一种发光二极管芯片及其制备方法与流程

本申请实施例涉及显示，具体而言，涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术：

1、micro-led（micro light-emitting diode，微发光二极管）因其高光效，稳定性，广泛应用于于各类显示器件中。但其本身存在一些问题，其中一个是micro-led小尺寸化(＜20μm)后的光效下降，另一个为micro-led小尺寸化峰值效率对应电流密度右移的问题。

2、在相关技术中，通过采用纳米柱led方案，即通过微纳加工，实现纳米尺度led结构发光，减少应变造成的量子斯塔克效应、缺陷造成的非辐射复合，同时通过纳米尺度led光学设计，提升出光效率，解决micro-led随尺寸下降造成峰值效率下降及小电流密度下光效低的问题。

3、但是，在纳米柱led的制备过程中，由于工艺问题会存在导电层与led中的电极层的电性连接不稳定的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例在于提供一种发光二极管芯片及其制备方法，旨在提高发光二极管芯片中导电层与电极层之间的连接性能稳定性。

2、本申请实施例第一方面提供一种发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：

3、提供第一衬底；

4、在所述第一衬底上生长外延层，并对所述外延层进行刻蚀工艺，形成阵列分布的多个发光体；

5、提供第二衬底，并在所述第二衬底上形成导电层；

6、将所述导电层与包括多个发光体的所述外延层键合；

7、在所述导电层的一侧朝向所述外延层注入填充材料，使所述填充材料将各个所述发光体之间的间隙填充；

8、去除所述第二衬底，并在所述外延层及所述导电层上形成键合电极。

9、可选地，所述填充材料的折射率大于2，且所述填充材料为透明绝缘材料。

10、可选地，在将所述导电层与包括多个发光体的所述外延层键合的步骤之中，所述制备方法包括：

11、将所述导电层在目标温度、目标压强和目标时长下，完成与包括多个发光体的所述外延层的键合。

12、可选地，所述目标温度为大于或等于200℃，且小于或等于500℃；

13、所述目标压强为大于0.5mpa；

14、所述目标时长为大于10min。

15、可选地，所述第二衬底与所述导电层之间设置有解离层。

16、可选地，所述解离层的材料包括pi和石墨烯。

17、可选地，所述导电层包括单层结构或多层结构。

18、可选地，所述导电层的材料包括ito、izo、cu、au、sn、cr、pt、ti、ni中的至少一种。

19、可选地，所述第二衬底的材料包括玻璃或蓝宝石。

20、本申请实施例第二方面提供一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片由如本申请实施例第一方面提供的发光二极管芯片的制备方法制备得到。

21、有益效果：

22、本申请提供一种发光二极管芯片及其制备方法，通过在第一衬底上形成包括多个发光体的外延层，在第二衬底上形成导电层，并将导电层与外延层进行键合后，在导电层的一侧朝向外延层注入填充材料，将各个发光体之间的间隙填充，然后再去除第二衬底并制作键合电极；这样，便可以避免导电层与外延层中的电极层之间的连接不会被填充材料所影响，从而提升了发光二极管芯片中导电层与电极层之间的连接性能稳定性。

技术特征：

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在将所述导电层与包括多个发光体的所述外延层键合的步骤之中，所述制备方法包括：

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：

9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：

10.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片由如权利要求1-9任一项所述的发光二极管芯片的制备方法制备得到。

技术总结
本申请实施例提供一种发光二极管芯片及其制备方法，属于显示技术领域，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上生长外延层，并对所述外延层进行刻蚀工艺，形成阵列分布的多个发光体；提供第二衬底，并在所述第二衬底上形成导电层；将所述导电层与包括多个发光体的所述外延层键合；在所述导电层的一侧朝向所述外延层注入填充材料，使所述填充材料将各个所述发光体之间的间隙填充；去除所述第二衬底，并在所述外延层及所述导电层上形成键合电极。通过本申请实施例提供的一种发光二极管芯片及其制备方法，可以提高发光二极管芯片中导电层与电极层之间的连接性能稳定性。

技术研发人员：闫华杰,王明星,孙倩,高天航,赵加伟,张迎香
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/4/7