一种高精度低温漂低损耗PSR辅助源控制电路的制作方法

本发明涉及led电源领域，尤其涉及一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路。

背景技术：

1、现在很多led电源的12v原边控制(psr)的辅助源在常温和高低温环境下空载和带载的电压输出精度超过5%，影响灯具厂家的调光性能，不符合客户要求，为了提高辅助源输出电压精度，需加很重的假负载，导致功耗很大，无法满足led电源在调光关断时的功耗小于0.5w。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本技术方案提供一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路。

2、为实现上述目的，本技术方案如下：

3、一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，包括主控单元u1；

4、变压器t1，所述变压器t1具有绕组n1、绕组n2以及绕组n3，所述绕组n1的一端接收电压，另一端与所述主控单元u1的输入端连接，所述绕组n3的一端与三极管q1的集电极连接，所述三极管q1的发射极与输出端正极连接，所述三极管q1的基极与参考单元u3的一端连接，所述参考单元u3的另一端接地，所述参考单元u3的输入端通过电阻r7与输出端负极连接，所述绕组n3的另一端接地。

5、在一些实施例中，所述绕组n3的两端依次设有二极管d3、二极管d4以及电容ec3。

6、在一些实施例中，所述绕组n3的两端还设有电容ec4。

7、在一些实施例中，所述三极管q1的基极与集电极之间设有电阻r6。

8、在一些实施例中，所述三极管q1的发射极还依次通过电阻r8以及电阻r7接地，其中所述电阻r8与电阻r7的共接点与所述参考单元u3的输入端连接，该共接点还与电容c2的一端连接，所述电容c2的另一端与所述三极管q1的基极连接。

9、在一些实施例中，所述三极管q1的发射极还通过电容c3接地。

10、在一些实施例中，所述绕组n2的一端接地，另一端依次通过二极管d2以及电容ec2接地，所述绕组n2的另一端还依次通过电阻r3以及电阻r2接地，所述二极管d2通过二极管d1与所述主控单元u1的vdd端连接；

11、所述电阻r2以及电阻r3的共接点与所述主控单元u1的输出端连接；

12、所述主控单元u1的采样端通过电阻r1接地。

13、在一些实施例中，还包括三极管q2；

14、所述三极管q2的发射极与一电压连接，集电极与所述主控单元u1的vdd端连接，基极通过二极管zd1接地；

15、还包括光耦u2，所述光耦u2的集电极与所述三极管q2的集电极连接，所述光耦u2的发射极通过电阻r4与所述三极管q2的基极连接，所述电阻r4通过电阻r5接地，所述光耦u2的发射极还通过电阻r12与mos管q3的栅极连接，所述mos管q2的源极接地，漏极通过电阻r10与所述主控单元u1的输出端连接；

16、所述光耦u2的发光端负极接地，正极通过电阻r9与调光模组的控制端连接，所述调光模组的调光端接收dim调光信号。

17、本申请有益效果为：

18、采用本申请电路后，psr辅助源不仅能在初次级重空载变化及高低温环境下输出高精度低温漂的12v辅助源，而且能满足led电源在调光关断时的功耗小于0.5w，达到节能的目的。

技术特征：

1.一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，其特征在于，包括主控单元u1；

2.根据权利要求1所述的一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，其特征在于：所述绕组n3的两端依次设有二极管d3、二极管d4以及电容ec3。

3.根据权利要求2所述的一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，其特征在于：所述绕组n3的两端还设有电容ec4。

4.根据权利要求2所述的一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，其特征在于：所述三极管q1的基极与集电极之间设有电阻r6。

5.根据权利要求2所述的一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，其特征在于：所述三极管q1的发射极还依次通过电阻r8以及电阻r7接地，其中所述电阻r8与电阻r7的共接点与所述参考单元u3的输入端连接，该共接点还与电容c2的一端连接，所述电容c2的另一端与所述三极管q1的基极连接。

6.根据权利要求2所述的一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，其特征在于：所述三极管q1的发射极还通过电容c3接地。

7.根据权利要求1所述的一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，其特征在于：所述绕组n2的一端接地，另一端依次通过二极管d2以及电容ec2接地，所述绕组n2的另一端还依次通过电阻r3以及电阻r2接地，所述二极管d2通过二极管d1与所述主控单元u1的vdd端连接；

8.根据权利要求1所述的一种高精度低温漂低损耗psr辅助源控制电路，其特征在于：还包括三极管q2；

技术总结
一种高精度低温漂低损耗PSR辅助源控制电路，其特征在于，包括主控单元U1；变压器T1，所述变压器T1具有绕组N1、绕组N2以及绕组N3，所述绕组N1的一端接收电压，另一端与所述主控单元U1的输入端连接，所述绕组N3的一端与三极管Q1的集电极连接，所述三极管Q1的发射极与输出端正极连接，所述三极管Q1的基极与参考单元U3的一端连接，所述参考单元U3的另一端接地，所述参考单元U3的输入端通过电阻R7与输出端负极连接，所述绕组N3的另一端接地。

技术研发人员：黄辉腾,胡和平,姜虎春,陈浩
受保护的技术使用者：深圳市华浩德电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/10/14