Mos开关电路的制作方法
【技术领域】
[000。 本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种M0S开关电路。
【背景技术】
[0002] 图1是现有M0S开关电路的电路图；现有M0S开关电路直接由NM0S开关管101组 成，输入信号Vin连接NM0S开关管101的源极、输出信号Vout从NM0S开关管101的漏极输 出，NM0S管101的栅极连接控制信号en，当控制信号en为低电平，NM0S开关管101截止； 当控制信号en为高电平，NM0S开关管101工作于深H极管区，此时M0S开关电路即NM0S开 关管101的导通电阻由下式给出：
[0003]
【主权项】
1. 一种MOS开关电路，其特征在于，包括：NMOS开关管、电容和由多个切换开关组成的 切换开关网络； 所述NM0S开关管的源极接输入信号、漏极接输出信号； 所述电容的第一端和电源电压之间设置有至少一个第一切换开关，所述电容的第一端 和所述NM0S开关管的栅极之间有至少一个第二切换开关；所述电容的第二端和地之间设 置有至少一个第H切换开关，所述电容的第二端和所述NM0S开关管的源极之间有至少一 个第四切换开关；所述NM0S开关管的栅极和地之间设置有至少一个第五切换开关； M0S开关电路包括开关截止和开关导通两种工作状态，所述第一切换开关、所述第H切 换开关和所述第五切换开关的开关状态由同一控制信号控制，所述第二切换开关和所述第 四切换开关的开关状态由所述控制信号的反相信号控制；通过所述控制信号及其反相信号 对各所述切换开关的控制实现所述M0S开关电路在两种工作状态之间的切换； 在开关截止状态时，所述第一切换开关、所述第H切换开关和所述第五切换开关导通， 所述第二切换开关和所述第四切换开关断开，所述电容的两端连接在电源电压和地之间从 而实现充电，所述NM0S开关管的栅极接地从而使所述NM0S开关管截止； 在开关导通状态时，所述第一切换开关、所述第H切换开关和所述第五切换开关断开， 所述第二切换开关和所述第四切换开关导通，所述电容的两端连接在所述NM0S开关管的 栅极和源极之间并使所述NM0S开关管的栅源电压保持稳定，所述NM0S开关管的栅极和地 之间断开，所述NM0S开关管导通。
2. 如权利要求1所述的M0S开关电路，其特征在于： 所述电容为M0S电容，所述M0S电容由源漏极连接在一起的PM0S管或NM0S管组成； 所述切换开关网络包括9个NM0S管W及5个PM0S管； 第一 NM0S管的漏极、第二NM0S管的漏极、第一 PM0S管的源极、第六NM0S管的漏极、第 走NM0S管的漏极W及第四PM0S管的源极都连接所述NM0S开关管的源极； 所述控制信号连接到所述第六NM0S管、所述第二NM0S管、第五PM0S管、第八NM0S管 和第九NM0S管的栅极； 所述控制信号通过一反相器得到所述控制信号的反相信号，所述反相信号连接到所述 第一 PM0S管、所述第四PM0S管、第四NM0S管和第五NM0S管的栅极； 所述NM0S开关管的栅极连接所述第一 NM0S管的栅极、第二PM0S管的漏极、所述第九 NM0S管的源极、第H NM0S管的漏极、所述第走NM0S管的栅极和第H PM0S管的栅极； 所述M0S电容的栅极连接所述第二PM0S管的源极和所述第H PM0S管的源极； 所述M0S电容的源漏极都连接所述第一 NM0S管的源极、所述第二NM0S管的源极、所述 第一 PM0S管的漏极和所述第五NM0S管的漏极； 所述第五PM0S管的源极、所述第H PM0S管的漏极、所述第八NM0S管的漏极和所述第 九NM0S管的漏极都连接所述电源电压； 所述第四PM0S管的漏极、所述第五PM0S管的漏极、所述第六NM0S管的源极、所述第走 NM0S管的源极、所述第二PM0S管的栅极和所述第H NM0S管的栅极连接在一起； 所述第四NM0S管的源极和所述第五NM0S管的源极都接地； 所述第H NM0S管的源极、所述第四NM0S管的漏极和所述第八NM0S管的源极连接在一 起； 所述控制信号为低电平时，所述第H NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五醒OS管、所 述第HPM0S管和所述第五PM0S管导通，所述第一 NM0S管、所述第二NM0S管、所述第六NM0S 管、所述第走NM0S管、所述第八NM0S管、所述第九NM0S管、所述第一 PM0S管、所述第二PM0S 管和所述第四PM0S管截止，所述NM0S开关管截止，所述M0S电容充电； 所述控制信号为高电平时，所述第H NM0S管、所述第四NM0S管、所述第五NM0S管、所 述第H PM0S管和所述第五PM0S管截止，所述第一 NM0S管、所述第二NM0S管、所述第六NM0S 管、所述第走NM0S管、所述第八NM0S管、所述第九NM0S管、所述第一 PM0S管、所述第二PM0S 管和所述第四PM0S管导通，所述M0S电容的两端连接在所述NM0S开关管的栅极和源极之 间，所述NM0S开关管导通。
3.如权利要求1或2所述的M0S开关电路，其特征在于；所述输入信号的摆幅为满幅 度电源电压摆幅。
【专利摘要】本发明公开了一种MOS开关电路，包括：NMOS开关管、电容和由多个切换开关组成的切换开关网络，通过控制信号对切换开关网络进行切换实现电路在截止和导通两种状态的切换；在截止状态时电容的两端连接在电源电压和地之间从而实现充电，NMOS开关管的栅极接地从而使NMOS开关管截止；在导通状态时，NMOS开关管导通且电容的两端连接在述NMOS开关管的栅极和源极之间并使NMOS开关管的栅源电压保持稳定。本发明能使开关晶体管的导通电阻与输入电压无关，有效提高开关的线性；能提高输入信号的摆幅，实现满摆幅输入。
【IPC分类】H03K17-687
【公开号】CN104639133
【申请号】CN201310556694
【发明人】朱红卫, 赵郁炜
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月11日