一种继电保护采样方法及系统与流程

本发明涉及电力系统，并且更具体地，涉及一种继电保护采样方法及系统。

背景技术：

1、继电保护装置作为电网核心设备，其可靠性对于确保电网安全、稳定运行至关重要。在当前电网数字化和智能化背景下，继电保护装置对所用芯片的计算性能、存储能力、信息通信能力等要求越来越高，芯片制程越来越先进，临界电压越来越低，且运行的软件程序越来越庞大复杂，这使得继电保护装置中存储单元或软件异常的概率增大，装置失效风险增加。

技术实现思路

1、根据本发明，提供了一种基于继电保护采样方法及系统，以解决当前继电保护装置中存储单元或软件异常的概率增大，装置失效风险增加的技术问题。

2、根据本发明的第一个方面，提供了一种继电保护采样方法，包括：

3、确定第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3；

4、根据预先设定的判据判断所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3是否异常；

5、当所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3异常，统计各ad芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各ad芯片进行加固。

6、可选地，根据预先设定的判据判断所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3是否异常，包括：

7、根据以下判据判断所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3是否异常：

8、

9、其中，a1、a2及a3为三个ad芯片分别采集到的采样数据；k为常数，按取0.05-0.1之间。

10、可选地，当所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3异常，统计各ad芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各ad芯片进行加固，包括：

11、统计各ad芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各ad芯片进行加固：平均每年发生数据变位少于1次：若ad3芯片出现错误，则出口判据变为：

12、

13、a3数据仍参与执行运算：但不表决出口，当半年内a3数据均正常则出口判据恢复为默认值；

14、平均每年发生数据变位1-3次：硬件冗余配置；

15、平均每年发生数据变位4-5次：更换供货厂家。

16、可选地，所述ad芯片为单数。

17、根据本发明的另一个方面，还提供了一种继电保护采样系统，包括：

18、确定采样数据模块，用于确定第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3；

19、判断数据异常模块，用于根据预先设定的判据判断所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3是否异常；

20、加固ad芯片模块，当所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3异常，统计各ad芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各ad芯片进行加固。

21、可选地，判断数据异常模块，包括：

22、判断数据异常子模块，用于根据以下判据判断所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3是否异常：

23、其中，a1、a2及a3为三个ad芯片分别采集到的采样数据；k为常数，取0.05-0.1之间。

24、可选地，加固ad芯片模块，包括：

25、加固ad芯片子模块，用于统计各ad芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各ad芯片进行加固：平均每年发生数据变位少于1次：若ad3芯片出现错误，则出口判据变为：

26、

27、a3数据仍参与执行运算：但不表决出口，当半年内a3数据均正常则出口判据恢复为默认值；

28、平均每年发生数据变位1-3次：硬件冗余配置；

29、平均每年发生数据变位4-5次：更换供货厂家。

30、根据本发明的另一个方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于执行上述任一项所述的方法。

31、根据本发明的另一个方面，还提供了一种电子设备，其特征在于，包括：

32、计算机可读存储介质；以及

33、一个或多个处理器，用于执行所述计算机可读存储介质中的程序。

34、根据本发明的另一个方面，还提供了一种继电保护装置，包括：

35、处理器；以及

36、存储器，与所述处理器连接，用于为所述处理器提供处理以下处理步骤的指令：

37、确定第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3；

38、根据预先设定的判据判断所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3是否异常；

39、当所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3异常，统计各ad芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各ad芯片进行加固。

40、从而，通过三个ad芯片采集三路采样数据，根据预先设定的判据判断采样数据是否存在异常，，当存在异常时，统计各ad芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各ad芯片进行加固，可增加采样单元抗单粒子效应能力。

技术特征：

1.一种继电保护采样方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据预先设定的判据判断所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3是否异常，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述第一ad芯片的采样数据a1、第二ad芯片的采样数据a2、第一ad芯片的采样数据a3异常，统计各ad芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各ad芯片进行加固，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ad芯片为单数。

5.一种继电保护采样系统，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，判断数据异常模块，包括：

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，加固ad芯片模块，包括：

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于执行上述权利要求1-4任一项所述的方法。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

10.一种继电保护装置，其特征在于，包括：

技术总结
本发明公开了一种继电保护采样方法及系统。其中，该方法包括：确定第一AD芯片的采样数据A<subgt;1</subgt;、第二AD芯片的采样数据A<subgt;2</subgt;、第一AD芯片的采样数据A<subgt;3</subgt;；根据预先设定的判据判断所述第一AD芯片的采样数据A<subgt;1</subgt;、第二AD芯片的采样数据A<subgt;2</subgt;、第一AD芯片的采样数据A<subgt;3</subgt;是否异常；当所述第一AD芯片的采样数据A<subgt;1</subgt;、第二AD芯片的采样数据A<subgt;2</subgt;、第一AD芯片的采样数据A<subgt;3</subgt;异常，统计各AD芯片的数据异常变位次数，基于所述数据异常变位次数，对各AD芯片进行加固。可增加采样单元抗单粒子效应能力。

技术研发人员：张逸帆,张晓莉,李伟,崔爽,施文,杭天琦,韩强,王惠平,董雪城,张嘉澍,韩际晖,李德建,王于波,张国良,张欣,李娟娟
受保护的技术使用者：中国电力科学研究院有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/20