一种黄光室用LED封装结构的制作方法

本技术涉及一种黄光室用led封装结构，属于半导体。

背景技术：

1、led(发光二极管)由于其节能、寿命长、光效高、无辐射、抗冲击等优点，越来越多的传统照明灯具被led灯代替，且led应用范围还在不断扩张推广。

2、半导体黄光室（photoresist room）是一种在半导体器件制造中使用的光刻工艺。在半导体加工中，黄光室被用于对光敏感剂的涂层进行曝光，从而在表面形成光影，这些光影可以通过其他加工步骤进行后续加工，形成所需的器件结构。

3、黄光的波长范围约570nm到620nm，远离uv范围，因此不会引起光刻胶的意外曝光；黄光通常不含有紫外线，光敏材料免受不必要的曝光；黄光更柔和，对人眼更为友好，减少眼睛的疲劳和刺激。

4、目前用于半导体黄光室所用的灯管，一般有用白光灯管加覆黄色光罩出黄光、以及使用黄光芯片原出黄光两种方式。第一种方式会有黄色光罩老化而导致波长变化的疑虑，第二种方式采用黄光芯片的led，存在光效低、热亮值低、可靠性低、寿命短等诸多问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是针对上述现有技术的不足，提供一种光效高、光衰低、寿命长的黄光室用led封装结构，实现led无蓝光或极小蓝光强度占比，且光色为黄光的目的。

2、本实用新型的技术方案如下：

3、一种黄光室用led封装结构，其特征是，包括：

4、引线框架，具有金属电极；

5、碗杯，位于引线框架的上表面，其内部设有容腔；

6、至少一颗蓝光芯片，位于碗杯容腔内，并与引线框架固接；蓝光芯片通过键合线与金属电极电连接；

7、荧光胶层，位于碗杯容腔内，并包裹蓝光芯片；

8、高折胶层，位于碗杯容腔内，并设于荧光胶层上部；所述高折胶层的顶部与碗杯顶部齐平或微凹。

9、采用上述led封装结构，荧光胶层由透明胶体混合荧光粉形成，荧光粉的密度和组成根据实际需要设置；高折胶层折光率较高、粘结强度高、能承受较大的拉力和剪切力。工作时，蓝光芯片通电发出蓝光，激发荧光胶层中的荧光粉，最终透过高折胶层，呈现出黄光。蓝光芯片具有稳定性高、电光效率高等优点，在满足黄光室功能的基础上，使led具有光效高、光衰低、可靠性高、寿命长的优势。

10、进一步的，在碗杯容腔内，以蓝光芯片上表面为界，将荧光胶层由下而上分为第一荧光胶层、第二荧光胶层；第二荧光胶层、高折胶层的容积之和，为第一荧光胶层容积的2-2.5倍；第二荧光胶层、高折胶层的高度之和，为第一荧光胶层高度的1.5-2倍，所述高折胶层的高度为0.02-0.1mm。

11、由于蓝光芯片激发荧光胶层中的荧光粉出黄光，会控制不了蓝光的光强度占比，容易导致蓝光光强度占比偏高，且led整体亮度偏低，导致整体光源规格特性不符合半导体工作间的应用要求。所以，本实用新型创新性地对碗杯容腔的容积、不同层的容积分配、以及不同层的高度分配有特定的要求，并在第三层增加高折胶层，从而降低了蓝光的能量，提升了黄光的纯度，并使led整体的亮度得到提升。

12、进一步的，所述碗杯容腔呈下窄上宽的结构，使碗杯容腔的内腔壁与引线框架的上表面形成钝角，蓝光芯片发出的光线能够经容腔内腔壁的反射后再射出容腔，最终获得较大的出光角度、以及最大程度的吸收蓝光能量。碗杯容腔的内轮廓线为斜直线，一是可便于蓝光芯片光线的反射，对出光不产生干涉，二是可便于荧光胶层中荧光粉的顺利沉降，容腔内腔壁处不产生荧光粉的沉积，保证出光的均匀度以及蓝光的吸收度。

13、进一步的，在满足对碗杯容腔不同层的容积分配、以及不同层的高度分配条件下，碗杯容腔还可以采用圆柱体结构，即碗杯容腔的内轮廓线为垂直于引线框架的竖直线。

14、进一步的，所述碗杯容腔的底部，沿其周向设有一圈台阶，且台阶与蓝光芯片之间留有间隙。本实用新型增加了台阶（和碗杯同一材质），以阻挡蓝光，改变光线路径，防止蓝光从碗杯壁漏光；容腔底部的台阶还可以让荧光粉高密度地堆积、覆盖在蓝光芯片周围，降低蓝光能量，提升整体黄光亮度。

技术特征：

1.一种黄光室用led封装结构，其特征是，包括：

2.根据权利要求1所述的一种黄光室用led封装结构，其特征是，所述碗杯容腔呈下窄上宽的结构，且碗杯容腔的内轮廓线为斜直线。

3.根据权利要求1所述的一种黄光室用led封装结构，其特征是，所述碗杯容腔呈圆柱体结构。

4.根据权利要求1所述的一种黄光室用led封装结构，其特征是，所述引线框架具有金属电极，所述蓝光芯片通过键合线（8）与金属电极电连接。

技术总结
一种黄光室用LED封装结构，属于半导体技术领域。包括：引线框架；碗杯，位于引线框架的上表面，其内部设有容腔；至少一颗蓝光芯片，位于碗杯容腔内，并与引线框架固接；荧光胶层，位于碗杯容腔内，并包裹蓝光芯片；高折胶层，位于碗杯容腔内，并设于荧光胶层上部。本技术创新性地对碗杯容腔不同层的容积分配、以及不同层的高度分配，并增加高折胶层，从而降低了蓝光的能量，提升了黄光的纯度，并使LED整体的亮度得到提升。

技术研发人员：张科超,孙小丽,高飞
受保护的技术使用者：扬州艾笛森光电有限公司
技术研发日：20240207
技术公布日：2025/3/27