显示基板及电子装置的制作方法

本公开实施例涉及一种显示基板及电子装置。

背景技术：

1、微型oled(micro oled)显示器涉及有机发光二极管(oled)技术和硅基cmos技术的结合，与光电子产业和微电子产业的交叉集成相关，促进了新一代微型显示技术的发展，也推进了硅上有机电子、甚至是硅上分子电子的研究和发展。

2、微型oled(micro oled)显示器具有优秀的显示特性，例如分辨率高、亮度高、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快、功耗低等，具有广阔的发展前景。

技术实现思路

1、本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的介质层、以及位于所述介质层远离所述衬底基板一侧且依次层叠的第一电极层、像素界定层、有机功能层和第二电极层。所述衬底基板包括相邻的第一子像素区和第二子像素区，所述第一电极层包括位于所述第一子像素区的第一电极和位于所述第二子像素区的第二电极。所述第一电极和所述第二电极之间存在间隔，所述介质层对应所述间隔的部分包括第一凹槽，所述间隔暴露所述第一凹槽，所述第二电极层在对应所述第一凹槽处包括凹陷结构；所述像素界定层覆盖所述第一凹槽并形成第二凹槽；所述显示基板具有与所述衬底基板垂直的截面，所述凹陷结构包括位于所述截面的第一凹陷点和第二凹陷点，所述第一凹陷点和所述第二凹陷点在所述衬底基板上的正投影均位于所述第二凹槽在所述衬底基板上的正投影内；在所述截面内且在平行于所述衬底基板板面的第一方向上，所述第二凹槽靠近所述第一电极的第一侧表面与所述第一电极靠近所述第一凹槽的第一电极边缘之间的距离l1大于所述第一凹陷点与所述第二凹槽的第一侧表面之间的距离l2。

2、在一些示例中，所述像素界定层包括第一开口区和第二开口区以及位于所述第一开口区和所述第二开口区之间的像素界定部，所述第一开口区暴露所述第一电极的至少部分，所述第二开口区暴露所述第二电极的至少部分，所述像素界定部覆盖所述第一凹槽以及所述第一电极和所述第二电极的一部分；所述第一电极包括远离所述衬底基板的第一表面，在所述截面内且在所述第一方向上，所述像素界定部位于所述第一电极的第一表面上的部分的长度为l3，l3小于l1。

3、在一些示例中，所述第一电极还包括远离所述衬底基板的第二表面，所述第一电极的第二表面相较于所述第一表面更靠近所述衬底基板，在所述截面内且在所述第一方向上，所述像素界定部位于所述第一电极的第二表面上的部分的长度为l4，l2小于l4。

4、在一些示例中，l3小于l4。

5、在一些示例中，所述第一电极包括层叠的第一子电极和第二子电极，所述第二子电极位于所述第一子电极远离所述介质层的一侧；所述第二子电极包覆第一子电极的侧表面并与所述介质层接触形成所述第一电极的所述第二表面。

6、在一些示例中，在所述截面内且在所述第一方向上，所述像素界定部位于所述第二凹槽的第一侧表面靠近所述第一电极一侧的部分的长度为y1，且所述第二凹槽的最大长度为l5；y1大于l5。

7、在一些示例中，所述第一凹陷点与所述第二凹陷点在所述第一方向上的距离小于y1。

8、在一些示例中，所述像素界定层包括远离衬底基板的第一表面，所述像素界定层的第一表面包括对应于所述第一电极边缘的第一斜面以及与所述第一侧表面连接的第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面在所述截面内的形状均包括曲面；所述像素界定层的第一表面还包括位于所述第一斜面与所述第二斜面之间的连接表面，所述连接表面的至少部分为平面。

9、在一些示例中，所述连接表面在所述截面内的长度与l1的比值大于1/3。

10、在一些示例中，所述第二电极层包括凸起部，所述凸起部与所述第一电极在垂直于所述衬底基板的方向至少部分重叠；所述凸起部在所述截面内具有第一凸起点，所述第一凸起点的凸起高度大于所述第二电极层的平均厚度。

11、在一些示例中，所述第一凹陷点与所述第二凹陷点与所述衬底基板的距离不同；所述凹陷结构还包括位于所述截面内的第二凸起点，所述第二凸起点位于所述第一凹陷点和所述第二凹陷点之间，所述第二凸起点到所述衬底基板的距离分别大于所述第一凹陷点及所述第二凹陷点到所述衬底基板的距离；所述第二凸起点与所述第一凹陷点及所述第二凹陷点的高度差的较大值为△h。

12、在一些示例中，△h大于所述第一凹陷点和所述第二凹陷点的高度差。

13、在一些示例中，△h大于所述第二电极层的平均厚度。

14、在一些示例中，△h大于所述第一凸起点的凸起高度。

15、在一些示例中，所述第二凹槽包括位于所述截面内的第三凸起点，所述第三凸起点位于所述第一凹陷点和所述第二凹陷点之间。

16、在一些示例中，所述第三凸起点的曲率小于所述第一凸起点的曲率。

17、在一些示例中，在所述截面内，所述第二凹槽在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大尺寸与在所述第一方向上的最大尺寸的比值小于或等于0.5。

18、在一些示例中，在所述截面内且在所述第一方向上，所述第一电极的长度为f1，f1与l1的比值范围为：8-20。

19、在一些示例中，所述第一凹陷点与所述第二凹陷点在所述第一方向上的距离为y2；l1与y2的比值大于1/2。

20、本公开至少一实施例还提供一种电子装置，包括以上任一实施例提供的显示基板。

技术特征：

1.一种显示基板，包括：

2.如权利要求1所述的显示基板，其中，在所述截面内且在所述第一方向上，所述第二凹槽的最大长度为l5；y1大于l5。

3.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二电极层包括凸起部，所述凸起部与所述第一电极在垂直于所述衬底基板的方向至少部分重叠。

4.如权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，所述第一凹陷点与所述第二凹陷点与所述衬底基板的距离不同；所述凹陷结构还包括位于所述截面内的第二凸起点，所述第二凸起点位于所述第一凹陷点和所述第二凹陷点之间，所述第二凸起点到所述衬底基板的距离分别大于所述第一凹陷点及所述第二凹陷点到所述衬底基板的距离；

5.如权利要求4所述的显示基板，其中，△h大于所述第一凹陷点和所述第二凹陷点的高度差。

6.如权利要求4所述的显示基板，其中，△h大于所述第二电极层的平均厚度。

7.如权利要求4所述的显示基板，其中，所述第二电极层包括凸起部，所述凸起部与所述第一电极在垂直于所述衬底基板的方向至少部分重叠；

8.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二凹槽包括位于所述截面内的第三凸起点，所述第三凸起点位于所述第一凹陷点和所述第二凹陷点之间。

9.如权利要求7所述的显示基板，其中，所述第三凸起点的曲率小于所述第一凸起点的曲率。

10.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二电极层在所述第二凹陷点处的角度相较于在所述第一凹陷点处的角度更尖锐。

11.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的纵横比小于0.5。

12.如权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，在所述截面内且在平行于所述衬底基板板面的第一方向上，所述第二凹槽靠近所述第一电极的第一侧表面与所述第一电极靠近所述第一凹槽的第一电极边缘之间的距离l1大于所述第一凹陷点与所述第二凹槽的第一侧表面之间的距离l2。

13.如权利要求12所述的显示基板，其中，所述像素界定层包括第一开口区和第二开口区以及位于所述第一开口区和所述第二开口区之间的像素界定部，所述第一开口区暴露所述第一电极的至少部分，所述第二开口区暴露所述第二电极的至少部分，所述像素界定部覆盖所述第一凹槽以及所述第一电极和所述第二电极的一部分；

14.如权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，所述第一电极包括远离所述衬底基板的第一表面，所述第一电极还包括远离所述衬底基板的第二表面，所述第一电极的第二表面相较于所述第一表面更靠近所述衬底基板，

15.如权利要求14所述的显示基板，其中，l3小于l4。

16.如权利要求14所述的显示基板，其中，所述第一电极包括层叠的第一子电极和第二子电极，所述第二子电极位于所述第一子电极远离所述介质层的一侧；

17.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一凹陷点与所述第二凹陷点在所述第一方向上的距离小于y1。

18.如权利要求1所述的显示基板，其中，

19.如权利要求18所述的显示基板，其中，所述连接表面在所述截面内的长度与l1的比值大于1/3。

20.一种电子装置，包括如权利要求1-19任一所述的显示基板。

技术总结
一种显示基板及电子装置。该显示基板包括衬底基板、位于该衬底基板上的介质层、像素界定层、第一电极层和第二电极层。该第一电极层包括间隔的第一电极和第二电极。该介质层对应该第一电极和第二电极之间的间隔的部分包括第一凹槽，该间隔暴露该第一凹槽，该第二电极层对应该第一凹槽的部分包括凹陷结构；该像素界定层覆盖该第一凹槽并形成第二凹槽；该显示基板具有与该衬底基板垂直的截面，该凹陷结构包括位于该截面的第一凹陷点和第二凹陷点；在该截面内且在平行于该衬底基板的方向上，该第二凹槽靠近该第一电极的第一侧表面与该第一电极的边缘之间的距离L1大于该第一凹陷点与该第二凹槽的第一侧表面之间的距离L2。该显示基板有助于提高良率。

技术研发人员：杨宗顺,余洪涛,黄冠达,董永发,李世鹏
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/7/4