异质结双极晶体管、制备方法及射频放大器与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种异质结双极晶体管、制备方法及射频放大器。

背景技术：

1、随着异质结双极晶体管技术的发展，对异质结双极晶体管产品高频性能提出了更高的要求，评价异质结双极晶体管高频特性的参数主要有两个，分别是电流增益截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)，二者都与结电容成反比。降低结电容可以有效的提高异质结双极晶体管器件的高频性能。减小结电容的传统方法是直接通过光刻的方法减小基极金属宽度，达到减小结电容的效果；这要求光刻尺寸控制更加精确，会导致光刻制程困难，良率下降。

2、因此，亟需提供一种更优的减小结电容的方案。

技术实现思路

1、因此，为克服现有技术中的至少部分缺陷，本发明实施例提供了一种异质结双极晶体管、制备方法及射频放大器，将基极金属的连接部设置在发射极结构上，可在保证发射极结构原有尺寸的同时减少基极台阶面积，从而减少异质结面积，进而减小结电容，提高异质结双极晶体管的工作频率。

2、本发明的一个实施例提供一种异质结双极晶体管，包括：半导体层，所述半导体层具有第一表面；发射极结构，设置在所述第一表面上；钝化层，覆盖所述发射极结构；基极金属，包括：多个指部，所述多个指部相互间隔地设置在所述第一表面上，且与所述半导体层电连接；连接部，分别与所述多个指部电连接；所述连接部至少一部分位于所述发射极结构远离所述半导体层的一侧之上且通过所述钝化层与所述发射极结构隔离。

3、本发明另一个实施例提供一种异质结双极晶体管的制备方法，包括：提供第一基础结构；所述第一基础结构包括：半导体层，所述半导体层具有第一表面；发射极结构，设置在所述第一表面上；钝化层，所述钝化层覆盖所述发射极结构；基极金属制备步骤：在所述第一基础结构的第一表面一侧形成多个指部，使得所述多个指部与所述半导体层电连接且使得所述发射极结构位于所述多个指部中相邻的指部之间；在所述发射极结构远离所述半导体层的一侧形成连接部，使所述连接部通过所述钝化层与所述发射极结构隔离，并使所述连接部分别连接所述多个指部；所述多个指部和所述连接部构成所述基极金属。

4、本发明实施例还提供一种射频放大器，包括前述实施例所述的异质结双极晶体管。

5、本发明上述实施例至少具有如下一个或多个有益效果：将基极金属的连接部设置在发射极结构之上，并且通过钝化层实现发射极结构与连接部的隔离，保证不会短路，本实施例可在保证发射极结构和基极金属的尺寸相比于常规异质结双极晶体管结构基本不变的情况下减小基极台阶面积，进而降低结电容，提高工作效率。

技术特征：

1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述多个指部沿第一方向平行布置；所述连接部沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸。

3.如权利要求2所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述发射极结构在所述第一表面上的正投影具有在第一方向上相对的第一投影边缘和第二投影边缘，所述连接部在所述第一表面上的正投影位于所述第一投影边缘和所述第二投影边缘之间。

4.如权利要求3所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述连接部在所述第一表面上的正投影到所述第一投影边缘和所述第二投影边缘的距离均大于等于0.2微米。

5.如权利要求2所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述发射极结构具有在所述第一方向上相对的第一端和第二端，所述连接部邻近所述第一端和所述第二端之一设置。

6.如权利要求2所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述连接部具有沿所述第一方向的第一宽度，所述第一宽度大于等于1微米。

7.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述钝化层包括第一子层；所述第一子层覆盖所述第一表面裸露在所述发射极结构外的区域，所述第一子层上具有与所述多个指部一一对应的多个第一开口，所述多个指部分别通过对应的所述第一开口与所述半导体层电连接；所述多个指部中每个指部包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述第一开口内，所述第二部分位于所述第一部分远离所述半导体层的一侧，且所述第二部分延伸至所述第一子层邻近所述第一开口的表面上。

8.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述发射极结构的侧面倾斜于所述第一表面设置。

9.一种异质结双极晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

10.一种射频放大器，其特征在于，所述射频放大器包括如权利要求1-8任意一项所述的异质结双极性晶体管。

技术总结
本发明实施例提供一种异质结双极晶体管，包括：半导体层，所述半导体层具有第一表面；发射极结构，设置在所述第一表面上；钝化层，覆盖所述发射极结构；基极金属，包括：多个指部，所述多个指部相互间隔地设置在所述第一表面上，且与所述半导体层电连接；连接部，分别与所述多个指部电连接；所述连接部位于所述发射极结构远离所述半导体层的一侧且通过所述钝化层与所述发射极结构隔离。本发明实施例提供的异质结双极晶体管、制备方法及射频放大器可在保证发射极结构原有尺寸的同时而减少异质结面积，进而减小结电容，提高异质结双极晶体管的工作频率。

技术研发人员：廖志明,魏鸿基,何湘阳,郭佳衢,何先良
受保护的技术使用者：厦门市三安集成电路有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/10