非导电基材的导体线路的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种非导电基材的导体线路的制造方法。
【背景技术】
[0002]目前移动设备的天线使用MID(Molded Interconnect Devices)技术制备天线，仍然以LDS制程(Laser Direct Structuring，简称LDS)为市场主流，在之后的发展上，各厂商推出的新技术须增加制程工站来达成在非导电基材上制备天线，如ETS制程(Etching forThree-dimens1nal Structures，三维蚀刻技术)、LAP制程(laser Activating Plating，镭射化学活化金属镀)等，但也因此降低产品良率和增加生产成本。
[0003]ETS制程一般包含如下步骤，第1步:提供非导电基材;第2步:在非导电基材上喷涂树脂油墨;第3步:利用镭射雕刻天线图案，烧除图案位置的树脂油墨，裸露的基材形成粗糙表面;第4步:使用溅镀沉积铜层或镍/铜金属作非导电基材金属化;第5步:使用湿式法剥除基材上剩余的树脂油墨，去除沉积于树脂油墨上的金属层;最后，使用化学镀或电镀增厚金属层。
[0004]请参阅中国发明专利公开第CN104975276号所揭露的LAP制程，其一般包含如下步骤:第1步，提供非导电基材;第2步，在基材表面进行线路镭雕，实现镭雕表面粗化;第3步，清洗镭雕非导电基材，第4步，再置入化学溶液中进行化学粗化，化学溶液优选高锰酸钾，第5步，清洁及还原非导电基材，还原是利用双氧水将残留在非导电基材表面的高锰酸钾由深紫色还原为无色;第6步，非导电基材置入第一活化剂进行第一次活化，第7步，非导电基材置入第二活化剂中进行第二次活化，第一活化剂和第二活化剂是采用两种不同的活化溶液;第8步，非导电基材置入化学镀液进行金属沉积，形成导体线路;最后，使用化学镀或电镀增厚金属层。
[0005]ETS与LAP制程的步骤多，流程长，耗时多，生产效率低，生产成本高。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供了一种步骤少、流程短的非导电基材的导体线路的制造方法。
[0007]为实现前述目的，本发明采用如下技术方案:一种非导电基材的导体线路的制造方法，其包含如下步骤:第1步，提供一非导电基材;第2步，利用镭射雕刻非导电基材表面，非导电基材表面形成有无数的微孔隙；第3步，非导电基材浸泡金属触媒活化液中进行活化，使金属触媒镶入吸附在微孔隙中，未被镭雕的非导电基材表面未被活化；以及最后，在吸附有金属触媒的非导电基材表面，利用化学镀或电镀沉积金属层，该金属层作为导体线路。
[0008]本发明非导电基材的导体线路的制造方法的步骤少，流程短，耗时少，生产效率高，降低了生产成本。
【附图说明】
[0009]图1为本发明非导电基材的导体线路的制造方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0010]请参阅图1所示，本发明非导电基材的导体线路的制造方法，包含如下步骤:
第1步，提供一非导电基材10，材质采用业界常规材料，包括但不限于PC、PC、ABS或尼龙等。
[0011]第2步，利用镭射雕刻(镭雕)非导电基材10表面，在非导电基材100表面形成有无数的微孔隙，锡射不受制于特定或单一波长，选择353nm~1064nm之间。
[0012]第3步，非导电基材10浸泡金属触媒活化液中进行活化，使金属触媒20镶入吸附在微孔隙中，未被镭雕的非导电基材10表面未被活化，金属触媒20的选择为钯、金、银、铜、镍或锡等金属。本发明优先采用纳米钯触媒，奈米钯触媒的粒径分布在lOOnm?lOOOnm之间。
[0013]最后，在吸附有金属触媒20的非导电基材10表面，利用化学镀或电镀沉积金属层30，该金属层30作为导体线路。
[0014]业界常用的触媒为锡钯胶体，浸泡后需再速化去锡步骤，本发明化镀前处理为浸泡奈米钯触媒，浸泡后可直接化镀，无需速化去锡。
[0015]本发明非导电基材的导体线路的制造方法的步骤少，流程短，耗时少，生产效率高，降低了生产成本。
[0016]尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。
【主权项】
1.一种非导电基材的导体线路的制造方法，其包含如下步骤: 第1步，提供一非导电基材； 第2步，利用镭射雕刻非导电基材表面，非导电基材表面形成有无数的微孔隙； 第3步，非导电基材浸泡金属触媒活化液中进行活化，使金属触媒镶入吸附在微孔隙中，未被镭雕的非导电基材表面未被活化;以及 最后，在吸附有金属触媒的非导电基材表面，利用化学镀或电镀沉积金属层，该金属层作为导体线路。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述金属触媒的选择为钯、金、银、铜、镍或锡。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述金属触媒的选择为纳米钯触媒，纳米钯触媒的粒径分布在lOOnm?lOOOnm之间。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述锡射的波长为353nm~1064nm。
【专利摘要】本发明涉及一种非导电基材的导体线路的制造方法，其包含如下步骤：第1步，提供一非导电基材；第2步，利用镭射雕刻非导电基材表面，非导电基材表面形成有无数的微孔隙；第3步，非导电基材浸泡金属触媒活化液中进行活化，使金属触媒镶入吸附在微孔隙中，未被镭雕的非导电基材表面未被活化；以及最后，在吸附有金属触媒的非导电基材表面，利用化学镀或电镀沉积金属层，该金属层作为导体线路。本发明非导电基材的导体线路的制造方法的步骤少，流程短，耗时少，生产效率高，降低生产成本。
【IPC分类】H05K3/18
【公开号】CN105451456
【申请号】CN201510893886
【发明人】许建彬, 陈誉尉, 苏承鋐, 林国祥
【申请人】昆山联滔电子有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年12月8日