实现低压到高压的转换电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及转换电路，尤其涉及到实现低压到高压的转换电路。
【背景技术】
[0002]在电源系统中，有低电压转换到高电压的转换，需要把低电压信号传到高电压电路。
【发明内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种实现低压到高压的转换电路。
[0004]实现低压到高压的转换电路，包括第一 PMOS管、第一电阻、第一 NMOS管、第二 PMOS管、第二电阻、第二 NMOS管、第一 NPN管、第二 NPN管、第一 DMOS管和第三电阻:
[0005]所述第一 PMOS管的栅极接输入IN和所述第一 NMOS管的栅极，源极接1V电源，漏极接所述第一电阻的一端；
[0006]所述第一电阻的一端接所述第一 PMOS管的漏极，另一端接所述第一 NMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的栅极；
[0007]所述第一 NMOS管的栅极接输入IN和所述第一 PMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二 PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的栅极；
[0008]所述第二 PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一 NMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接1V电源，漏极接所述第二电阻的一端；
[0009]所述第二电阻的一端接所述第二 PMOS管的漏极，另一端接所述第二 NMOS管的漏极和所述第一 NPN管的集电极和所述第一 DMOS管的栅极；
[0010]所述第二 NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一 NMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第二电阻的一端和所述第一 NPN管的集电极和所述第一 DMOS管的栅极；
[0011]所述第一 NPN管的基极接所述第二 NPN管的基极和集电极和所述第一 DMOS管的源极，集电极接所述第二电阻的一端和所述第二 NMOS管的漏极和所述第一 DMOS管的栅极，发射极接地；
[0012]所述第二 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管的基极和所述第一DMOS管的源极，发射极接地；
[0013]所述第一 DMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二 NMOS管的漏极和所述第一 NPN管的集电极，源极接所述第一 NPN管的基极和所述第二 NPN管的基极和集电极，漏极接所述第三电阻的一端并作为整个转换电路的输出；
[0014]所述第三电阻的一端接600V电源，另一端接所述第一 DMOS管的漏极并作为整个转换电路的输出。
[0015]所述第一 PMOS管、所述第一电阻和所述第一 NMOS管构成反相器驱动由所述第二PMOS管、所述第二电阻和所述第二 NMOS管构成的反相器再去驱动所述第一 DMOS管，在设计管子尺寸上可以逐渐增加，提高驱动能力；所述第一电阻和所述第二电阻是为了限流分别保护所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管的源漏之间；输入IN和输出OUT相位反向，也即是输入IN为高电平时输出OUT为低电平，输入IN为低电平时输出OUT为高电平，输入的高电平和输出的高电平的电压不同，一个是1V电压，一个是600V电压；所述第一 NPN管和所述第二 NPN管构成镜像电流，当所述第一 DMOS管的栅极电压为高电平时，从600V电源到所述第三电阻和所述第一 DMOS管和所述第二 NPN管形成有电流的通路，此时输出OUT为低电平，所述第二 NPN管的电流通过镜像给所述第一 NPN管，使得所述第二 PMOS管导通时电流通过所述第二电阻和所述第一 NPN管流到地；所述第一 DMOS管具有高压工艺结构能够承受650V的耐压。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型的实现低压到高压的转换电路的电路图。
【具体实施方式】
[0017]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0018]实现低压到高压的转换电路，如图1所示，包括第一 PMOS管101、第一电阻102、第一NMOS 管 103、第二 PMOS 管 104、第二电阻 105、第二 NMOS 管 106、第一 NPN 管 107、第二 NPN管108、第一 DMOS管109和第三电阻110:
[0019]所述第一 PMOS管101的栅极接输入IN和所述第一 NMOS管103的栅极，源极接1V电源，漏极接所述第一电阻102的一端；
[0020]所述第一电阻102的一端接所述第一 PMOS管101的漏极，另一端接所述第一 NMOS管103的漏极和所述第二 PMOS管104的栅极和所述第二 NMOS管106的栅极；
[0021]所述第一 NMOS管103的栅极接输入IN和所述第一 PMOS管101的栅极，源极接地，漏极接所述第一电阻102的一端和所述第二 PMOS管104的栅极和所述第二 NMOS管106的栅极；
[0022]所述第二 PMOS管104的栅极接所述第一电阻102的一端和所述第一 NMOS管103的漏极和所述第二 NMOS管106的栅极，源极接1V电源，漏极接所述第二电阻105的一端；
[0023]所述第二电阻105的一端接所述第二PMOS管104的漏极，另一端接所述第二NMOS管106的漏极和所述第一 NPN管107的集电极和所述第一 DMOS管109的栅极；
[0024]所述第二 NMOS管106的栅极接所述第一电阻102的一端和所述第一 NMOS管103的漏极和所述第二 PMOS管104的栅极，源极接地，漏极接所述第二电阻105的一端和所述第一 NPN管107的集电极和所述第一 DMOS管109的栅极；
[0025]所述第一 NPN管107的基极接所述第二 NPN管108的基极和集电极和所述第一DMOS管109的源极，集电极接所述第二电阻105的一端和所述第二 NMOS管106的漏极和所述第一 DMOS管109的栅极，发射极接地；
[0026]所述第二 NPN管108的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管107的基极和所述第一 DMOS管109的源极，发射极接地；
[0027]所述第一 DMOS管109的栅极接所述第二电阻105的一端和所述第二 NMOS管106的漏极和所述第一 NPN管107的集电极，源极接所述第一 NPN管107的基极和所述第二 NPN管108的基极和集电极，漏极接所述第三电阻110的一端并作为整个转换电路的输出；
[0028]所述第三电阻110的一端接600V电源，另一端接所述第一 DMOS管109的漏极并作为整个转换电路的输出。
[0029]所述第一 PMOS管101、所述第一电阻102和所述第一 NMOS管103构成反相器驱动由所述第二 PMOS管104、所述第二电阻105和所述第二 NMOS管106构成的反相器再去驱动所述第一 DMOS管109，在设计管子尺寸上可以逐渐增加，提高驱动能力；所述第一电阻102和所述第二电阻105是为了限流分别保护所述第一 PMOS管101和所述第二 PMOS管104的源漏之间；输入IN和输出OUT相位反向，也即是输入IN为高电平时输出OUT为低电平，输入IN为低电平时输出OUT为高电平，输入的高电平和输出的高电平的电压不同，一个是1V电压，一个是600V电压；所述第一 NPN管107和所述第二 NPN管108构成镜像电流，当所述第一 DMOS管109的栅极电压为高电平时，从600V电源到所述第三电阻110和所述第一DMOS管109和所述第二 NPN管108形成有电流的通路，此时输出OUT为低电平，所述第二NPN管108的电流通过镜像给所述第一 NPN管107，使得所述第二 PMOS管104导通时电流通过所述第二电阻105和所述第一 NPN管107流到地；所述第一 DMOS管109具有高压工艺结构能够承受650V的耐压。
【主权项】
1.实现低压到高压的转换电路，其特征在于，包括第一 PMOS管、第一电阻、第一 NMOS管、第二 PMOS管、第二电阻、第二 NMOS管、第一 NPN管、第二 NPN管、第一 DMOS管和第三电阻: 所述第一 PMOS管的栅极接输入IN和所述第一 NMOS管的栅极，源极接1V电源，漏极接所述第一电阻的一端； 所述第一电阻的一端接所述第一 PMOS管的漏极，另一端接所述第一 NMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的栅极； 所述第一 NMOS管的栅极接输入IN和所述第一 PMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二 PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的栅极； 所述第二 PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一 NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接1V电源，漏极接所述第二电阻的一端； 所述第二电阻的一端接所述第二 PMOS管的漏极，另一端接所述第二 NMOS管的漏极和所述第一 NPN管的集电极和所述第一 DMOS管的栅极； 所述第二 NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一 NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第二电阻的一端和所述第一 NPN管的集电极和所述第一 DMOS管的栅极； 所述第一 NPN管的基极接所述第二 NPN管的基极和集电极和所述第一 DMOS管的源极，集电极接所述第二电阻的一端和所述第二 NMOS管的漏极和所述第一 DMOS管的栅极，发射极接地； 所述第二 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管的基极和所述第一 DMOS管的源极，发射极接地； 所述第一 DMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二 NMOS管的漏极和所述第一NPN管的集电极，源极接所述第一 NPN管的基极和所述第二 NPN管的基极和集电极，漏极接所述第三电阻的一端并作为整个转换电路的输出； 所述第三电阻的一端接600V电源，另一端接所述第一 DMOS管的漏极并作为整个转换电路的输出。
【专利摘要】本实用新型公开了一种实现低压到高压的转换电路。实现低压到高压的转换电路包括第一PMOS管、第一电阻、第一NMOS管、第二PMOS管、第二电阻、第二NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一DMOS管和第三电阻。利用本实用新型提供的转换电路能够实现低压到高压转换。
【IPC分类】H03K19-0185
【公开号】CN204392224
【申请号】CN201520140800
【发明人】王文建
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月12日