显示面板和显示装置的制作方法

本申请涉及显示，具体涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术：

1、微发光二极管(micro light emitting diode，micro led)具有高亮、高透过率和高对比度的技术优势，近些年越来越受到人们的重视。微发光二极管采用50微米以下的发光二极管(light emitting diode，led)芯片，相比有机发光二极管(organic lightemitting diode，oled)在亮度、透过率和信赖性上更具优势。在显示面板中，薄膜晶体管(thin film transistor，tft)与微发光二极管电连接，以实现薄膜晶体管对微发光二极管的驱动。

2、然而，在传统显示面板正常显示的过程中，电流会流经包括薄膜晶体管和微发光二极管组成的电路。在该电路中，薄膜晶体管分压较高，传统微发光二极管的分压较低，为了保证传统微发光二极管正常发光(达到预设发光亮度)，需要增大显示面板的输入功率，导致显示面板的功耗增加。

3、故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种显示面板和显示装置，可以降低显示面板的功耗。

2、为解决上述问题，本申请的技术方案如下：

3、第一方面，本申请提出了一种显示面板，包括基板和设于所述基板一侧的微发光二极管，所述微发光二极管包括：

4、至少两个发光单元，设于所述基板的一侧，至少两个所述发光单元沿着所述基板的厚度方向堆叠，同一个所述微发光二极管的所述至少两个发光单元的发光颜色相同；和

5、连接结构，设于相邻两个所述发光单元之间，并电连接相邻的两个所述发光单元；

6、其中，所述连接结构包括层叠设置的第一透明导电层和键合层，所述第一透明导电层与相邻的一所述发光单元电连接，所述键合层与相邻的另一所述发光单元电连接，所述键合层与所述第一透明导电层电连接。

7、在本申请的一实施例中，所述连接结构还包括第二透明导电层，所述第二透明导电层设于所述键合层远离所述第一透明导电层的一侧，所述第二透明导电层与所述键合层电连接，所述第二透明导电层与相邻的另一所述发光单元电连接；

8、所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元、所述连接结构以及所述第二发光单元依次层叠设于所述基板上；

9、所述第一发光单元包括n型半导体层，所述n型半导体层与所述第二透明导电层直接接触；

10、所述第二发光单元包括p型半导体层，所述p型半导体层与所述第一透明导电层直接接触。

11、在本申请的一实施例中，所述微发光二极管还包括第一电极和第二电极；

12、所述第一发光单元包括依次层叠的第一半导体层、第一发光层以及第二半导体层，所述第二半导体层为n型半导体层；

13、所述第二发光单元包括依次层叠的第三半导体层、第二发光层以及第四半导体层，所述第三半导体层为p型半导体层；

14、所述第一电极设于所述第一半导体层靠近所述基板的一侧，并与所述第一半导体层电连接；

15、所述第二电极设于所述第四半导体层靠近所述第三半导体层的一侧，并与所述第四半导体层电连接；

16、所述第一半导体层在所述基板上的正投影与所述第二半导体层在所述基板上的正投影至少部分重叠。

17、在本申请的一实施例中，所述第三半导体层在所述基板上的正投影位于所述第一半导体层在所述基板上的正投影的范围内。

18、在本申请的一实施例中，所述第一发光层在所述基板上的正投影与所述第一半导体层在所述基板上的正投影至少部分重叠。

19、在本申请的一实施例中，所述第二发光层在所述基板上的正投影位于所述第一发光层在所述基板上的正投影的范围内。

20、在本申请的一实施例中，所述微发光二极管还包括第三透明导电层，所述第三透明导电层设于所述第一半导体层远离所述第一发光层的一侧，所述第一电极设于所述第三透明导电层远离所述第一半导体层的一侧，所述第三透明导电层电连接所述第一电极和所述第一半导体层。

21、在本申请的一实施例中，所述第一半导体层在所述基板上的正投影位于所述第三透明导电层在所述基板上的正投影的范围内。

22、在本申请的一实施例中，所述微发光二极管还包括第一反射层，所述第一反射层设于所述第三透明导电层远离所述第一半导体层的一侧，并与所述第一电极同层设置；

23、其中，所述第一电极在所述基板上的正投影的面积小于所述第一反射层在所述基板上的正投影的面积。

24、在本申请的一实施例中，所述连接结构还包括第二反射层，所述第二反射层位于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间，并与所述键合层同层设置。

25、在本申请的一实施例中，所述第二反射层在所述基板上的正投影的面积与所述键合层在所述基板上的正投影的面积的比值小于或等于1。

26、在本申请的一实施例中，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层设于所述基板上，所述像素界定层上设置有多个开口；

27、其中，所述微发光二极管设于所述开口内，所述像素界定层围设形成所述开口的侧壁与所述基板的夹角处于30度至60度的范围内，所述像素界定层的材料的反射率大于60％。

28、在本申请的一实施例中，所述微发光二极管包括蓝光微发光二极管以及绿光微发光二极管，所述蓝光微发光二极管和所述绿光微发光二极管设置于所述开口内；

29、所述显示面板还包括量子点转换材料，所述量子点转换材料填充于部分设有蓝光微发光二极管的所述开口内，被配置为吸收蓝光并激发红光。

30、第二方面，本申请提出了一种显示装置，包括显示面板，显示面板包括基板和设于所述基板一侧的微发光二极管，所述微发光二极管包括至少两个发光单元和连接结构；至少两个发光单元设于所述基板的一侧，至少两个所述发光单元沿着所述基板的厚度方向堆叠，同一个所述微发光二极管的所述至少两个发光单元的发光颜色相同；连接结构设于相邻两个所述发光单元之间，并电连接相邻的两个所述发光单元；所述连接结构包括层叠设置的第一透明导电层和键合层，所述第一透明导电层与相邻的一所述发光单元电连接，所述键合层与相邻的另一所述发光单元电连接，所述键合层与所述第一透明导电层电连接。

31、在本申请中，显示面板的微发光二极管包括至少两个发光单元和连接结构，同一个微发光二极管的至少两个发光单元的发光颜色相同，且层叠设置，连接结构用于电连接同一个微发光二极管的相邻两个发光单元。相较于传统的微发光二极管仅包括一个发光单元的结构，本申请的微发光二极管中，至少两个发光单元层叠设置，在不降低显示面板的分辨率的前提下，使得微发光二极管在包括薄膜晶体管的电路中能获得更大比例的分压，无需额外增加显示面板的输入功率来保证微发光二极管的正常发光，降低了显示面板的功耗。

技术特征：

1.一种显示面板，包括基板和设于所述基板一侧的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管包括：

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述连接结构还包括第二透明导电层，所述第二透明导电层设于所述键合层远离所述第一透明导电层的一侧，所述第二透明导电层与所述键合层电连接，所述第二透明导电层与相邻的另一所述发光单元电连接；

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述微发光二极管还包括第一电极和第二电极；

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第三半导体层在所述基板上的正投影位于所述第一半导体层在所述基板上的正投影的范围内。

5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光层在所述基板上的正投影与所述第一半导体层在所述基板上的正投影至少部分重叠。

6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二发光层在所述基板上的正投影位于所述第一发光层在所述基板上的正投影的范围内。

7.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述微发光二极管还包括第三透明导电层，所述第三透明导电层设于所述第一半导体层远离所述第一发光层的一侧，所述第一电极设于所述第三透明导电层远离所述第一半导体层的一侧，所述第三透明导电层电连接所述第一电极和所述第一半导体层。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体层在所述基板上的正投影位于所述第三透明导电层在所述基板上的正投影的范围内。

9.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述微发光二极管还包括第一反射层，所述第一反射层设于所述第三透明导电层远离所述第一半导体层的一侧，并与所述第一电极同层设置；

10.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述连接结构还包括第二反射层，所述第二反射层位于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间，并与所述键合层同层设置。

11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第二反射层在所述基板上的正投影的面积与所述键合层在所述基板上的正投影的面积的比值小于或等于1。

12.如权利要求1-11中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层设于所述基板上，所述像素界定层上设置有多个开口；

13.如权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述微发光二极管包括蓝光微发光二极管以及绿光微发光二极管，所述蓝光微发光二极管和所述绿光微发光二极管设置于所述开口内；

14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-13中任一项所述的显示面板。

技术总结
本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括基板和微发光二极管，微发光二极管包括至少两个发光单元和连接结构；至少两个发光单元沿着基板的厚度方向堆叠，同一个微发光二极管的至少两个发光单元的发光颜色相同；连接结构设于相邻两个发光单元之间，并电连接相邻的两个发光单元；连接结构包括层叠设置的第一透明导电层和键合层，第一透明导电层与相邻的一发光单元电连接，键合层与相邻的另一发光单元电连接，键合层与第一透明导电层电连接。本申请可以降低显示面板的功耗。

技术研发人员：杨勇,刘凡成,查国伟
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/2/5