GaN基多光区LED芯片、照明灯具及制备方法与流程

本发明涉及照明灯具，尤其涉及一种gan基多光区led芯片、照明灯具及制备方法。

背景技术：

1、在移动照明中，为了满足更多的照明需求，照明灯具中常能够进行光束变换，即，通过切换出不同的光束以满足不同的照明需求。

2、目前，在照明灯具中进行光束变换时，一种方式是使照明灯具中的透镜与光源之间的距离能够改变，其在进行光束变换时，通过改变照明灯具中的透镜与光源之间的距离进而实现光束变换；另一种方式是在光源中的同一焦平面上的不同位置设置多个led光源，在进行光束变换时，通过驱动同一焦平面上的不同位置的led光源，从而实现光束变换；在上述两种方式中，虽然能够进行光束变换，但是其结构复杂，使得照明灯具的成本高，且照明灯具的体积及重量大。

3、因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种gan基多光区led芯片、照明灯具及制备方法，以解决现有技术中照明灯具中进行光束变换时采用的进行光束变换的方式的结构复杂，使得照明灯具的成本高，且照明灯具的体积及重量大的问题。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种gan基多光区led芯片，包括：衬底以及设置在所述衬底上的gan基发光体；

3、所述gan基发光体上至少开设有一个环形隔离槽，所述环形隔离槽贯穿所述gan基发光体的上表面及下表面，在所述环形隔离槽开设有若干个时，多个所述环形隔离槽在所述衬底上的正投影的轮廓逐渐减小、且自内向外依次套设开设；

4、其中，所述gan基发光体上任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一个子发光区域，且每一子发光区域被点亮时对应出射一个角度的光束。

5、本发明的进一步设置，所述gan基发光体包括：金属电极以及自下而上设置在所述衬底上的n形氮化镓层、多层量子阱层、p形氮化镓层以及透明导电层；

6、其中，所述透明导电层的上表面为所述gan基发光体的上表面，所述n形氮化镓层的下表面为所述gan基发光体的下表面；

7、所述金属电极中的正电极与所述透明导电层连接，所述金属电极中的负电极与所述n形氮化镓层连接。

8、本发明的进一步设置，在所述环形隔离槽开设有一个时，与所述环形隔离槽的内槽壁相邻的子发光区域的光功率密度最大。

9、本发明的进一步设置，在所述环形隔离槽开设有若干个时，与最内侧的环形隔离槽的内槽壁相邻的子发光区域的光功率密度最大。

10、本发明的进一步设置，在所述环形隔离槽开设有若干个时，所述子发光区域由内向外的光功率密度逐渐减小。

11、本发明的进一步设置，所述子发光区域中的光功率密度最大的子发光区域的光功率密度大于6a/mm2。

12、本发明的进一步设置，所述环形隔离槽为圆环形的环形隔离槽或多边形的环形隔离槽。

13、本发明还提供一种照明灯具，包括：具有容纳腔室的壳体以及如上所述的gan基多光区led芯片。

14、本发明的进一步设置，所述照明灯具还包括正透镜，所述正透镜设置在所述壳体上且所述gan基多光区led芯片出射光经所述正透镜出射。

15、本发明还提供一种用于如上所述的gan基多光区led芯片的制备方法，所述制备方法包括：

16、提供一衬底；

17、在所述衬底上生长出gan基发光体；

18、在所述gan基发光体上开设环形隔离槽，所述环形隔离槽贯穿所述gan基发光体的上表面及下表面，其中，在所述环形隔离槽开设有若干个时，多个所述环形隔离槽在所述衬底上的正投影的轮廓逐渐减小、且自内向外依次套设开设。

19、本发明所具有的有益效果：

20、本发明所公开了一种gan基多光区led芯片、照明灯具及制备方法，该gan基多光区led芯片包括：衬底以及设置在所述衬底上的gan基发光体；所述gan基发光体上至少开设有一个环形隔离槽，所述环形隔离槽贯穿所述gan基发光体的上表面及下表面，在所述环形隔离槽开设有若干个时，多个所述环形隔离槽在所述衬底上的正投影的轮廓逐渐减小、且自内向外依次套设开设；其中，所述gan基发光体上任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一个子发光区域，且每一子发光区域被点亮时对应出射一个角度的光束。在本发明技术方案中，在gan基发光体至少设置有一个环形隔离槽，任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一子发光区域，且每一子发光区域被点亮时对应出射一个角度的光束，因此，可通过点亮不同的子发光区域进行光束变换，实现了通过一个gan基多光区led芯片进行光束变换，结构简单，使得照明灯具的成本降低，且照明灯具的体积及重量变小。

技术特征：

1.一种gan基多光区led芯片，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底上的gan基发光体；

2.根据权利要求1所述的gan基多光区led芯片，其特征在于，所述gan基发光体包括：金属电极以及自下而上设置在所述衬底上的n形氮化镓层、多层量子阱层、p形氮化镓层以及透明导电层；

3.根据权利要求1所述的gan基多光区led芯片，其特征在于，在所述环形隔离槽开设有一个时，与所述环形隔离槽的内槽壁相邻的子发光区域的光功率密度最大。

4.根据权利要求1所述的gan基多光区led芯片，其特征在于，在所述环形隔离槽开设有若干个时，与最内侧的环形隔离槽的内槽壁相邻的子发光区域的光功率密度最大。

5.根据权利要求4所述的gan基多光区led芯片，其特征在于，在所述环形隔离槽开设有若干个时，所述子发光区域由内向外的光功率密度逐渐减小。

6.根据权利要求3或5所述的gan基多光区led芯片，其特征在于，所述子发光区域中的光功率密度最大的子发光区域的光功率密度大于6a/mm2。

7.根据权利要求1所述的gan基多光区led芯片，其特征在于，所述环形隔离槽为圆环形的环形隔离槽或多边形的环形隔离槽。

8.一种照明灯具，其特征在于，包括：具有容纳腔室的壳体以及如权利要求1－7任一项所述的gan基多光区led芯片。

9.根据权利要求8所述的照明灯具，其特征在于，所述照明灯具还包括正透镜，所述正透镜设置在所述壳体上且所述gan基多光区led芯片出射光经所述正透镜出射。

10.一种用于如权利要求1－7任一项所述的gan基多光区led芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

技术总结
本发明公开了GaN基多光区LED芯片、照明灯具及制备方法，该GaN基多光区LED芯片包括：衬底以及设置在衬底上的GaN基发光体；GaN基发光体上至少开设有一个环形隔离槽，环形隔离槽贯穿GaN基发光体的上表面及下表面，在环形隔离槽开设有若干个时，多个环形隔离槽在衬底上的正投影的轮廓逐渐减小、且自内向外依次套设开设；其中，GaN基发光体上任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一个子发光区域，每一子发光区域被点亮时对应出射一个角度的光束，因此，可通过点亮不同的子发光区域进行光束变换，实现了通过一个GaN基多光区LED芯片进行光束变换，结构简单，使得照明灯具的成本降低，且照明灯具的体积及重量变小。

技术研发人员：李文杰
受保护的技术使用者：佛山耐镭特光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/2/24