本发明涉及集成电路,尤其涉及一种抗干扰的上电复位电路、低压差线性稳压器、电源管理芯片和数据转换芯片。
背景技术:
1、上电复位(por)电路被广泛应用于各种功能电路。当电源上电或掉电重启时,por电路产生一个por使能信号,对锁存器、寄存器、触发器等具有记忆功能的模块进行初始状态的设定,从而确保电路系统进入正常工作状态。
2、然而,当芯片正常工作时,由于高频噪声的干扰或者负载电流瞬间突然变化很大时,会使电源信号产生向上或者向下的尖峰出现,从而产生误复位信号,影响整个芯片的正常工作。因此,抗干扰能力是por电路性能的1个重要指标。因此,需要一种抗干扰能力强的por电路。
技术实现思路
1、针对现有技术中所存在的不足,本发明提供了一种抗干扰的上电复位电路、低压差线性稳压器、电源管理芯片和数据转换芯片,其解决了现有技术中存在的por电路误复位问题。
2、第一方面,根据本发明的实施例,提供了一种抗干扰的上电复位电路,包括:第一pmos场效应管,其漏极和源极连接到电源电压,其栅极连接到第一节点;第二pmos场效应管,其源极连接到所述电源电压,其漏极连接到第二节点,其栅极连接到偏置电路;第一nmos场效应管,其源极接地,其漏极连接到所述第二节点,其栅极连接到所述第一节点;第二nmos场效应管,其源极接地,其漏极连接到所述第一节点,其栅极连接到输出节点,其中,所述输出节点和所述第二节点之间还串联连接有第一反相器和施密特触发器反相器;并联连接的第三nmos场效应管、第四nmos场效应管和第五nmos场效应管,其栅极均连接到所述参考电压生成电路,所述第三nmos场效应管的漏极连接到所述第一节点,所述第三nmos场效应管的源极连接到所述第四nmos场效应管的漏极,所述第四nmos场效应管的源极连接到所述第五nmos场效应管的漏极,所述第五nmos场效应管的源极接地。
3、根据本发明的实施例,所述偏置电路和所述参考电压生成电路在所述电源电压大于预设阈值工作电压时工作。
4、根据本发明的实施例,所述预设阈值电压是可调节的。
5、根据本发明的实施例,所述偏置电路和所述参考电压生成电路为带隙基准电路。
6、根据本发明的实施例,所述预设阈值工作电压为2v。
7、根据本发明的实施例,所述偏置电压小于所述电源电压与所述第二pmos场效应管的导通电压的差值。
8、根据本发明的实施例,所述偏置电压为1v。
9、第二方面,根据本发明的另一实施例,提供了一种低压差线性稳压器,包括如第一方面所述的一种抗干扰的上电复位电路。
10、第三方面,根据本发明的又一实施例,提供了一种电源管理芯片,包括如第二方面所述的一种低压差线性稳压器。
11、第四方面,根据本发明的又一实施例,提供了一种数据转换芯片,包括数模转换电路或模数转换电路,包括如第一方面所述的一种抗干扰的上电复位电路。
12、本发明的技术原理为:采取了反馈电路,使得输出电压的变化经过反馈电路影响输出电压的生成;采取了基于电源电压生成的偏置电压和参考电压,可以控制por电路的正常工作电压值。当偏置电压和参考电压电路工作时,por电路才复位正常工作,解决了现有复位电路在电源慢速上电时,当电源电压较低时,por就开始复位,造成芯片处于错误工作状态,失去了电路复位功能问题。相比于现有技术,本发明具有如下有益效果:通过采用了反馈电路和基于电源电压的偏置电路和参考电路,在电源上有毛刺波动时,使por输出状态保持不变,具有抗干扰能力强特点,反馈电路结构简单,并且容易控制por电路何时开始工作,工作在相对在一个相对较高的电压值。
1.一种抗干扰的上电复位电路,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的一种抗干扰的上电复位电路,其特征在于,所述偏置电路和所述参考电压生成电路在所述电源电压大于预设阈值工作电压时工作。
3.如权利要求2所述的一种抗干扰的上电复位电路,其特征在于,所述预设阈值工作电压为2v。
4.如权利要求2所述的一种抗干扰的上电复位电路,其特征在于,所述偏置电路和所述参考电压生成电路为带隙基准电路。
5.如权利要求2所述的一种抗干扰的上电复位电路,其特征在于,所述偏置电压小于所述电源电压与所述第二pmos场效应管的导通电压的差值。
6.如权利要求5所述的一种抗干扰的上电复位电路,其特征在于,所述偏置电压为1v。
7.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的一种抗干扰的上电复位电路。
8.一种电源管理芯片,其特征在于,包括权利要求7所述的一种低压差线性稳压器。
9.一种数据转换芯片,包括数模转换电路或模数转换电路,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的一种抗干扰的上电复位电路。