半导体器件及其制备方法与流程

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术：

1、目前，在薄膜电阻器件的制备过程中，通常需要通过湿法刻蚀工艺在电阻器层上形成接触垫，然后在接触垫上方形成绝缘层，然后图形化绝缘层以形成达到接触垫的通孔并填充金属。

2、一旦接触垫刻蚀过度，后续形成的通孔容易打穿电阻器层，此时测量薄膜电阻的阻值仍然显示正常，无法反馈接触垫刻蚀过度和电阻器层被打穿，产品质量难以有效监测。

3、且由于湿法刻蚀工艺不稳定，不仅存在片内差异，而且存在同批次的片间差异，导致难以通过抽样切片的方式来保证产品质量。

4、因此需要进行改进，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

1、在
技术实现要素：
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、为了至少部分地解决上述问题，根据本发明的第一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，其包括：

3、提供衬底，在所述衬底上形成第一绝缘层；

4、在所述第一绝缘层上形成图案化的第一导电层；

5、在所述第一导电层上形成第二绝缘层；

6、在所述第二绝缘层上形成电阻器层、第一接触垫和第二接触垫，其中，所述第一接触垫和所述第二接触垫均位于所述电阻器层上，且间隔设置；

7、在所述第一接触垫和所述第二接触垫之外的所述电阻器层上、所述第一接触垫上和所述第二接触垫上形成第三绝缘层；

8、图案化所述第三绝缘层，形成第一通孔和第二通孔，并在所述第一通孔和所述第二通孔中填充连接金属，其中，所述第一通孔到达所述第一接触垫，所述第二通孔到达所述第二接触垫；

9、在所述第三绝缘层上方形成间隔设置第一金属块和第二金属块，其中，所述第一金属块与所述第一通孔中填充的所述连接金属接触，所述第二金属块与所述第二通孔中填充的所述连接金属接触。

10、示例性地，所述电阻器层在所述第一导电层上的投影完全地位于所述第一导电层上。

11、示例性地，所述第一导电层包括层叠设置的第一金属层和第一抗反射涂层；

12、所述在所述第一绝缘层上形成图案化的第一导电层，包括；

13、在所述第一绝缘层上形成第一金属层；

14、在所述第一金属层上形成第一抗反射涂层；

15、图案化所述第一抗反射涂层；

16、以所述第一抗反射涂层为掩膜图案化所述第一金属层。

17、示例性地，所述第一接触垫和所述第二接触垫均包括层叠设置的第二导电层和第二抗反射涂层；

18、所述连接金属的底部与所述第二导电层接触。

19、示例性地，所述第一导电层的顶部和所述电阻器层的底部间隔300nm-450nm。

20、示例性地，所述电阻器层的材质包括铬硅、镍硅、氮化钛、钛钨、氮化坦和氮化坦硅中的至少一种；

21、所述第一导电层的材质包括铝或铜；

22、所述第一金属块和所述第二金属块的材质均包括铝或铜；

23、所述连接金属的材质包括钨。

24、根据本发明的第二方面，提供了一种半导体器件，其包括：

25、衬底；

26、第一绝缘层，位于所述衬底上；

27、第一导电层，位于所述第一绝缘层上；

28、第二绝缘层，位于所述第一导电层上；

29、电阻器层，位于所述第二绝缘层上；

30、第一接触垫，位于所述电阻器层上；

31、第二接触垫，位于所述电阻器层上，且与所述第一接触垫间隔设置；

32、第三绝缘层，位于所述第一接触垫和所述第二接触垫之外的所述电阻器层上、所述第一接触垫上和所述第二接触垫上，所述第三绝缘层中具有第一通孔和第二通孔，所述第一接触垫上和所述第二接触垫分别位于所述第一通孔和第二通孔的底部；

33、连接金属，位于所述第一通孔和所述第二通孔中；

34、第一金属块，位于所述第三绝缘层上，且与所述第一通孔中的连接金属的顶部接触；

35、第二金属块，位于所述第三绝缘层上，且与所述第二通孔中的连接金属的顶部接触，其中，所述第二金属块与所述第一金属块间隔设置。

36、示例性地，所述电阻器层在所述第一导电层上的投影完全地位于所述第一导电层上。

37、示例性地，所述第一导电层包括层叠设置的第一金属层和第一抗反射涂层。

38、示例性地，所述第一接触垫和所述第二接触垫均包括层叠设置的第二导电层和第二抗反射涂层；

39、所述连接金属的底部与所述第二导电层接触。

40、示例性地，所述第一导电层的顶部和所述电阻器层的底部间隔300nm-450nm。

41、示例性地，所述电阻器层的材质包括铬硅、镍硅、氮化钛、钛钨、氮化坦和氮化坦硅中的至少一种；

42、所述第一导电层的材质包括铝或铜；

43、所述第一金属块和所述第二金属块的材质均包括铝或铜；

44、所述连接金属的材质包括钨。

45、根据本发明的半导体器件及其制备方法，在电阻器层下方形成第一导电层，一旦接触垫刻蚀过度，后续形成的通孔打穿电阻器层，则该通孔会到达第一导电层，连接金属会同时与电阻器层和导电层接触，致使第一金属块和第二金属块之间的阻值发生显著变化，从而，可以通过检测第一金属块和第二金属块之间的阻值来判断接触垫是否刻蚀过度，电阻器层是否被打穿，进而可以实现产品质量的有效监测，无需通过抽样切片或大量切片的方式对产品质量进行监测。

技术特征：

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，

10.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，

11.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，

12.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，

技术总结
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成图案化的第一导电层；在第一导电层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成电阻器层、第一接触垫和第二接触垫；在第一接触垫和第二接触垫之外的电阻器层上、第一接触垫上和第二接触垫上形成第三绝缘层；图案化第三绝缘层，形成第一通孔和第二通孔，并在第一通孔和第二通孔中填充连接金属，其中，第一通孔到达第一接触垫，第二通孔到达第二接触垫；在第三绝缘层上方形成间隔设置第一金属块和第二金属块。根据本申请制备方法制备的半导体器件，能够有效监测电阻器层是否被打穿，保障产品质量。

技术研发人员：王伟,张文博,李婧,林笛
受保护的技术使用者：芯联集成电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/18