声表面波滤波器封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种声表面波滤波器封装结构，属于半导体封装技术领域。
【背景技术】
[0002]声表面波滤波器利用压电材料上的声表面波的激发、传播与接收完成其滤波特性。声表面波波长在100μπι~2μπι的范围，是一种对其传播表面非常敏感的机械波。为了让声波元件中的声表面波在无干扰的情况下传播，封装中的芯片表面上方要有一个空腔。
[0003]传统声表面波滤波封装通常是将声表面波滤波器安装在LTCC或HTCC基片上，然后使用金属帽盖、顶部密封或包膜工艺对模块加以密封，形成空腔结构。
[0004]上述传统工艺方法存在以下不足和缺陷:
1、传统声表面波滤波器封装工艺，需要使用昂贵的聚合物膜、金属罩等材料，成本较尚;
2、使用LTCC或HTCC陶瓷基板，成本较高，为有机基板的3~4倍；需要进行模具的设计和制作，而且混料、流延、叠片、冲孔等工艺难度较大，陶瓷具有收缩性，成品率低；
3、声表面波封装过程中需要膜封装工序，该工序控制困难，使封装器件一致性差、可靠性低。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于克服上述不足，提供一种声表面波滤波器封装结构，它采用有机基板，取消膜封装工艺，不需要使用昂贵的陶瓷基板及膜封装需要的聚合物薄膜、金属罩等材料，大幅度简化工艺流程，能提高封装良率及降低成本。
[0006]本发明的目的是这样实现的:一种声表面波滤波器封装结构，它包括基板，所述基板正面金属线路层上设置有金属屏蔽墙，所述基板背面金属线路层上设置有表面金属层，所述金属屏蔽墙上通过胶膜倒装有芯片，所述芯片正面与基板正面的金属线路层之间通过导电金属柱相连接，所述基板、金属屏蔽墙和芯片之间形成空腔，所述基板正面金属屏蔽墙和芯片外围区域包封有塑封料。
[0007]所述导电金属柱位于金属屏蔽墙内侧。
[0008]所述金属屏蔽墙左右两侧设置有开口，所述导电金属柱设置成长方形，所述长方形的导电金属柱设置于开口内侧。
[0009]所述导电金属柱位于金属屏蔽墙外侧。
[0010]所述金属屏蔽墙左右两侧或四侧设置有开口，所述开口内侧设置有阻料墙。
[0011]所述基板正面的金属线路层与金属线路层之间跨设有单个或多个被动元件。
[0012]所述芯片上方设置有散热器。
[0013]所述基板背面的表面金属层米用金属球代替。
[0014]所述基板正面设置有多个倒装芯片。
[0015]与现有技术相比，本发明具有以下有益效果: 1、不需使用昂贵的陶瓷基板，只需使用普通常规的基板，可以有效的控制成本；
2、基板引脚正面镀有金属屏蔽墙，可以在芯片表面形成空腔，使声波元件中的声表面波在无干扰的情况下传播，封装制程工艺简单，可以省去复杂的膜封工序，避免使用昂贵的聚合物膜和金属罩等材料。
【附图说明】
[0016]图1为本发明一种声表面波滤波器封装结构实施例1的结构示意图。
[0017]图2为图1的俯视图。
[0018]图3为图2中金属屏蔽墙的另一实施例图。
[0019]图4为本发明一种声表面波滤波器封装结构实施例2的结构示意图。
[0020]图5为图4的俯视图。
[0021]图6为图5中金属屏蔽墙的另一实施例图。
[0022]图7为本发明一种声表面波滤波器封装结构实施例3的结构示意图。
[0023]图8为本发明一种声表面波滤波器封装结构实施例4的结构示意图。
[0024]图9为本发明一种声表面波滤波器封装结构实施例5的结构示意图。
[0025]图10为本发明一种声表面波滤波器封装结构实施例6的结构示意图。
[0026]图11为本发明一种声表面波滤波器封装结构实施例7的结构示意图。
[0027]其中:
基板I
金属屏蔽墙2 表面金属层3 芯片4
导电金属柱5 胶膜6 空腔7 塑封料8 被动元件9 散热器10 金属球11 开口 12 阻料墙13。
【具体实施方式】
[0028]实施例1:单芯片倒装四面无引脚(金属柱位于屏蔽墙内侧)
参见图1、图2，本发明一种声表面波滤波器封装结构，它包括基板1，所述基板I正面金属线路层上设置有金属屏蔽墙2，所述基板I背面金属线路层上设置有表面金属层3，所述金属屏蔽墙2上通过胶膜6倒装有芯片4，所述芯片4正面与基板I正面的金属线路层之间通过导电金属柱5相连接，所述导电金属柱5位于金属屏蔽墙2内侧，所述基板1、金属屏蔽墙2和芯片4之间形成空腔7，所述基板I正面金属屏蔽墙2和芯片4外围区域包封有塑封料8ο
[0029]图3为金属屏蔽墙的另一实施例图，图3中，所述金属屏蔽墙2左右两侧设置有开口 12，所述导电金属柱5设置成长方形，所述长方形的导电金属柱5设置于开口 12内侧，在塑封时能够阻挡塑封料，防止塑封料通过开口 12进入金属屏蔽墙2内部。
[0030]实施例2:单芯片倒装四面无引脚(金属柱位于屏蔽墙外侧)
参见图4，实施例2与实施例1的区别在于:所述导电金属柱5位于金属屏蔽墙2外侧。
[0031]参见图5、图6，所述金属屏蔽墙2左右两侧或四侧设置有开口 12，所述开口 12内侧设置有阻料墙13。
[0032]实施例3:单芯片倒装四面无引脚+被动元件
参见图7，实施例3与实施例1的区别在于:所述基板I正面的金属线路层与金属线路层之间跨设有单个或多个被动元件9。
[0033]实施例4:单芯片倒装四面无引脚+散热器
参见图8，实施例4与实施例1的区别在于:所述芯片4上方设置有散热器10。
[0034]实施例5:单芯片倒装四面无引脚+被动元件+散热器
参见图9，实施例5与实施例4的区别在于:所述基板I正面的金属线路层与金属线路层之间跨设有单个或多个被动元件9。
[0035]实施例6:多芯片平铺倒装四面无引脚
参见图10，实施例6与实施例1的区别在于:所述基板I正面设置有多个倒装芯片4。
[0036]实施例7:单芯片球栅阵列
参见图11，实施例7与实施例1的区别在于:所述基板I背面的表面金属层3采用金属球11代替。
【主权项】
1.一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:它包括基板(1)，所述基板(I)正面金属线路层上设置有金属屏蔽墙(2)，所述基板(I)背面金属线路层上设置有表面金属层(3)，所述金属屏蔽墙(2)上通过胶膜(6)倒装有芯片(4)，所述芯片(4)正面与基板(I)正面的金属线路层之间通过导电金属柱(5)相连接，所述基板(1)、金属屏蔽墙(2)和芯片(4)之间形成空腔(7)，所述基板(I)正面金属屏蔽墙(2)和芯片(4)外围区域包封有塑封料(8)。
2.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:所述导电金属柱(5)位于金属屏蔽墙(2)内侧。
3.根据权利要求2所述的一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:所述金属屏蔽墙(2)左右两侧中部设置有开口(12)，所述导电金属柱(5)设置成长方形，所述长方形的导电金属柱(5)设置于开口(12)内侧。
4.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:所述导电金属柱(5)位于金属屏蔽墙(2)外侧。
5.根据权利要求2或4所述的一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:所述金属屏蔽墙(2)左右两侧或四侧设置有开口(12)，所述开口(12)内侧设置有阻料墙(13)。
6.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:所述基板(I)正面的金属线路层与金属线路层之间跨设有单个或多个被动元件(9)。
7.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:所述芯片(4)上方设置有散热器(10)。
8.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:所述基板(I)背面的表面金属层(3)采用金属球(11)代替。
9.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器封装结构，其特征在于:所述基板(I)正面设置有多个倒装芯片(4)。
【专利摘要】本发明涉及一种声表面波滤波器封装结构，它包括基板（1），所述基板（1）正面设置有金属屏蔽墙（2），所述基板（1）背面设置有表面金属层（3），所述金属屏蔽墙（2）上通过胶膜（6）倒装有芯片（4），所述芯片（4）正面与基板（1）正面的金属线路层之间通过导电金属柱（5）相连接，所述基板（1）、金属屏蔽墙（2）和芯片（4）之间形成空腔（7），所述基板（1）正面金属屏蔽墙（2）和芯片（4）外围区域包封有塑封料（8）。本发明一种声表面波滤波器封装结构，它采用有机基板，取消膜封装工艺，不需要使用昂贵的陶瓷基板及膜封装需要的聚合物薄膜、金属罩等材料，大幅度简化工艺流程，能提高封装良率及降低成本。
【IPC分类】H01L23-31, H01L23-552, H03H9-64
【公开号】CN104868872
【申请号】CN201510189814
【发明人】包旭升, 孔海申, 徐林华, 王锦龙
【申请人】江苏长电科技股份有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年4月21日