一种气相沉积膜设备用辐射屏蔽装置的制造方法
【专利说明】
[0001]技术领域:本实用新型涉及一种辐射屏蔽装置，尤其是一种气相沉积膜设备用辐射屏蔽装置。
[0002]【背景技术】:气相沉积膜设备在沉积过程中需要向腔室内导入高能量帮助反应。将电能通过极板导入腔室时，极板外围会产生高能的电磁辐射，因此需要使用一种屏蔽装置来屏蔽高能量产生的电场辐射。
[0003]【实用新型内容】:针对上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种气相沉积膜设备用辐射屏蔽装置。
[0004]为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是:一种气相沉积膜设备用辐射屏蔽装置，包括能量输出装置，极板，金属屏蔽罩和腔室。能量输出装置与极板连接。金属屏蔽罩设置在能量输出装置和极板之间。极板设置在腔室的上端。金属屏蔽罩是由外面的金属罩和内部的支撑框架构成的方型开口结构，金属罩的外表面设有导电膜。金属罩与极板接触处设有弹性结构导体。
[0005]优选的，所述的弹性结构导体为片状、条状、圆柱状等结构。
[0006]本实用新型在屏蔽高能量产生的电场辐射同时，可以作为极板与能量输出(过滤、匹配)装置之间接地回路，并承载能量输出(过滤、匹配)装置的自身重量，而且弹性结构导体可以保证良好的屏蔽效果。
【附图说明】
:
[0007]图1是本实用新型的结构示意图。
[0008]图2是去掉金属罩后的结构示意图。
[0009]图3是片状弹性结构导体的结构示意图。
[0010]图4是片状弹性结构所处位置的结构示意图。
[0011]图5是条状弹性结构导体的结构示意图。
[0012]图6是圆柱状弹性结构导体的结构示意图。
【具体实施方式】
:
[0013]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清晰、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0014]如图1和图2所不:一种气相?几积I旲设备用福射屏蔽装置，包括能星输出装置I，极板4，金属屏蔽罩2和腔室3。能量输出装置I与极板4连接。金属屏蔽罩2设置在能量输出装置I和极板4之间。极板4设置在腔室3的上端。为减少能量通道对高能量流造成损耗，要尽量缩短能量通道，所以将能量输出装置I安装在金属屏蔽罩2上。为了增加金属屏蔽罩2的承受载荷的能力，在金属屏蔽罩2内部使用框架支撑结构5，承载能量输出装置I的自身重量。金属屏蔽罩2除了屏蔽电场辐射功能外，同时负担极板4与能量输出装置I之间接地回路的功能。为保证接地回路功能，屏蔽装置采用表面导电处理的方式，增腔金属屏蔽罩2本体的导电能力。金属罩与极板4接触处设有弹性结构导体。金属罩的形状轮廓与极板4形状轮廓相关联，保证将极板4包裹覆盖，屏蔽电场辐射。
[0015]如图3-图6所示:为了保障电场辐射屏蔽功能与接地回路导通功能的可靠性，金属屏蔽罩2与极板4的连接接触边缘缝要紧密连接，不能有任何缝隙。为了保证紧密连接，在金属屏蔽罩2与极板4的连接接触面，设置了片状、条状或圆柱状弹性结构导体7，其上端紧贴金属罩下压6，下端压紧在极板4上，利用其弹性结构保证紧密连接。
【主权项】
1.一种气相沉积膜设备用辐射屏蔽装置，其特征在于:包括能量输出装置，极板，金属屏蔽罩和腔室；能量输出装置与极板连接，金属屏蔽罩设置在能量输出装置和极板之间，极板设置在腔室的上端，金属屏蔽罩是由外面的金属罩和内部的支撑框架构成的方型开口结构，金属罩的外表面设有导电膜，金属罩与极板接触处设有弹性结构导体。2.如权利要求1所述的一种气相沉积膜设备用辐射屏蔽装置，其特征在于:所述的弹性结构导体为片状、条状、圆柱状结构。
【专利摘要】一种气相沉积膜设备用辐射屏蔽装置，包括能量输出装置，极板，金属屏蔽罩和腔室。能量输出装置与极板连接。金属屏蔽罩设置在能量输出装置和极板之间。极板设置在腔室的上端。金属屏蔽罩是由外面的金属罩和内部的支撑框架构成的方型开口结构，金属罩的外表面设有导电膜。金属罩与极板接触处设有弹性结构导体。本实用新型在屏蔽高能量产生的电场辐射同时，可以作为极板与能量输出(过滤、匹配)装置之间接地回路，并承载能量输出(过滤、匹配)装置的自身重量，而且弹性结构导体可以保证良好的屏蔽效果。
【IPC分类】C23C16/44, C23C14/22, H05K9/00
【公开号】CN204634263
【申请号】CN201520336879
【发明人】王燚, 刘亿军
【申请人】沈阳拓荆科技有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月21日