低噪声放大器、射频电路和电子设备的制作方法

本申请涉及射频领域，尤其涉及一种低噪声放大器、射频电路和电子设备。

背景技术：

1、无线通信系统中低噪声放大器（low noise amplifier，lna）是重要组成部件之一，用于对接收的射频信号进行功率放大。由于发射天线与接收天线之间存在耦合关系，在发射时隙即使lna在关闭状态下，发射通道也会耦合一部分功率至lna的输入端，使得lna产生谐波信号，该谐波信号会产生辐射，使得辐射杂散发射（radiated spurious emission，rse）测试超标，不能满足法规需求。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种低噪声放大器、射频电路和电子设备，用于避免lna在关闭状态下产生谐波信号。

2、为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

3、第一方面，提供了一种低噪声放大器，包括：增益电路、保护电路、输入匹配、输出匹配、偏置电路、负载网络、输入端口、输出端口、使能端口、退化电感、偏置电容、电阻；保护电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、开关；输入端口与输入匹配的第一端电连接，输入匹配的第二端与偏置电容的第一端电连接，偏置电容的第二端与电阻的第二端、增益电路的输入端电连接；偏置电路与电阻的第一端电连接，偏置电路还与使能端口电连接；增益电路的输出端与输出端口电连接，增益电路还通过负载网络电连接至电源，增益电路还通过退化电感接地；第一二极管的阴极与第二二极管的阳极电连接，第二二极管的阴极以及第三二极管的阳极接地；第一二极管的阳极和第三二极管的阴极与偏置电容的第一端或第二端电连接；使能端口还与开关的控制端电连接，开关与第一二极管、第二二极管中的至少一个并联；使能端口用于输入使能信号或去使能信号，使能信号用于控制偏置电路向增益电路输出偏置电压和偏置电流，以及，控制开关断开；去使能信号用于控制偏置电路停止向增益电路输出偏置电压和偏置电流，以及，控制开关导通。

4、本申请实施例提供的低噪声放大器，在增益电路的输入端电连接保护电路，保护电路中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极电连接，第二二极管的阴极以及第三二极管的阳极接地；第一二极管的阳极和第三二极管的阴极与增益电路的输入端电连接，开关与第一二极管、所述第二二极管中的至少一个并联。使能端口用于输入使能信号或去使能信号，使能信号用于控制偏置电路向增益电路输出偏置电压和偏置电流，以及，控制开关断开；去使能信号用于控制偏置电路停止向增益电路输出偏置电压和偏置电流，以及，控制开关导通。如果使能端口输入去使能信号，去使能信号控制偏置电路停止向增益电路输出偏置电压和偏置电流，使得lna处于关闭状态。去使能信号控制开关导通，将第一二极管、第二二极管中的至少一个短路，以降低保护电路的开启电压，保护电路更容易对较小的输入功率进行泄放，避免增益电路产生谐波信号，也就避免了lna在关闭状态下产生谐波信号。

5、在一种可能的实施方式中，保护电路还包括反相器，使能端口通过反相器与开关的控制端电连接。保护电路中包括反相器适用于使能信号为高电平，去使能信号为低电平，开关为n型mos管的场景，或者，使能信号为低电平，去使能信号为高电平，开关为p型mos管的场景。

6、在一种可能的实施方式中，使能信号为高电平，去使能信号为低电平，开关为n型mos管。保护电路中包括反相器的一种实施方式。

7、在一种可能的实施方式中，使能信号为低电平，去使能信号为高电平，开关为p型mos管。保护电路中包括反相器的一种实施方式。

8、在一种可能的实施方式中，使能信号为高电平，去使能信号为低电平，开关为p型mos管。保护电路中不包括反相器的一种实施方式。

9、在一种可能的实施方式中，使能信号为低电平，去使能信号为高电平，开关为n型mos管。保护电路中不包括反相器的一种实施方式。

10、第二方面，提供了一种射频电路，包括基带芯片、射频集成电路和如第一方面任一实施方式的低噪声放大器，基带芯片与射频集成电路和低噪声放大器电连接，射频集成电路和低噪声放大器电连接。

11、第三方面，提供了一种电子设备，包括如第二方面所述的射频电路和天线，射频电路与天线电连接。

12、第二方面和第三方面的技术效果参照第一方面及其任一实施方式的技术效果，在此不再重复。

技术特征：

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：增益电路、保护电路、输入匹配、输出匹配、偏置电路、负载网络、输入端口、输出端口、使能端口、退化电感、偏置电容、电阻；所述保护电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、开关；

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述保护电路还包括反相器，所述使能端口通过所述反相器与所述开关的控制端电连接。

3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述使能信号为高电平，所述去使能信号为低电平，所述开关为n型mos管。

4.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述使能信号为低电平，所述去使能信号为高电平，所述开关为p型mos管。

5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述使能信号为高电平，所述去使能信号为低电平，所述开关为p型mos管。

6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述使能信号为低电平，所述去使能信号为高电平，所述开关为n型mos管。

7.一种射频电路，其特征在于，包括基带芯片、射频集成电路和如权利要求1-6任一项所述的低噪声放大器，所述基带芯片与所述射频集成电路和所述低噪声放大器电连接，所述射频集成电路和所述低噪声放大器电连接。

8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求7所述的射频电路和天线，所述射频电路与所述天线电连接。

技术总结
本申请公开了一种低噪声放大器、射频电路和电子设备，涉及射频领域，用于避免LNA在关闭状态下产生谐波信号。LNA中输入端口通过输入匹配和偏置电容与电阻、增益电路的输入端电连接；偏置电路与电阻的第一端和使能端口电连接；第一二极管的阴极与第二二极管的阳极电连接，第二二极管的阴极以及第三二极管的阳极接地；第一二极管的阳极和第三二极管的阴极与偏置电容的任一端电连接；开关与第一二极管、第二二极管中的至少一个并联；使能端口用于输入使能信号或去使能信号，使能信号控制偏置电路向增益电路输出偏置电压和偏置电流，以及，控制开关断开；去使能信号控制偏置电路停止向增益电路输出偏置电压和偏置电流，以及，控制开关导通。

技术研发人员：孙江涛,熊文军,梅征
受保护的技术使用者：荣耀终端有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/10/21