显示面板及显示面板的制备方法与流程

本申请涉及显示，具体涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。

背景技术：

1、显示面板的非显示区的薄膜晶体管用于驱动电路、信号处理、扫描、信号传输，显示面板的非显示区的薄膜晶体管的有源层对迁移率的要求相对较高，但是常规方案的显示面板的非显示区的薄膜晶体管的有源层的迁移率较低，导致显示面板的非显示区的薄膜晶体管驱动能力不足。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供了一种显示面板及显示面板的制备方法，以提升显示面板的非显示区的薄膜晶体管的驱动能力。

2、第一方面，本申请的实施例提供了一种显示面板，包括显示区以及所述显示区外围的非显示区，所述显示面板包括基板以及设于所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述非显示区，所述第一薄膜晶体管包括：

3、第一栅极，所述第一栅极设于所述基板上；

4、第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述基板上，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极；

5、第一有源层，所述第一有源层设于所述第一栅极绝缘层远离所述基板的一表面，所述第一有源层包括结晶氧化物，其中，所述第一有源层通过形成于所述第一栅极绝缘层上的第一半导体薄膜进行第一次退火得到；

6、第二有源层，所述第二有源层包括非结晶氧化物，其中，所述第二有源层通过形成于经过第一次退火后的所述第一有源层上的第二半导体薄膜进行第二次退火得到；

7、其中，所述第一有源层的迁移率为高迁移率大于所述第二有源层的迁移率。

8、进一步的，所述第一薄膜晶体管还包括第一源极及第一漏极，所述第一源极设于所述第二有源层远离所述基板的一表面，所述第一漏极设于所述第二有源层远离所述基板的一表面。

9、进一步的，在所述显示面板的俯视图中，所述第二有源层与所述第一有源层重叠。

10、进一步的，所述显示面板还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管位于所述显示区，所述第二薄膜晶体管包括：

11、第二栅极，所述第二栅极设于所述基板上，所述第二栅极与所述第一栅极同层；

12、第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设于所述基板上，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二栅极，所述第二栅极绝缘层与所述第一栅极绝缘层同层；

13、第三有源层，所述第三有源层设于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一表面，所述第三有源层包括非结晶氧化物，所述第三有源层与所述第二有源层同层设置；

14、其中，所述第三有源层的迁移率小于所述第一有源层的迁移率。

15、进一步的，在沟道的长度方向上，所述第一有源层的长度大于所述第三有源层的长度，和/或所述第二有源层的长度大于所述第三有源层的长度。

16、进一步的，在所述显示面板的厚度方向上，所述第三有源层与所述第二有源层的厚度相等。

17、第二方面，本申请的实施例提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区以及所述显示区外围的非显示区，所述显示面板包括基板以及设于所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述非显示区，所述制备方法下述步骤：

18、在所述基板上形成第一栅极；

19、在所述基板上形成第一栅极绝缘层，且第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极；

20、在所述第一栅极绝缘层上形成第一半导体薄膜，对所述第一半导体薄膜进行一次退火，以使所述第一半导体薄膜退火后形成第一有源层，所述第一有源层包括结晶氧化物；

21、在所述第一有源层上形成第二半导体薄膜，对所述第二半导体薄膜进行退火，以使第二半导体薄膜退火后形成第二有源层，所述第二有源层包括非结晶氧化物；

22、其中，所述第一有源层的迁移率大于所述第二有源层的迁移率。

23、进一步的，所述制备方法还包括：

24、在所述第二有源层上沉积导电材料薄膜，对导电材料薄膜进行构图工艺以形成第一源极及第一漏极。

25、进一步的，所述显示面板还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管位于所述显示区，所述制备方法还包括下述步骤：

26、在基板上形成第二栅极，第二栅极与所述第一栅极同层；

27、在所述基板上形成第二栅极绝缘层，并使所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二栅极，所述第二栅极绝缘层与所述第一栅极绝缘层同层；

28、在所述第二栅极绝缘层上形成第三半导体薄膜，对所述第三半导体薄膜进行退火，以使所述第三半导体薄膜退火后形成第三有源层，所述第三有源层包括非结晶氧化物，所述第三有源层与所述第二有源层同层设置；

29、其中，所述第三有源层的迁移率小于所述第一有源层的迁移率。

30、进一步的，在所述第一有源层上沉积所述第二半导体薄膜以及所述第二栅极绝缘层上沉积所述第三半导体薄膜后，同时对所述第二半导体薄膜以及所述第三半导体薄膜进行退火，以使所述第二半导体薄膜退火后形成第二有源层，所述第三半导体薄膜退火后形成第三有源层。

31、本申请的有益效果：

32、本申请提供了一种显示面板，通过设置第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层以及第二有源层，所述第一栅极设于所述基板上，所述第一有源层设于所述第一栅极绝缘层远离所述基板的一表面，所述第一有源层通过形成于所述第一栅极绝缘层上的第一半导体薄膜进行第一次退火得到，所述第二有源层通过形成于经过第一次退火后的所述第一有源层上的第二半导体薄膜进行第二次退火得到，所述第一有源层的迁移率大于所述第二有源层的迁移率，能够提高显示面板的非显示区的薄膜晶体管的有源层的迁移率，从而提升显示面板的非显示区的第一薄膜晶体管的驱动能力。

33、本申请提供了一种显示面板的制备方法，通过在所述第一栅极绝缘层上形成第一半导体薄膜，对所述第一半导体薄膜进行一次退火，以使第一半导体薄膜退火后形成第一有源层，所述第一有源层包括结晶氧化物，在所述第一有源层上形成第二半导体薄膜对所述第二半导体薄膜进行二次退火，以使第二半导体薄膜退火后形成第二有源层，所述第二有源层包括非结晶氧化物，并设置所述第一有源层的迁移率大于所述第二有源层的迁移率，能够提高显示面板的非显示区的薄膜晶体管的有源层的迁移率，从而提升显示面板的非显示区的第一薄膜晶体管的驱动能力。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区以及所述显示区外围的非显示区，所述显示面板包括基板以及设于所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述非显示区，所述第一薄膜晶体管包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一源极及第一漏极，所述第一源极设于所述第二有源层远离所述基板的一表面，所述第一漏极设于所述第二有源层远离所述基板的一表面。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的俯视图中，所述第二有源层与所述第一有源层重叠。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管位于所述显示区，所述第二薄膜晶体管包括：

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在沟道的长度方向上，所述第一有源层的长度大于所述第三有源层的长度，和/或所述第二有源层的长度大于所述第三有源层的长度。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的厚度方向上，所述第三有源层与所述第二有源层的厚度相等。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区以及所述显示区外围的非显示区，所述显示面板包括基板以及设于所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述非显示区，所述制备方法下述步骤：

8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

9.根据权利要求7或8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管位于所述显示区，所述制备方法还包括下述步骤：

10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第一有源层上沉积所述第二半导体薄膜以及所述第二栅极绝缘层上沉积所述第三半导体薄膜后，同时对所述第二半导体薄膜以及所述第三半导体薄膜进行退火，以使所述第二半导体薄膜退火后形成第二有源层，所述第三半导体薄膜退火后形成第三有源层。

技术总结
本申请公开了一种显示面板及显示面板的制备方法，包括显示区以及显示区外围的非显示区；显示面板包括基板以及设于基板上的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管位于非显示区，第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层以及第二有源层；第一栅极设于基板上；第一栅极绝缘层设于基板上，且第一栅极绝缘层覆盖第一栅极；第一有源层设于第一栅极绝缘层远离基板的一表面，第一有源层包括结晶氧化物；第二有源层设于第一有源层远离基板的一表面，第二有源层包括非结晶氧化物；其中，第一有源层的迁移率大于第二有源层的迁移率。其优点在于，能够提升显示面板的非显示区的薄膜晶体管的驱动能力。

技术研发人员：潘子康
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/4/10