半导体结构的制作方法

本技术实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及一种具有栅极隔离结构的半导体结构。

背景技术：

1、半导体集成电路(integrated circuit,ic)工业已经历了指数性的成长。技术在ic材料以及设计上的进步已经产生了好几世代的ic，其中每一世代相较于先前世代都具有更小且更复杂的电路。在ic的进化过程中，功能密度(即：每单位芯片面积的互连装置的数量)通常会增加，同时几何尺寸(即：使用制造工艺所能创建的最小组件(或线段))则会降低。这种微缩(scaling down)通常通过增加生产效率以及减少相关成本的方式来提供益处。

2、随着集成电路(ic)朝向更小的技术节点迈进，电性短路可能会存在于相邻的金属栅极与设置在源极/漏极特征上方的源极/漏极接点之间。这可能会影响ic装置的整体性能。尽管现行的源极/漏极接点通常已足以满足它们的预期目的，但它们并非在所有方面都是令人满意的。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。

2、本公开实施例提供一种半导体结构。上述半导体结构包括位于基板上方的源极/漏极特征、沿着第一方向纵向延伸并且相邻于源极/漏极特征的金属栅极结构、以及沿着实质上垂直于第一方向的第二方向纵向延伸的栅极隔离结构。栅极隔离结构将金属栅极结构分割为两个被隔离的部分。上述半导体结构还包括源极/漏极接点，源极/漏极接点电性耦接至源极/漏极特征，并且包括位于源极/漏极特征正上方的第一部分，以及沿着第一方向自第一部分延伸的第二部分。第一部分具有沿着第二方向的第一宽度，并且第二部分具有沿着第二方向的第二宽度。第一宽度大于第二宽度。

3、根据本公开其中的一个实施方式，上述源极/漏极接点的上述第二部分包括在一俯视图中向内弯曲的两个边缘。

4、根据本公开其中的一个实施方式，在一截面图中，上述栅极隔离结构的一边界位于上述源极/漏极接点的上述第二部分的正下方。

5、根据本公开其中的一个实施方式，还包括：一隔离特征，位于上述基板上方以及上述栅极隔离结构下方；以及多个栅极间隔物，沿着上述第一方向纵向延伸，并且包括位于上述金属栅极结构的多个侧壁上的一第一部分，以及设置于上述隔离特征正上方的一第二部分，其中上述栅极间隔物的上述第二部分位于上述栅极隔离结构的一第一部分的正下方。

6、根据本公开其中的一个实施方式，上述源极/漏极特征为一第一源极/漏极特征且上述源极/漏极接点为一第一源极/漏极接点，其中上述半导体结构还包括：一第二源极/漏极特征，使得上述金属栅极结构被设置于上述第一源极/漏极特征与上述第二源极/漏极特征之间；以及一第二源极/漏极接点，电性耦接至上述第二源极/漏极特征，并且具有位于上述第二源极/漏极特征正上方的一第三部分，以及沿着上述第一方向自上述第三部分延伸的一第四部分；其中上述第三部分具有一第三宽度，而上述第四部分具有小于上述第三宽度的一第四宽度。

7、本公开实施例提供一种半导体结构。上述半导体结构包括位于基板上方的第一源极/漏极特征与第二源极/漏极特征、沿着第一方向在基板上方纵向延伸，并且分别相邻于第一源极/漏极特征与第二源极/漏极特征的第一金属栅极结构与第二金属栅极结构、以及沿着实质上垂直于第一方向的第二方向纵向延伸的栅极隔离结构。第一金属栅极结构与第二金属栅极结构被栅极隔离结构所隔离。上述半导体结构还包括源极/漏极接点，源极/漏极接点包含位于第一源极/漏极特征与第二源极/漏极特征正上方的两个第一部分，以及连接两个第一部分的第二部分。第二部分相邻于栅极隔离结构，并且两个第一部分及第二部分具有不同的宽度。

8、根据本公开其中的一个实施方式，上述源极/漏极接点的上述第二部分位于上述栅极隔离结构的一部分的正上方，并且与上述栅极隔离结构的一侧壁直接接触。

9、根据本公开其中的一个实施方式，还包括：一隔离特征，设置于上述第一源极/漏极特征与上述第二源极/漏极特征之间；以及多个栅极间隔物，具有位于上述第一金属栅极结构与上述第二金属栅极结构的多个侧壁上的一第一部分，以及设置于上述隔离特征正上方的一第二部分，其中上述源极/漏极接点的上述第二部分通过上述栅极间隔物的上述第二部分与上述栅极隔离结构间隔开来。

10、本公开实施例提供一种半导体结构。上述半导体结构包括基板，以及位于基板上方并且彼此平行的第一有源区与第二有源区。第一有源区包括第一源极/漏极特征，而第二有源区包括第二源极/漏极特征。上述半导体结构还包括金属栅极结构，金属栅极结构沿着第一方向纵向延伸，位于第一有源区与第二有源区上方，并且相邻于第一源极/漏极特征与第二源极/漏极特征。上述半导体结构还包括源极/漏极接点，源极/漏极接点包括分别位于第一源极/漏极特征与第二源极/漏极特征正上方的两个第一部分，以及在两个第一部分之间延伸的第二部分。两个第一部分具有沿着实质上垂直于第一方向的第二方向的第一宽度，并且第二部分具有沿着第二方向的第二宽度。第一宽度大于第二宽度。

11、根据本公开其中的一个实施方式，还包括一第一栅极隔离结构与一第二栅极隔离结构，上述第一栅极隔离结构与上述第二栅极隔离结构沿着上述第二方向纵向延伸并且介于上述第一有源区与上述第二有源区之间，其中上述第一栅极隔离结构将上述金属栅极结构分割为两个被隔离的部分，以及其中上述源极/漏极接点的上述第二部分介于上述第一栅极隔离结构与上述第二栅极隔离结构之间。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述源极/漏极接点的上述第二部分包括在一俯视图中向内弯曲的两个边缘。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在一截面图中，上述栅极隔离结构的一边界位于上述源极/漏极接点的上述第二部分的正下方。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述源极/漏极特征为一第一源极/漏极特征且上述源极/漏极接点为一第一源极/漏极接点，其中上述半导体结构还包括：

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，上述源极/漏极接点的上述第二部分位于上述栅极隔离结构的一部分的正上方，并且与上述栅极隔离结构的一侧壁直接接触。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括一第一栅极隔离结构与一第二栅极隔离结构，上述第一栅极隔离结构与上述第二栅极隔离结构沿着上述第二方向纵向延伸并且介于上述第一有源区与上述第二有源区之间，

技术总结
本公开提供一种半导体结构。在一实施例中，范例性半导体结构包括基板上方的源极/漏极特征；沿第一方向纵向延伸且相邻于源极/漏极特征的金属栅极结构；沿实质上垂直于第一方向的第二方向纵向延伸的栅极隔离结构；以及电性耦接至源极/漏极特征，且包括源极/漏极特征正上方的第一部分及沿着第一方向自第一部分延伸的第二部分的源极/漏极接点。在实施例中，栅极隔离结构将金属栅极结构分割为两个被隔离的部分。在实施例中，第一部分具有沿第二方向的第一宽度，而第二部分具有沿第二方向的第二宽度，第一宽度大于第二宽度。

技术研发人员：林大钧,廖忠志
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20240603
技术公布日：2025/4/6