显示基板及其制备方法、显示装置与流程

文档序号:40519666发布日期:2024-12-31 13:29阅读:20来源:国知局
显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本文涉及但不限于显示,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术:

1、有机发光二极管(oled,organic light emitting diode)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展,以oled为发光元件、由薄膜晶体管(tft,thin film transistor)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。

2、然而,显示产品存在不断扩大的暗点(gds,growing dark spot)的问题。


技术实现思路

1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决显示产品gds的问题。

3、第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,包括:衬底基板、依次设置在所述衬底基板上的驱动结构层、显示结构层和偏光片,所述驱动结构层包括像素驱动电路,所述显示结构层包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、像素定义层、隔离柱、有机发光层和第二电极,所述像素定义层包括多个像素开口,所述像素开口暴露出所述第一电极,所述有机发光层至少设置在所述像素开口内,所述隔离柱位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧,且所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影和所述像素开口在所述衬底基板上的正投影不交叠;所述第一电极与所述像素驱动电路电连接;其中,在平行于所述衬底基板的平面内,至少一个所述隔离柱与所述第二电极之间相互绝缘;或者,相邻的至少两个所述隔离柱之间相互绝缘。

4、一种示例性实施例中,所述至少一个所述隔离柱与所述第二电极之间相互绝缘,包括:至少一个所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影和所述有机发光层在所述衬底基板上的正投影不交叠,且至少一个所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影不交叠。

5、一种示例性实施例中,所述至少一个所述隔离柱与所述第二电极之间相互绝缘,包括:所述显示结构层还包括至少一个绝缘包裹层,所述绝缘包裹层包裹在所述隔离柱的表面,设置为使所述隔离柱与所述第二电极之间相互绝缘。

6、一种示例性实施例中,所述绝缘包裹层的形状与所述隔离柱的形状相同。

7、一种示例性实施例中,所述绝缘包裹层在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

8、一种示例性实施例中,所述相邻的至少两个所述隔离柱之间相互绝缘,包括:所述显示结构层还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的至少一个隔断部,所述有机发光层和所述第二电极覆盖所述隔断部和所述隔离柱,所述隔断部在所述衬底基板上的正投影和所述像素开口在所述衬底基板上的正投影不交叠;在平行于所述衬底基板的平面内,所述隔断部位于相邻的所述隔离柱之间,设置为使自身所在位置处的所述第二电极断开。

9、一种示例性实施例中,多个所述隔离柱在所述衬底基板上呈阵列分布,多个所述隔断部和多个所述隔离柱之间相互间隔设置。

10、第二方面,本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法,包括:在衬底基板上形成驱动结构层,所述驱动结构层包括像素驱动电路;在所述驱动结构层上依次形成第一电极、像素定义层、隔离柱、有机发光层和第二电极;其中,所述第一电极与所述像素驱动电路电连接;所述像素定义层包括多个像素开口,所述像素开口暴露出所述第一电极,所述有机发光层至少设置在所述像素开口内,所述隔离柱位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧,且所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影和所述像素开口在所述衬底基板上的正投影不交叠;在所述第二电极远离所述衬底基板的一侧贴附偏光片;其中,在平行于所述衬底基板的平面内,至少一个所述隔离柱与所述第二电极之间相互绝缘;或者,相邻的至少两个所述隔离柱之间相互绝缘。

11、一种示例性实施例中,在形成所述有机发光层和所述第二电极之前,所述方法还包括:在至少一个所述隔离柱远离所述衬底基板的一侧形成保护层,所述保护层包覆所述隔离柱;在形成所述第二电极之后,所述方法还包括:去除所述保护层,使所述至少一个所述隔离柱与所述第二电极之间相互绝缘。

12、一种示例性实施例中,所述在至少一个所述隔离柱远离所述衬底基板的一侧形成保护层,包括:在至少一个所述隔离柱远离所述衬底基板的一侧利用光刻胶形成所述保护层,在沿远离所述衬底基板的方向上,所述保护层平行于所述衬底基板的横截面的面积逐渐增加。

13、一种示例性实施例中,在形成所述有机发光层和所述第二电极之前,所述方法还包括:在至少一个所述隔离柱远离所述衬底基板的一侧形成绝缘包裹层,所述绝缘包裹层包覆所述隔离柱且与所述隔离柱的形状相同,使所述至少一个所述隔离柱与后续形成的所述第二电极之间相互绝缘。

14、一种示例性实施例中,在形成所述有机发光层和所述第二电极之前,所述方法还包括:在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成至少一个隔断部,所述隔断部在所述衬底基板上的正投影和所述像素开口在所述衬底基板上的正投影不交叠;在平行于所述衬底基板的平面内,所述隔断部位于相邻的所述隔离柱之间,后续形成的所述第二电极在所述隔断部处断开,使相邻的至少两个所述隔离柱之间相互绝缘。

15、一种示例性实施例中,所述隔断部的材料在通电前后的体积不同;在形成所述第二电极后,所述方法还包括:在第一时间段内对所述隔断部进行通电,通过所述隔断部在通电前后的体积变化使所述隔断部所在位置处的所述第二电极断开。

16、一种示例性实施例中,所述隔断部的材料包括掺杂有金属粒子的环氧树脂。

17、第三方面,本公开实施例提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板,或者,包括采用如上制备方法得到的显示基板。

18、本公开实施例提供的显示基板,通过设置至少一个隔离柱与第二电极之间相互绝缘,或者,相邻的至少两个隔离柱之间相互绝缘,切断了隔离柱与第二电极之间的离子传输通道,使得即便偏光片内的碘离子和钾离子等运动到第二电极处,也不会通过多个隔离柱运动到显示区域内部,能够避免显示基板产生gds不良。

19、本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

20、在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。



技术特征:

1.一种显示基板,包括:衬底基板、依次设置在所述衬底基板上的驱动结构层、显示结构层和偏光片,所述驱动结构层包括像素驱动电路,所述显示结构层包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、像素定义层、隔离柱、有机发光层和第二电极,所述像素定义层包括多个像素开口,所述像素开口暴露出所述第一电极,所述有机发光层至少设置在所述像素开口内,所述隔离柱位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧,且所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影和所述像素开口在所述衬底基板上的正投影不交叠;所述第一电极与所述像素驱动电路电连接;

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个所述隔离柱与所述第二电极之间相互绝缘,包括:

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个所述隔离柱与所述第二电极之间相互绝缘,包括:

4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘包裹层的形状与所述隔离柱的形状相同。

5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘包裹层在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述相邻的至少两个所述隔离柱之间相互绝缘,包括:

7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,多个所述隔离柱在所述衬底基板上呈阵列分布,多个所述隔断部和多个所述隔离柱之间相互间隔设置。

8.一种显示基板的制备方法,包括:

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在形成所述有机发光层和所述第二电极之前,所述方法还包括:

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述在至少一个所述隔离柱远离所述衬底基板的一侧形成保护层,包括:

11.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在形成所述有机发光层和所述第二电极之前,所述方法还包括:

12.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在形成所述有机发光层和所述第二电极之前,所述方法还包括:

13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述隔断部的材料在通电前后的体积不同;在形成所述第二电极后,所述方法还包括:

14.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,所述隔断部的材料包括掺杂有金属粒子的环氧树脂。

15.一种显示装置,包括如权利要求1至7中任意一项所述的显示基板,或者,包括采用如权利要求8至14中任意一项制备方法得到的显示基板。


技术总结
显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括衬底基板、依次设置在衬底基板上的驱动结构层、显示结构层和偏光片,驱动结构层包括像素驱动电路,显示结构层包括沿远离衬底基板方向依次设置的第一电极、像素定义层、隔离柱、有机发光层和第二电极,像素定义层包括多个像素开口,像素开口暴露出第一电极,有机发光层至少设置在像素开口内,隔离柱位于像素定义层远离衬底基板的一侧,且隔离柱在衬底基板上的正投影和像素开口在衬底基板上的正投影不交叠;第一电极与像素驱动电路电连接;其中,在平行于衬底基板的平面内,至少一个隔离柱与第二电极之间相互绝缘;或者,相邻的至少两个隔离柱之间相互绝缘。

技术研发人员:杨静,王晶,孙韬,王纯阳
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/30
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