发光器件和显示装置的制作方法

本公开属于显示，具体涉及一种发光器件和显示装置。

背景技术：

1、近年来，随着显示技术的进步，人们对显示设备的各种性能也要求越来越高，例如有机电致发光二极管(organic light-emitting diode，oled)由于其轻薄、自发光、相应速度快等特点，本广泛应用于显示领域。

2、发光器件一般包括阳极、阴极和发光层，其发光原理为利用阳极产生的空穴与阴极产生的电子在发光层复合形成激子(如单线态激子和三线态激子)，从而通过激子辐射跃迁进行发光。oled显示面板的发光方式主要分为两种，分别是磷光方式和荧光方式。磷光发光方式相比荧光发光方式内量子效率(iqe)更优，因此，磷光器件在效率上具有很大的优势。目前量产的红光和绿光器件也主要都是磷光oled器件。但是，对于蓝色磷光器件，由于磷光蓝色掺杂剂(blue dopant，bd)的三线态能级较高，这就需要有更高三线态能级的主体材料；又因为激子能量高会导致分子键断裂，器件寿命降低。因此，蓝色磷光器件很难实现量产。

技术实现思路

1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种发光器件和显示装置。

2、第一方面，解决本公开技术问题所采用的技术方案是一种发光器件，其包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层，所述发光功能层至少包括发光层；

3、所述发光层的材料至少包括主体材料和第一掺杂材料；所述第一掺杂材料的结构通式(一)如下：

4、

5、其中，所述结构通式(一)中的所述l1、所述l2、所述l3中的任意一者或两者可被取消，且在所述结构通式(一)包含所述l1时，l1独立地表示为结构通式(二)、烷基、芳香族碳氢化合物、包含杂原子的芳香族碳氢化合物、烷烃基化合物中的任意一种；在所述结构通式(一)包含所述l2时，l2独立地表示为经取代或未取代的三甲基硅烷、烷基、芳香族碳氢化合物、包含杂原子的芳香族碳氢化合物、烷烃基化合物中的任意一种；在所述结构通式(一)包含所述l3时，l3独立地表示为经取代或未取代的三甲基硅烷、结构通式(二)、结构通式(三)、烷基、芳香族碳氢化合物、包含杂原子的芳香族碳氢化合物、烷烃基化合物中的任意一种；所述结构通式(一)中的3个r中的任意一个均可被取消，且在所述结构通式(一)包含所述r时，r独立地表示为烷基、芳香族碳氢化合物、包含杂原子的芳香族碳氢化合物、烷烃基化合物中的任意一种；

6、所述结构通式(一)中所包含的经取代或未取代的三甲基硅烷的数量不少于2个；

7、结构通式(二)：

8、其中，*表示连接结构通式(一)的位置；所述结构通式(二)中的6个r1中的任意一个均可被取消，且在所述结构通式(二)包含所述r1时，r1独立地表示为烷基、芳香族碳氢化合物、包含杂原子的芳香族碳氢化合物、烷烃基化合物中的任意一种；

9、结构通式(三)：

10、其中，*表示连接结构通式(一)的位置；所述结构通式(三)中的7个r1中的任意一个均可被取消，且在所述结构通式(三)包含所述r1时，r1独立地表示为烷基、芳香族碳氢化合物、包含杂原子的芳香族碳氢化合物、烷烃基化合物中的任意一种。

11、在一些实施例中，所述未取代的三甲基硅烷的结构如下：

12、

13、所述经取代的三甲基硅烷的结构如下：

14、

15、在一些实施例中，所述第一掺杂材料的三线态能级t1≥2.50ev。在一些实施例中，所述第一掺杂材料包括以下任意一种结构：

16、

17、

18、在一些实施例中，所述第一掺杂材料的结构通式(一)对应的分子结构，其中至少部分氢原子被氘取代。

19、在一些实施例中，所述主体材料包括p型主体材料或基质材料。

20、在一些实施例中，所述发光层的材料还包括第二掺杂材料；所述第二掺杂材料包括磷光客体材料、磷光bd材料、磷光发光性的化合物中的任意一种。

21、在一些实施例中，所述主体材料和所述第一掺杂材料的总体掺杂质量与所述发光层的质量之间的第一比值在50％～90％之间；所述第二掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第二比值在0～5％之间，且不包括0；所述第一比值与所述第二比值之和为1。

22、在一些实施例中，所述发光层的材料还包括第三掺杂材料；所述第三掺杂材料为荧光客体材料、荧光bd材料、荧光发光性的化合物中的任意一种。

23、在一些实施例中，所述主体材料和所述第一掺杂材料的总体掺杂质量与所述发光层的质量之间的第三比值在50％～90％之间；所述第二掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第四比值在10％～40％之间；所述第三掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第五比值在0～5％之间，且不包括0；所述第三比值、所述第四比值和所述第五比值之和为1。

24、在一些实施例中，所述发光层的材料还包括第四掺杂材料；所述第四掺杂材料包括敏化剂。

25、在一些实施例中，所述主体材料和所述第一掺杂材料的总体掺杂质量与所述发光层的质量之间的第六比值在50％～90％之间；所述第二掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第七比值在10％～40％之间；所述第四掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第八比值在0～5％之间，且不包括0；所述第六比值、所述第七比值和所述第八比值之和为1；或者，

26、所述主体材料和所述第一掺杂材料的总体掺杂质量与所述发光层的质量之间的第六比值在50％～90％之间；所述第四掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第八比值在10％～40％之间；所述第二掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第七比值在0～5％之间，且不包括0；所述第六比值、所述第七比值和所述第八比值之和为1。

27、在一些实施例中，所述发光器件为蓝色发光器件。

28、第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，其包括如第一方面中任一项所述的发光器件。

技术特征：

1.一种发光器件，其包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层，所述发光功能层至少包括发光层；

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述未取代的三甲基硅烷的结构如下：

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一掺杂材料的三线态能级t1≥2.50ev。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光器件，其中，所述第一掺杂材料包括以下任意一种结构：

5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光器件，其中，所述第一掺杂材料的结构通式(一)对应的分子结构，其中至少部分氢原子被氘取代。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述主体材料包括p型主体材料或基质材料。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光层的材料还包括第二掺杂材料；所述第二掺杂材料包括磷光客体材料、磷光bd材料、磷光发光性的化合物中的任意一种。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述主体材料和所述第一掺杂材料的总体掺杂质量与所述发光层的质量之间的第一比值在50％～90％之间；所述第二掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第二比值在0～5％之间，且不包括0；所述第一比值与所述第二比值之和为1。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述发光层的材料还包括第三掺杂材料；所述第三掺杂材料为荧光客体材料、荧光bd材料、荧光发光性的化合物中的任意一种。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述主体材料和所述第一掺杂材料的总体掺杂质量与所述发光层的质量之间的第三比值在50％～90％之间；所述第二掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第四比值在10％～40％之间；所述第三掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第五比值在0～5％之间，且不包括0；所述第三比值、所述第四比值和所述第五比值之和为1。

11.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述发光层的材料还包括第四掺杂材料；所述第四掺杂材料包括敏化剂。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述主体材料和所述第一掺杂材料的总体掺杂质量与所述发光层的质量之间的第六比值在50％～90％之间；所述第二掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第七比值在10％～40％之间；所述第四掺杂材料的掺杂质量与所述发光层的质量之间的第八比值在0～5％之间，且不包括0；所述第六比值、所述第七比值和所述第八比值之和为1；或者，

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件为蓝色发光器件。

14.一种显示装置，其包括如权利要求1～13中任一项所述的发光器件。

技术总结
本公开提供一种发光器件和显示装置，其中，发光器件至少包括第一电极、第二电极和发光层；发光层的材料至少包括主体材料和第一掺杂材料；第一掺杂材料的结构通式(一)如下：结构通式(一)中的L1、L2、L3中的任意一者或两者可被取消，L1独立地表示为结构通式(二)、R中的任意一种；L2独立地表示为经取代或未取代的三甲基硅烷、R中的任意一种；L3独立地表示为经取代或未取代的三甲基硅烷、结构通式(二)、结构通式(三)、R中的任意一种；结构通式(一)中的任意一个R或R1均可被取消，R或R1均各自独立地表示为烷基、芳香族碳氢化合物、包含杂原子的芳香族碳氢化合物、烷烃基化合物中的任意一种；结构通式(二)：结构通式(三)：

技术研发人员：孙猛,刘明丽,李二力,杜小波
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/6