本技术涉及电子行业,特别涉及一种igbt模块与pcba板的连接结构。
背景技术:
1、igbt(insulated gate bipolar transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。
2、目前,在汽车电子行业,igbt模块和pcb/pcba板之间的连接大多是采用自攻钉锁附。
3、然而,在自攻钉伸入到igbt模块上的圆柱螺孔内时,容易造成圆柱发生破裂,从而导致整体连接可靠性降低。
技术实现思路
1、本申请的主要目的是提供igbt模块与pcba板的连接结构,可以提高igbt模块与pcba板连接的可靠性。
2、为实现上述目的,本申请提出了一种igbt模块与pcba板的连接结构,包括igbt模块、pcba板以及多个热塑件,多个所述热塑件均设置在所述igbt模块上,所述igbt模块与所述pcba板通过所述热塑件铆接。
3、在其中一个实施例中,所述pcba板上设置有多个装配孔,每个所述装配孔的位置与每个所述热塑件的位置对应,在所述igbt模块与所述pcba板装配前,所述热塑件与所述装配孔间隙配合。
4、在其中一个实施例中,包括八个热塑件,所述igbt模块的相对两侧上分别均匀设置有四个所述热塑件。
5、在其中一个实施例中,所述热塑件包括铆柱,所述铆柱设置在所述igbt模块上。
6、在其中一个实施例中,所述i gbt模块包括基板和包裹所述基板的外壳,所述铆柱与所述外壳一体成型。
7、在其中一个实施例中,所述外壳朝向所述pcba板的一侧上设置有凸刺,所述pcba板上设置有卡槽,在所述铆柱伸入到所述pcba板上的装配孔中后,所述凸刺卡接在所述卡槽内。
8、在其中一个实施例中,还包括散热器,所述散热器设置在所述i gbt模块背离所述pcba板的一侧。
9、在其中一个实施例中,所述散热器上设置有多个散热鳍片。
10、在其中一个实施例中,还包括连接板,所述散热器通过所述连接板与所述i gbt模块连接。
11、在其中一个实施例中,所述连接板上设置有通槽,所述散热器和所述i gbt模块均卡接在所述通槽内。
12、本申请提供的i gbt模块与pcba板的连接结构,通过热塑件将i gbt模块与pcba板铆接在一起,有效避免了i gbt模块上圆柱螺孔在受到自攻钉的作用时发生破裂的现象,提高了i gbt模块与pcba板连接的可靠性。
1.一种igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,包括igbt模块、pcba板以及多个热塑件,多个所述热塑件均设置在所述igbt模块上,所述igbt模块与所述pcba板通过所述热塑件铆接。
2.根据权利要求1所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,所述pcba板上设置有多个装配孔,每个所述装配孔的位置与每个所述热塑件的位置对应,在所述igbt模块与所述pcba板装配前,所述热塑件与所述装配孔间隙配合。
3.根据权利要求1所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,包括八个热塑件,所述igbt模块的相对两侧上分别均匀设置有四个所述热塑件。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,所述热塑件包括铆柱,所述铆柱设置在所述igbt模块上。
5.根据权利要求4所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,所述igbt模块包括基板和包裹所述基板的外壳,所述铆柱与所述外壳一体成型。
6.根据权利要求5所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,所述外壳朝向所述pcba板的一侧上设置有凸刺,所述pcba板上设置有卡槽,在所述铆柱伸入到所述pcba板上的装配孔中后,所述凸刺卡接在所述卡槽内。
7.根据权利要求1所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,还包括散热器,所述散热器设置在所述igbt模块背离所述pcba板的一侧。
8.根据权利要求7所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,所述散热器上设置有多个散热鳍片。
9.根据权利要求7所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,还包括连接板,所述散热器通过所述连接板与所述igbt模块连接。
10.根据权利要求9所述的igbt模块与pcba板的连接结构,其特征在于,所述连接板上设置有通槽,所述散热器和所述igbt模块均卡接在所述通槽内。