划裂方法与流程

本公开涉及半导体制造，特别涉及一种划裂方法。

背景技术：

1、随着科技不断发展，消费不断升级，文化娱乐占据家庭消费的比重逐步提高。在日益丰富的家庭娱乐需求之下，大屏显示技术也迎来了一次次突破性革新，从阴极射线管(cathode ray tube，crt)显示器到液晶显示器(liquid crystal display，lcd)。lcd技术也在不断革新，以lcd背光为例，从采用冷阴极荧光灯(cold cathode fluorescent lamp，ccfl)背光模组到采用发光二极管(light emitting diode，led)作为背光模组，色彩效果更加逼真，亮度更高，且能效比更高。

2、led分为倒装led和正装led，倒装led芯片在制造过程中常使用蓝宝石衬底，由于蓝宝石厚度在目前芯片中较厚导致目前划片机功率无法有效使其完全划开，裂片时正面电极产生轻微翘起。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种划裂方法，能够避免电极翘起情况，提高产品良率。所述技术方案如下：

2、本公开至少一实施例提供了一种划裂方法，所述方法适用于具有蓝宝石衬底的倒装发光二极管芯片，所述方法包括：

3、在所述发光二极管芯片远离蓝宝石衬底的一面贴附第一蓝膜，所述蓝宝石衬底的厚度大于220微米；

4、使用双焦点激光器对所述发光二极管芯片的另一面进行划片处理，在所述划片处理过程中，控制所述双焦点激光器射出的激光的两个焦点在所述发光二极管芯片内的距离为35～45μm，且所述两个焦点中距离所述蓝宝石衬底较远的焦点到所述蓝宝石衬底表面距离为105～115μm，且在所述蓝宝石衬底的斜裂面处距离小于非斜裂面处距离4～6μm；

5、采用劈刀角度为70°至80°的劈刀对划片后的所述发光二极管芯片进行裂片。

6、可选地，在所述发光二极管芯片的一面贴附蓝膜，包括：

7、将所述发光二极管芯片放置在底座带有纳米真空孔的机座上，采用真空进行吸附，吸附压力小于或等于-80kpa；

8、在吸附状态下，在所述发光二极管芯片的一面贴附所述第一蓝膜。

9、可选地，所述第一蓝膜的粘度小于或等于0.3n/20mm，所述第一蓝膜的直径为255～260mm。

10、可选地，划片处理时，所述非斜裂面的激光频率为45～55hz，划片速度为190～210mm/s；所述斜裂面的激光频率为45～55hz，划片速度为290～310mm/s。

11、可选地，所述双焦点激光器的功率控制能够使每一道划片道在1～3s内划开，使所述激光照射到所述发光二极管芯片上的线条波动范围为-1μm至1μm。

12、可选地，裂片时，采用裂片调试情况下所述发光二极管芯片间距为2～3μm的力度。

13、可选地，裂片前，所述劈刀与所述发光二极管芯片的距离为4～5mm；裂片时，所述劈刀压在所述发光二极管芯片的时间为380～420ms。

14、可选地，所述方法还包括：

15、将第二蓝膜贴在金属环上；

16、将裂片完成后的所述发光二极管芯片贴合在所述金属环的第二蓝膜上进行压片；

17、将所述发光二极管芯片的一面放在纳米真空盘上吸附，将所述第一蓝膜除去；

18、对所述第二蓝膜进行扩膜，使得裂片后的所述发光二极管芯片分离。

19、可选地，在所述压片时，压片时间为8～12s，压片压力小于或等于-0.6mpa。

20、可选地，所述方法还包括：

21、将扩膜后的所述发光二极管芯片放在光学显示镜进行斜板检验，观察所述发光二极管芯片边缘的电极翘起情况。

22、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

23、在本公开的方案中，在进行发光二极管芯片的划片时，控制双焦点激光器两个焦点在所述发光二极管芯片内的距离为35～45μm，同时控制两个焦点中距离所述蓝宝石衬底较远的焦点到所述蓝宝石衬底表面距离为105～115μm，并且在所述蓝宝石衬底的斜裂面处距离小于非斜裂面处距离4～6μm。通过双焦点激光提供更多能量，使得在较厚蓝宝石衬底的情况下，能够将发光二极管芯片的两面划开；并且，通过在斜裂面和非斜裂面采用不同的焦距深度，保证斜裂面和非斜裂面都有较好的划裂效果。然后，在进行裂片时选用劈刀角度为70°至80°的劈刀，该角度有利于劈开较厚的蓝宝石衬底。通过上述设计，避免裂片时正面因为蓝宝石衬底较厚，导致远离蓝宝石衬底一侧划片效果不佳造成电极产生轻微翘起，提高了微型发光二极管产品的良率。

技术特征：

1.一种划裂方法，其特征在于，所述方法适用于具有蓝宝石衬底的倒装发光二极管芯片，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述发光二极管芯片的一面贴附蓝膜，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一蓝膜的粘度小于或等于0.3n/20mm，所述第一蓝膜的直径为255～260mm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，划片处理时，所述非斜裂面的激光频率为45～55hz，划片速度为190～210mm/s；所述斜裂面的激光频率为45～55hz，划片速度为290～310mm/s。

5.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述双焦点激光器的功率控制能够使每一道划片道在1～3s内划开，使所述激光照射到所述发光二极管芯片上的线条波动范围为-1μm至1μm。

6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，裂片时，采用裂片调试情况下所述发光二极管芯片间距为2～3μm的力度。

7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，裂片前，所述劈刀与所述发光二极管芯片的距离为4～5mm；裂片时，所述劈刀压在所述发光二极管芯片的时间为380～420ms。

8.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述压片时，压片时间为8～12s，压片压力小于或等于-0.6mpa。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

技术总结
提供了一种划裂方法，属于半导体制造领域。该方法包括：在发光二极管芯片远离蓝宝石衬底的一面贴附第一蓝膜，蓝宝石衬底的厚度大于220微米；在进行发光二极管芯片的划片时，控制双焦点激光器两个焦点在发光二极管芯片内的距离为35～45μm，同时控制两个焦点中距离蓝宝石衬底较远的焦点到蓝宝石衬底表面距离为105～115μm，并且在蓝宝石衬底的斜裂面处距离小于非斜裂面处距离4～6μm。通过上述设计，避免裂片时正面因为蓝宝石衬底较厚，导致远离蓝宝石衬底一侧划片效果不佳造成电极产生轻微翘起，提高了微型发光二极管产品的良率。

技术研发人员：陈冲,李俊生,马玮辰,沙庆伟,刘世轩
受保护的技术使用者：京东方华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/4/7