封装基板的制作。

8、根据本发明的一些实施例，所述内层钻孔处理包括：

9、对所述内层基板的底铜进行减铜处理；

10、通过机械钻孔在所述内层基板中钻出多个内层通孔；

11、进行镭射前棕化；

12、在所述内层基板进行激光钻孔得到多个内层埋孔，其中，所述内层埋孔位于所述基板顶层或者基板底层，所述内层埋孔的形状为x形，所述内层埋孔的开口直径大于腰中孔径。

13、根据本发明的一些实施例，所述内层线路制作包括：

14、对所述内层基板依次进行desmear、整平、pth、镀铜填孔、烘烤、中粗化压膜；

15、基于预设的内层线路图形和内层线路参数，在所述基板顶层和所述基板底层分别进行内层线路曝光，其中，所述内层线路参数包括内层最小线距和内层最小孔环；

16、对所述内层基板依次进行内层线路des和内层aoi。

17、根据本发明的一些实施例，所述外层钻孔处理包括：

18、依次进行打靶、捞边、减铜、棕化；

19、在所述基板外层进行激光钻孔得到多个外层盲孔，其中，所述邦定层的所述外层盲孔的孔底位于所述基板顶层，所述插拔手指层的所述外层盲孔的孔底位于所述基板底层，所述外层盲孔的孔口直径大于孔底直径；

20、对所述外层盲孔进行钻孔iqc后，依次进行plasma、整平、外层盲孔aoi；

21、在所述基板外层通过机械钻孔得到多个外层通孔后，依次进行desmear、pth、镀铜填孔和烘烤。

22、根据本发明的一些实施例，所述外层线路制作包括：

23、在所述基板外层进行中粗化压膜；

24、基于预设的外层线路图形和线路参数，在所述邦定层和所述插拔手指层进行外层线路曝光，其中，所述邦定层和所述插拔手指层的线路参数包括外层最小线宽、外层最小线距和外层最小孔环，所述邦定层的所述线路参数还包括最小邦定宽和最小邦定距；

25、在所述基板外层进行外层线路des和外层aoi。

26、根据本发明的一些实施例，所述防焊处理包括：

27、在所述基板外层进行防焊超粗化前处理；

28、在所述邦定层和所述插拔手指层丝印防焊油墨，其中，所述邦定层的所述防焊油墨的厚度小于所述插拔手指层的所述防焊油墨的厚度，所述邦定层和所述插拔手指层的所述防焊油墨的厚度差满足预设的油墨厚度比；

29、依次进行防焊真空压平、防焊曝光、防焊显影、防焊烘烤、防焊uv。

30、根据本发明的一些实施例，所述软金vcp镀镍工艺包括：

31、对所述基板外层依次进行apd酸洗压膜、apd负片菲林曝光和apd显影；

32、完成软金前处理后，在所述基板外层依次进行除油、微蚀、镍酸洗；

33、使用软金药水在所述基板外层进行软金vcp镀镍，其中，所述邦定层和所述插拔手指层的镍层厚度相同，所述邦定层和所述插拔手指层的软金厚度相同。

34、根据本发明的一些实施例，所述手动电镀硬金工艺包括：

35、对所述基板外层依次进行apd退膜、apd酸洗压膜、apd正片菲林曝光和apd显影；

36、对所述基板外层依次进行电镍前喷砂、电镍前处理和酸洗；

37、使用硬金药水在所述基板外层进行电镀硬金。

38、根据本发明的一些实施例，在所述基板外层进行电镀硬金之后，还依次包括：镀金去膜和镀金碱性蚀刻。

39、根据本发明的一些实施例，所述软金药水的成分包括氨基磺酸镍、三氯化镍和硼酸，所述硬金药水的成分包括金盐、添加剂、校正液和钴校正液。

40、根据本发明实施例的hdi封装基板的制作方法，至少具有如下有益效果：对芯板基材进行发料烘烤得到内层基板，在内层基板进行内层钻孔处理和内层线路制作，内层基板包括基板顶层和基板底层；在内层基板的外侧压合pp层得到基板外层，基板外层包括邦定层和插拔手指层，邦定层为压合于基板顶层的pp层，插拔手指层为压合于基板底层的pp层；在基板外层进行外层钻孔处理、外层线路制作和防焊处理；在基板外层进行电镀镍金，电镀镍金包括软金vcp镀镍工艺和手动电镀硬金工艺；进行成型和测试后完成hdi封装基板的制作。根据本实施例的技术方案，能够利用光泽度较低的软金vcp镀镍取代硬金vcp镀镍，降低了插拔手指层的金面光泽度，提高hdi封装基板的可靠性。

技术特征：

1.一种hdi封装基板的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，所述内层钻孔处理包括：

3.根据权利要求2所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，所述内层线路制作包括：

4.根据权利要求1所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，所述外层钻孔处理包括：

5.根据权利要求4所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，所述外层线路制作包括：

6.根据权利要求5所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，所述防焊处理包括：

7.根据权利要求1所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，所述软金vcp镀镍工艺包括：

8.根据权利要求7所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，所述手动电镀硬金工艺包括：

9.根据权利要求8所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，在所述基板外层进行电镀硬金之后，还依次包括：镀金去膜和镀金碱性蚀刻。

10.根据权利要求8所述的hdi封装基板的制作方法，其特征在于，所述软金药水的成分包括氨基磺酸镍、三氯化镍和硼酸，所述硬金药水的成分包括金盐、添加剂、校正液和钴校正液。

技术总结
本发明提出了HDI封装基板的制作方法，该方法包括：对芯板基材进行发料烘烤得到内层基板，在内层基板进行内层钻孔处理和内层线路制作，内层基板包括基板顶层和基板底层；在内层基板的外侧压合PP层得到基板外层，基板外层包括邦定层和插拔手指层，邦定层为压合于基板顶层的PP层，插拔手指层为压合于基板底层的PP层；在基板外层进行外层钻孔处理、外层线路制作和防焊处理；在基板外层进行电镀镍金，电镀镍金包括软金VCP镀镍工艺和手动电镀硬金工艺；进行成型和测试后完成HDI封装基板的制作。根据本实施例的技术方案，能够利用光泽度较低的软金VCP镀镍取代硬金VCP镀镍，降低了插拔手指层的金面光泽度，提高HDI封装基板的可靠性。

技术研发人员：岳长来
受保护的技术使用者：深圳和美精艺半导体科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/6