一种太阳能电池、太阳能电池组件的制作方法

本发明涉及光伏器件，具体涉及一种太阳能电池、太阳能电池组件。

背景技术：

1、传统异质结太阳能电池（hjt）表面钝化较好，复合较少，因而开路电压较高，这得益于其本征氢化非晶硅层的化学钝化和掺杂非晶硅层的场效应钝化，但非晶硅层对入射光的寄生吸收较强，且正面金属电极还会引起遮光，造成了短路电流的下降，从而无法进一步提升效率。异质结背接触电池（hbc）将发射极和背场均铺设于电池背面，正面仅存在本征钝化层和减反层，使得透光效果大大增加，但该电池背面发射极、背场与透明导电氧化物（tco）层接触较差，导致串联电阻较高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池、太阳能电池组件，所述太阳能电池中具备复合tco层结构，该结构在保证tco层光学性能的前提下，又提高了tco的导电性能，进而得到光电性能更佳的太阳能电池。

2、第一方面，本申请提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次设置的背面本征氢化非晶硅层和掺杂层，所述掺杂层包括交替排列且间隔设置的p型掺杂微晶硅层和n型非掺杂层，所述p型掺杂微晶硅层和所述n型非掺杂层的表面各自独立依次层叠有tco层和金属电极层；其中，所述p型掺杂微晶硅层表面的tco层为复合tco层，所述复合tco层包括第一tco层和第二tco层。所述第一tco层靠近所述p型掺杂微晶硅层，所述第一tco层和所述第二tco层的透光率和电阻率不同。

3、可选地，所述第一tco层的透光率大于所述第二tco层的透光率；所述第一tco层的电阻率大于所述第二tco层的电阻率。

4、可选地，所述复合tco层的厚度为80-120nm。

5、可选地，所述复合tco层还包括第三tco层，所述第一tco层、所述第二tco层和所述第三tco层依次层叠设置。

6、可选地，所述第一tco层的厚度为15-30nm，所述第二tco层的厚度为5-20nm，所述第三tco层的厚度为30-100nm。

7、可选地，所述第一tco层、所述第二tco层和所述第三tco层的厚度之比为（0.15-1）：（0.05-0.67）：1。

8、可选地，所述第一tco层的透光率为85-92%，所述第二tco层的透光率为80-85%，所述第三tco层的透光率为85-92%。

9、可选地，所述第一tco层的电阻率为（3-5）×10-3ω·cm，所述第二tco层的电阻率为8×10-4-3×10-3ω·cm，所述第三tco层的电阻率为（3-5）×10-3ω·cm。

10、可选地，所述第一tco层、所述第二tco层和所述第三tco层各自独立地包括snox、tiox、lifx、mgox、csco3中的一种或几种。

11、可选地，所述第一tco层和所述第三tco层包括snox，其中x为1.75-1.85；所述第二tco层包括snox，其中x为1.6-1.7。

12、可选地，所述n型非掺杂层表面的tco层为第四tco层，所述第四tco层的厚度为80-120nm。

13、可选地，所述第四tco层的透光率为85-92%，电阻率为（3-5）×10-3ω·cm。

14、可选地，所述第四tco层包括snox、tiox、lifx、mgox、csco3中的一种或几种。

15、可选地，所述第四tco层包括snox，其中x为1.75-1.85。

16、可选地，所述n型非掺杂层包括snox、tiox、lifx、mgox、csco3中的一种或几种。

17、可选地，所述n型非掺杂层包括snox，其中x为1.6-1.7。

18、可选地，所述太阳能电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底包括相对设置的背面和正面，所述背面设置的是所述背面本征氢化非晶硅层，所述正面依次层叠有正面绒面、正面本征氢化非晶硅层、减反层，所述正面绒面靠近所述正面。

19、第二方面，本申请提供了一种太阳能电池组件，所述太阳能电池组件包括本申请第一方面所述的太阳能电池。

20、通过上述技术方案，本申请通过在太阳能电池的p型掺杂微晶硅层表面设置复合tco层结构，在不影响光学性能的前提下，提高了复合tco层整体的导电性能，从而提升所述太阳能电池的光电转化效率。

21、本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依次设置的背面本征氢化非晶硅层和掺杂层，所述掺杂层包括交替排列且间隔设置的p型掺杂微晶硅层和n型非掺杂层，所述p型掺杂微晶硅层和所述n型非掺杂层的表面各自独立依次层叠有tco层和金属电极层；其中，所述p型掺杂微晶硅层表面的tco层为复合tco层，所述复合tco层包括第一tco层和第二tco层。所述第一tco层靠近所述p型掺杂微晶硅层，所述第一tco层和所述第二tco层的透光率和电阻率不同。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一tco层的透光率大于所述第二tco层的透光率；所述第一tco层的电阻率大于所述第二tco层的电阻率。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述复合tco层的厚度为80-120nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述复合tco层还包括第三tco层，所述第一tco层、所述第二tco层和所述第三tco层依次层叠设置。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一tco层的厚度为15-30nm，所述第二tco层的厚度为5-20nm，所述第三tco层的厚度为30-100nm。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一tco层、所述第二tco层和所述第三tco层的厚度之比为（0.15-1）：（0.05-0.67）：1。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一tco层的透光率为85-92%，所述第二tco层的透光率为80-85%，所述第三tco层的透光率为85-92%。

8.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一tco层的电阻率为（3-5）×10-3ω·cm，所述第二tco层的电阻率为8×10-4-3×10-3ω·cm，

9.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一tco层、所述第二tco层和所述第三tco层各自独立地包括snox、tiox、lifx、mgox、csco3中的一种或几种。

10.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一tco层和所述第三tco层包括snox，其中x为1.75-1.85；

11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型非掺杂层表面的tco层为第四tco层，所述第四tco层的厚度为80-120nm。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四tco层的透光率为85-92%，电阻率为（3-5）×10-3ω·cm。

13.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四tco层包括snox、tiox、lifx、mgox、csco3中的一种或几种。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四tco层包括snox，其中x为1.75-1.85。

15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型非掺杂层包括snox、tiox、lifx、mgox、csco3中的一种或几种。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型非掺杂层包括snox，其中x为1.6-1.7。

17.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底包括相对设置的背面和正面，所述背面设置的是所述背面本征氢化非晶硅层，所述正面依次层叠有正面绒面、正面本征氢化非晶硅层、减反层，所述正面绒面靠近所述正面。

18.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括权利要求1-17任意一项所述的太阳能电池。

技术总结
本申请公开了一种太阳能电池、太阳能电池组件，所述太阳能电池包括依次设置的背面本征氢化非晶硅层和掺杂层，所述掺杂层包括交替排列且间隔设置的P型掺杂微晶硅层和N型非掺杂层，所述P型掺杂微晶硅层和所述N型非掺杂层的表面各自独立依次层叠有TCO层和金属电极层；其中，所述P型掺杂微晶硅层表面的TCO层为复合TCO层，所述复合TCO包括第一TCO层和第二TCO层。所述第一TCO层靠近所述P型掺杂微晶硅层，所述第一TCO层和所述第二TCO层的透光率和电阻率不同。上述太阳能电池在保证TCO层光学性能的前提下，提高了导电性能，进而提升电池效率。

技术研发人员：张田,卢俊俭,曹轩,赵志强,向昱任
受保护的技术使用者：比亚迪股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/4/17