一种声波谐振器与射频设备的制作方法

本申请涉及谐振器，具体而言，涉及一种声波谐振器与射频设备。

背景技术：

1、目前，声波滤波器凭借小尺寸、高频率、低插损、大带宽等优势一度成为射频滤波器中的最为热门的元件之一。

2、耦合剪切模式作为新的谐振器模态，其在5ghz以上的高频能实现>34％的机电耦合系数k 2，可以用来做saw设计(不悬空设计)，也可以用于baw(悬空)。

3、然而，在耦合剪切模式下，金属电极之间的宽度要求非常窄，因此谐振器的寄生金属电极比较大，导致谐振器q值(品质因数)受限。

4、综上，现有技术中存在声波谐振器的性能较差的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种声波谐振器与射频设备，以解决现有技术中存在的声波谐振器的性能较差的问题。

2、为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

3、一方面，本申请实施例提供了一种声波谐振器，所述声波谐振器包括压电薄膜与多个金属电极，多个金属电极中包括阴极与阳极，每个所述金属电极均包括连接部，且至少一种极性的金属电极包括盖帽部；所述连接部的一端安装于所述压电薄膜上，所述连接部的另一端与所述盖帽部相连；其中，

4、所述连接部与所述压电薄膜相接触的面积小于所述盖帽部的上表面的面积，所述盖帽部的上表面为远离所述压电薄膜一侧的表面，且相邻两个金属电极的中心间距与所述压电薄膜的厚度之比为0.3～4。

5、可选地，包括盖帽部的金属电极的截面为t型。

6、可选地，当多个金属电极均包括盖帽部时，相邻两个金属电极之间存在高度差，且其中一个金属电极的盖帽部位于另一个金属电极的盖帽部的下方。

7、可选地，所述多个金属电极按序间隔排布，且位于奇数位置的所有金属电极的参数一致，位于偶数位置的所有金属电极的参数一致。

8、可选地，所述连接部的宽度小于500nm。

9、可选地，所述声波谐振器还包括电介质层，所述电介质层填充于相邻两个金属电极之间。

10、可选地，所述电介质层为二氧化硅层。

11、可选地，所述连接部与所述盖帽部的总厚度为5～500nm。

12、可选地，所述压电薄膜包括铌酸锂层或钽酸锂层。

13、另一方面，本申请实施例还提供了一种射频设备，所述射频设备包括上述的声波谐振器。

14、相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：

15、本申请提供了一种声波谐振器与射频设备，该声波谐振器包括压电薄膜与多个金属电极，多个金属电极中包括阴极与阳极，每个金属电极均包括连接部，且至少一种极性的金属电极包括盖帽部；连接部的一端安装于压电薄膜上，连接部的另一端与盖帽部相连；其中，连接部与压电薄膜相接触的面积小于盖帽部的上表面的面积，盖帽部的上表面为远离压电薄膜一侧的表面，且相邻两个金属电极的中心间距与压电薄膜的厚度之比为0.3～4。一方面，由于设置了特定的金属电极中心间距与压电薄膜厚度，使得压电层在预设切向下，达到由至少两个压电系数共同作用的耦合模态，改变了电场分布，提高了声波谐振器的性能。另一方面，由于连接部与压电薄膜相接触的面积小于盖帽部的上表面的面积，因此在保证了与压电薄膜接触的区域宽度较窄的基础上，金属电极顶部区域相对较大，增大了截面的导体面积，从而降低了寄生电阻，有效提升了声波谐振器的性能。

16、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振器包括压电薄膜与多个金属电极，多个金属电极中包括阴极与阳极，每个所述金属电极均包括连接部，且至少一种极性的金属电极包括盖帽部；所述连接部的一端安装于所述压电薄膜上，所述连接部的另一端与所述盖帽部相连；其中，

2.如权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，包括盖帽部的金属电极的截面为t型。

3.如权利要求2所述的声波谐振器，其特征在于，当多个金属电极均包括盖帽部时，相邻两个金属电极之间存在高度差，且其中一个金属电极的盖帽部位于另一个金属电极的盖帽部的下方。

4.如权利要求3所述的声波谐振器，其特征在于，所述多个金属电极按序间隔排布，且位于奇数位置的所有金属电极的参数一致，位于偶数位置的所有金属电极的参数一致。

5.如权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述连接部的宽度小于500nm。

6.如权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振器还包括电介质层，所述电介质层填充于相邻两个金属电极之间。

7.如权利要求6所述的声波谐振器，其特征在于，所述电介质层为二氧化硅层。

8.如权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述连接部与所述盖帽部的总厚度为5～500nm。

9.如权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜包括铌酸锂层或钽酸锂层。

10.一种射频设备，其特征在于，所述射频设备包括如权利要求1至9任一项所述的声波谐振器。

技术总结
本申请提供了一种声波谐振器与射频设备，涉及谐振器技术领域。该声波谐振器包括压电薄膜与多个金属电极，多个金属电极中包括阴极与阳极，每个金属电极均包括连接部，且至少一种极性的金属电极包括盖帽部；连接部的一端安装于压电薄膜上，连接部的另一端与盖帽部相连；其中，连接部与压电薄膜相接触的面积小于盖帽部的上表面的面积，盖帽部的上表面为远离压电薄膜一侧的表面，且相邻两个金属电极的中心间距与压电薄膜的厚度之比为0.3～4。本申请提供的声波谐振器与射频设备具有降低了寄生电阻，有效提升了声波谐振器的性能的优点。

技术研发人员：左成杰,何军
受保护的技术使用者：安徽安努奇科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/20