发光器件及显示装置的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及一种发光器件及显示装置。

背景技术：

1、在显示装置之中，有机发光显示装置由于其宽的视角、优异的对比度、以及迅速的响应速度而得到广大客户的青睐。通常，在有机发光显示装置中，发光器件(有机发光元件)布置在基板上，并且发光器件通过自身发射光。但传统的发光器件至少存在以下问题：

2、发光器件在高温条件下持续通电工作的工作电压会大幅增加，工作稳定性较差。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种发光器件及显示装置，用以改善发光器件在高温条件下工作的稳定性较差的问题。

2、而本申请为解决上述技术问题所采用的技术方案为：

3、第一方面，本申请的实施例提供了一种发光器件，包括：

4、基板；

5、阳极电极，设于所述基板上；

6、阴极电极，与所述阳极电极相对设置，所述阴极电极与所述阳极电极电性相反；

7、至少两个发光叠层，设于所述阳极电极和所述阴极电极之间；

8、至少一个电荷产生复合层，设于两个相邻所述发光叠层之间；

9、其中，所述电荷产生复合层包括至少两个n型电荷产生层和至少一个p型电荷产生层，沿所述阳极电极朝向所述阴极电极的方向，所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层依次设置，并且所述至少两个n型电荷产生层的最低未占据轨道能级沿所述阳极电极朝向所述阴极电极的方向逐级递减，与所述p型电荷产生层相邻的所述n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值小于所述p型电荷产生层的最高已占据轨道能级的绝对值。

10、在本申请的部分实施例中，所述电荷产生复合层包括第一n型电荷产生层、第二n型电荷产生层以及第一p型电荷产生层，沿所述阳极电极朝向所述阴极电极的方向，所述第一n型电荷产生层、所述第二n型电荷产生层以及所述第一p型电荷产生层依次层叠设置，所述第二n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值位于所述第一n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值和所述第一p型电荷产生层的最高已占据轨道能级的绝对值之间。

11、在本申请的部分实施例中，所述第一n型电荷产生层的最低未占据轨道能级与所述第二n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的差值的绝对值不小于0.05ev。

12、在本申请的部分实施例中，所述第一n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值不大于3.0ev；所述第二n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值不小于3.5ev且不大于4.5ev；所述第一p型电荷产生层的最高已占据轨道能级的绝对值大于4.5ev且不大于6.5ev。

13、在本申请的部分实施例中，所述n型电荷产生层包括至少一种具有电子传输能力的有机材料和至少一种掺杂材料，且所有的所述n型电荷产生层所包括的所述有机材料和所述掺杂材料均相同。

14、在本申请的部分实施例中，所述n型电荷产生层的掺杂浓度范围为0至10％。

15、在本申请的部分实施例中，相邻的两个所述n型电荷产生层中的靠近阴极电极的n型电荷产生层的掺杂浓度与靠近所述阳极电极的n型电荷产生层的掺杂浓度的比值范围在0至0.8。

16、在本申请的部分实施例中，位于最靠近所述阳极电极的n型电荷产生层与p型电荷产生层之间的n型电荷产生层的厚度范围为0.5至20nm。

17、在本申请的部分实施例中，所述发光叠层包括第一叠层和第二叠层，所述第一叠层设于所述阳极电极上，所述第二叠层设于所述阴极电极并与所述第一叠层相对设置，所述电荷产生复合层位于所述第一叠层和所述第二叠层之间；

18、所述第一叠层包括沿所述阳极电极朝向所述阴极电极的方向依次层叠设置的空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、第一空穴阻挡层以及第一电子传输层；

19、所述第二叠层包括沿所述阴极电极朝向所述阳极电极的方向依次层叠设置的电子注入层、第二电子传输层、第二空穴阻挡层、第二发光层、第二电子阻挡层、第二空穴传输层；

20、所述电荷产生复合层位于所述第一电子传输层和所述第二空穴传输层之间。

21、第二方面，本申请的实施例提供了一种显示装置，包括如第一方面所述的发光器件。

22、综上，由于采用了上述技术方案，本申请至少包括如下有益效果：

23、本申请的实施例提供了一种发光器件及显示装置，其主要是通过设置至少两层n型电荷产生层和一层p型电荷产生层，并通过设置至少两个n型电荷产生层之间的能级关系以及n型电荷产生层与p型电荷产生层之间的能级关系，有效降低相邻层之间的势垒，从而达到降低发光器件的工作电压，改善电荷产生复合层界面劣化导致发光器件高温工作不稳定的问题。详细地说，主要是通过将电荷产生复合层设计为包括至少两个n型电荷产生层和至少一个p型电荷产生层，n型电荷产生层和p型电荷产生层依次设置且至少两个n型电荷产生层沿阳极电极朝向阴极电极的方向的最低未占据轨道能级逐级递减，与p型电荷产生层相邻的n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值小于p型电荷产生层的最高已占据轨道能级的绝对值，使与p型电荷产生层相邻的n型电荷产生层作为过渡层，形成阶梯式能级以促进电子的移动，从而有效抑制n型电荷产生层和p型电荷产生层之间的界面处的电荷积累。此外，可以最小化或抑制发光器件内部的潜在劣化，从而降低驱动电压并增加发光器件的寿命，改善发光器件在高温条件下工作的稳定性。

技术特征：

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电荷产生复合层包括第一n型电荷产生层、第二n型电荷产生层以及第一p型电荷产生层，沿所述阳极电极朝向所述阴极电极的方向，所述第一n型电荷产生层、所述第二n型电荷产生层以及所述第一p型电荷产生层依次层叠设置，所述第二n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值位于所述第一n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值和所述第一p型电荷产生层的最高已占据轨道能级的绝对值之间。

3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一n型电荷产生层的最低未占据轨道能级与所述第二n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的差值的绝对值不小于0.05ev。

4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值不大于3.0ev；所述第二n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值不小于3.5ev且不大于4.5ev；所述第一p型电荷产生层的最高已占据轨道能级的绝对值大于4.5ev且不大于6.5ev。

5.如权利要求1至4任一项所述的发光器件，其特征在于，所述n型电荷产生层包括至少一种具有电子传输能力的有机材料和至少一种掺杂材料，且所有的所述n型电荷产生层所包括的所述有机材料和所述掺杂材料均相同。

6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述n型电荷产生层的掺杂浓度范围为0至10％。

7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，相邻的两个所述n型电荷产生层中的靠近阴极电极的n型电荷产生层的掺杂浓度与靠近所述阳极电极的n型电荷产生层的掺杂浓度的比值范围在0至0.8。

8.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，位于最靠近所述阳极电极的n型电荷产生层与p型电荷产生层之间的n型电荷产生层的厚度范围为0.5至20nm。

9.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光叠层包括第一叠层和第二叠层，所述第一叠层设于所述阳极电极上，所述第二叠层设于所述阴极电极并与所述第一叠层相对设置，所述电荷产生复合层位于所述第一叠层和所述第二叠层之间；

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的发光器件。

技术总结
本申请提供了一种发光器件及显示装置，涉及显示技术领域，用以改善发光器件在高温条件下工作的稳定性较差的问题。该发光器件包括基板；阳极电极，设于基板上；阴极电极，与阳极电极相对设置，阴极电极与阳极电极电性相反；至少两个发光叠层，设于阳极电极和阴极电极之间；至少一个电荷产生复合层，设于两个相邻发光叠层之间；其中，电荷产生复合层包括至少两个n型电荷产生层和至少一个p型电荷产生层，至少两个n型电荷产生层的最低未占据轨道能级沿阳极电极朝向阴极电极的方向逐级递减，与p型电荷产生层相邻的n型电荷产生层的最低未占据轨道能级的绝对值小于p型电荷产生层的最高已占据轨道能级的绝对值。本申请能够提高发光器件的性能。

技术研发人员：吴凯龙
受保护的技术使用者：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/8