一种碳化硅MOS管并联使用驱动电路的制作方法

本技术涉及功率变换电路，具体涉及一种碳化硅mos管并联使用驱动电路。

背景技术：

1、目前通常应用碳化硅场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，mosfet)作为功率转换的核心器件来实现直流到交流的变换。

2、现有的碳化硅mos管的应用环境都是单管使用，具体是通过碳化硅mos管单管并联使用来增大系统的输出能力；但是由于每个碳化硅mos管的电气参数不一致，在碳化硅mos管并联使用时会导致不同器件所承受的电压、电流不一致，从而缩短器件的使用寿命和降低器件的可靠性。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型实施例提供一种碳化硅mos管并联使用驱动电路，以解决在碳化硅mos管并联使用时会导致不同器件所承受的电压、电流不一致的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

3、本实用新型实施例提供一种碳化硅mos管并联使用驱动电路，所述碳化硅mos管并联使用驱动电路至少包括：控制信号电路、信号放大电路、过流保护电路、多组mos管驱动保护电路；

4、所述控制信号电路的输出端与所述信号放大电路的输入管脚连接；

5、所述信号放大电路的输出管脚分别与多组所述mos管驱动保护电路的输入端连接，所述信号放大电路的输出管脚与所述过流保护电路的输出端连接；

6、所述过流保护电路与多组所述mos管驱动保护电路并联；

7、其中，所述mos管驱动保护电路由栅极驱动电路、碳化硅mos管、抑制电路和过压保护电路构成。

8、优选的，对于每一组所述mos管驱动保护电路中的栅极驱动电路、碳化硅mos管、抑制电路和过压保护电路，所述信号放大电路的输出管脚与所述栅极驱动电路的输入端连接；

9、所述栅极驱动电路的输出端、所述抑制电路、所述过压保护电路分别与所述碳化硅mos管连接；

10、所述过流保护电路与所述碳化硅mos管、所述栅极驱动电路并联。

11、优选的，所述抑制电路为米勒钳位电路。

12、优选的，还包括：驱动电源电路；

13、所述驱动电源电路与所述信号放大电路的电源管脚连接。

14、优选的，所述信号放大电路为驱动芯片信号放大电路。

15、优选的，所述控制信号电路为脉宽调制pwm控制信号电路。

16、优选的，所述驱动电源电路的输出正压为第一电压，所述驱动电源电路的输出负压为第二电压，所述第一电压和所述第二电压的绝对值不同。

17、优选的，所述第一电压为18v，所述第二电压为-4.5v。

18、优选的，所述驱动电源电路由驱动电源模块、多个电容、电感构成。

19、优选的，所述驱动芯片信号放大电路由驱动芯片、多个电阻、多个电容、磁珠、多个二极管、稳压管构成。

20、基于上述本实用新型实施例提供的一种碳化硅mos管并联使用驱动电路，该碳化硅mos管并联使用驱动电路至少包括：控制信号电路、信号放大电路、过流保护电路、多组mos管驱动保护电路；控制信号电路的输出端与信号放大电路的输入管脚连接；信号放大电路的输出管脚分别与多组mos管驱动保护电路的输入端连接，信号放大电路的输出管脚与过流保护电路的输出端连接；过流保护电路与多组mos管驱动保护电路并联；其中，mos管驱动保护电路由栅极驱动电路、碳化硅mos管、抑制电路和过压保护电路构成。本方案利用过流保护电路、抑制电路和过压保护电路来控制碳化硅mos管在运行期间的电压和电流，避免碳化硅mos管并联使用时会导致不同器件所承受的电压、电流不一致，从而提高器件的使用寿命和器件的可靠性。

技术特征：

1.一种碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，所述碳化硅mos管并联使用驱动电路至少包括：控制信号电路、信号放大电路、过流保护电路、多组mos管驱动保护电路；

2.根据权利要求1所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，对于每一组所述mos管驱动保护电路中的栅极驱动电路、碳化硅mos管、抑制电路和过压保护电路，所述信号放大电路的输出管脚与所述栅极驱动电路的输入端连接；

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，所述抑制电路为米勒钳位电路。

4.根据权利要求1或2所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，还包括：驱动电源电路；

5.根据权利要求1所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，所述信号放大电路为驱动芯片信号放大电路。

6.根据权利要求1所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，所述控制信号电路为脉宽调制pwm控制信号电路。

7.根据权利要求4所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，所述驱动电源电路的输出正压为第一电压，所述驱动电源电路的输出负压为第二电压，所述第一电压和所述第二电压的绝对值不同。

8.根据权利要求7所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，所述第一电压为18v，所述第二电压为-4.5v。

9.根据权利要求4所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，所述驱动电源电路由驱动电源模块、多个电容、电感构成。

10.根据权利要求5所述的碳化硅mos管并联使用驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片信号放大电路由驱动芯片、多个电阻、多个电容、磁珠、多个二极管、稳压管构成。

技术总结
本技术提供一种碳化硅MOS管并联使用驱动电路，该碳化硅MOS管并联使用驱动电路至少包括：控制信号电路、信号放大电路、过流保护电路、多组MOS管驱动保护电路，MOS管驱动保护电路由栅极驱动电路、碳化硅MOS管、抑制电路和过压保护电路构成。本方案利用过流保护电路、抑制电路和过压保护电路来控制碳化硅MOS管在运行期间的电压和电流，避免碳化硅MOS管并联使用时会导致不同器件所承受的电压、电流不一致，从而提高器件的使用寿命和器件的可靠性。

技术研发人员：李瑞杰,和志文,李佼
受保护的技术使用者：北京润科通用技术有限公司
技术研发日：20240514
技术公布日：2025/4/6