显示装置和制造显示装置的方法与流程

一个或多个实施方式的方面涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术：

1、一般而言，显示装置包括位于基板上的发光二极管和薄膜晶体管，并且通过使发光二极管发射光来操作。发光二极管将电能转换成光能。发光二极管的示例包括发射材料为有机材料的有机发光二极管和发射材料为量子点的量子点发光二极管。

2、例如，显示装置的每个像素可包括发光二极管，其中包括发射层的夹层布置在下电极和上电极之间。显示装置一般通过电连接至下电极的薄膜晶体管来控制每个像素的光的发射或发光程度。包括在发光二极管的夹层中的一些层可共同提供在多个发光二极管中。

3、在该背景技术章节中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且所以在该背景技术章节中讨论的信息不一定构成现有技术。

技术实现思路

1、一个或多个实施方式包括显示装置，该显示装置包括具有高发光效率和长寿命的发光二极管。然而，一个或多个实施方式仅为示例，并且本公开的范围不限于此。

2、另外的方面将部分在随后的描述中陈述并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

3、根据一个或多个实施方式，显示装置包括：各自位于基板上的第一发光二极管和第二发光二极管，第一发光二极管和第二发光二极管发射彼此不同颜色的光，其中第一发光二极管包括：第一下电极；第一无机功能层，位于第一下电极上并且包括无机材料；量子点发射层，位于第一无机功能层上并且包括量子点；第二无机功能层，位于量子点发射层上并且包括无机材料；以及第一上电极，位于第二无机功能层上，其中第二发光二极管包括：第二下电极；第一有机功能层，位于第二下电极上并且包括有机材料；有机发射层，位于第一有机功能层上并且包括有机材料；第二有机功能层，位于有机发射层上并且包括有机材料；以及第二上电极，位于第二有机功能层上，其中第一无机功能层的上表面的水平在第一无机功能层的边缘部分处比在第一无机功能层的中心部分处高，并且第一有机功能层的上表面的水平在第一有机功能层的中心部分处和在第一有机功能层的边缘部分处相同。

4、根据一个或多个实施方式，量子点发射层的上表面的水平在量子点发射层的边缘部分处可比在量子点发射层的中心部分处高，并且有机发射层的上表面的水平在有机发射层的中心部分处和在有机发射层的边缘部分处可相同。

5、根据一个或多个实施方式，第二无机功能层的上表面的水平在第二无机功能层的中心部分处和在第二无机功能层的边缘部分处可相同，并且第二有机功能层的上表面的水平在第二有机功能层的中心部分处和在第二有机功能层的边缘部分处可相同。

6、根据一个或多个实施方式，第一无机功能层可包括氧化钼、氧化钒、氢钼青铜(hydrogen molybdenum bronze)和氢钒青铜(hydrogen vanadium bronze)中的至少一种。

7、根据一个或多个实施方式，第二无机功能层可包括氧化钛、氧化锌、氧化锌镁和氧化锡中的至少一种。

8、根据一个或多个实施方式，第一无机功能层可包括氧化钛、氧化锌、氧化锌镁和氧化锡中的至少一种。

9、根据一个或多个实施方式，第二无机功能层可包括氧化钼、氧化钒、氢钼青铜和氢钒青铜中的至少一种。

10、根据一个或多个实施方式，像素装置可进一步包括位于基板上的像素限定层，该像素限定层覆盖第一下电极和第二下电极中的每一个的边缘，并且包括暴露第一下电极的中心部分的第一开口和暴露第二下电极的中心部分的第二开口。

11、根据一个或多个实施方式，第一无机功能层、量子点发射层和第二无机功能层可布置在像素限定层的第一开口中，并且第一有机功能层、有机发射层和第二有机功能层可布置在像素限定层的第二开口中。

12、根据一个或多个实施方式，第一上电极和第二上电极可一体提供。

13、根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括在基板上形成第一下电极和第二下电极，在第一下电极上进行喷墨印刷工艺以形成包括无机材料的第一无机功能层，在第一无机功能层上进行喷墨印刷工艺以形成包括量子点的量子点发射层，在量子点发射层上进行气相沉积工艺以形成第二无机功能层，在第二下电极上形成包括有机材料的第一有机功能层，在第一有机功能层上形成有机发射层，在有机发射层上形成包括有机材料的第二有机功能层，以及在第二无机功能层和第二有机功能层上形成上电极。

14、根据一个或多个实施方式，第一有机功能层可通过气相沉积工艺形成。

15、根据一个或多个实施方式，第一有机功能层的形成可在第二无机功能层的形成之后进行。

16、根据一个或多个实施方式，有机发射层和第二有机功能层可通过气相沉积工艺形成。

17、根据一个或多个实施方式，第一无机功能层可包括氧化钼、氧化钒、氢钼青铜和氢钒青铜中的至少一种。

18、根据一个或多个实施方式，第二无机功能层可包括氧化钛、氧化锌、氧化锌镁和氧化锡中的至少一种。

19、根据一个或多个实施方式，第一无机功能层可包括氧化钛、氧化锌、氧化锌镁和氧化锡中的至少一种。

20、根据一个或多个实施方式，第二无机功能层可包括氧化钼、氧化钒、氢钼青铜和氢钒青铜中的至少一种。

21、根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法可进一步包括在基板上形成像素限定层，该像素限定层覆盖第一下电极和第二下电极中的每一个的边缘，并且包括暴露第一下电极的中心部分的第一开口和暴露第二下电极的中心部分的第二开口。

22、根据一个或多个实施方式，第一无机功能层、量子点发射层和第二无机功能层可布置在像素限定层的第一开口中，并且第一有机功能层、有机发射层和第二有机功能层可布置在像素限定层的第二开口中。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述量子点发射层的上表面的水平在所述量子点发射层的边缘部分处比在所述量子点发射层的中心部分处高，并且

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二无机功能层的上表面的水平在所述第二无机功能层的中心部分处和在所述第二无机功能层的边缘部分处相同，并且

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一无机功能层包括氧化钼、氧化钒、氢钼青铜和氢钒青铜中的至少一种，并且所述第二无机功能层包括氧化钛、氧化锌、氧化锌镁和氧化锡中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一无机功能层包括氧化钛、氧化锌、氧化锌镁和氧化锡中的至少一种，并且所述第二无机功能层包括氧化钼、氧化钒、氢钼青铜和氢钒青铜中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括位于所述基板上的像素限定层，所述像素限定层覆盖所述第一下电极和所述第二下电极中的每一个的边缘，并且包括暴露所述第一下电极的中心部分的第一开口和暴露所述第二下电极的中心部分的第二开口，

7.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一有机功能层通过所述气相沉积工艺形成。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一无机功能层包括氧化钼、氧化钒、氢钼青铜和氢钒青铜中的至少一种，并且所述第二无机功能层包括氧化钛、氧化锌、氧化锌镁和氧化锡中的至少一种。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一无机功能层包括氧化钛、氧化锌、氧化锌镁和氧化锡中的至少一种，并且所述第二无机功能层包括氧化钼、氧化钒、氢钼青铜和氢钒青铜中的至少一种。

技术总结
本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括第一发光二极管和第二发光二极管，其中第一发光二极管包括第一下电极、第一无机功能层、量子点发射层、第二无机功能层和第一上电极，其中第二发光二极管包括第二下电极、第一有机功能层、有机发射层、第二有机功能层和第二上电极，其中第一无机功能层的上表面的水平在第一无机功能层的边缘部分处比在第一无机功能层的中心部分处高，并且第一有机功能层的上表面的水平在第一有机功能层的中心部分处和在第一有机功能层的边缘部分处相同。

技术研发人员：康东镇
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/27