一种反占空比的方波信号放大电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种反占空比的方波信号放大电路，其应用于微电子电路设计。
【背景技术】
[0002]在微电子电路和芯片电路当中常会设计通过周期方波作为电路的控制信号或驱动信号，最简单的是直接引接电路时钟信号，但电路时钟信号一般的电压幅值是在3.4V至5V之间，这就较难实现对后续电路的控制或驱动。所以，需要增设幅值转换电路，将方波的有效周期电压幅值提升至足够值，以满足控制或驱动的需求。此外，还考虑到某些电路所要求的驱动信号占空比与时钟信号相反的，希望在放大的同时直接实现占空比的反向，故有本专利申请。
【实用新型内容】
[0003]为解决【背景技术】中所提及的问题，本实用新型提出一种反占空比的方波信号放大电路，其具体技术方案如下:
[0004]—种反占空比的方波信号放大电路，具有输入端和输出端，主要系由第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管和第二 NMOS管组成，所述第一 PMOS管与第一 NMOS管串联接于第一电源端与地端之间，且第一 PMOS管的栅极和第一 NMOS管的栅极共同连接至所述输入端，第一 PMOS管与第一 NMOS管的连接点连接至所述输出端；所述第二 PMOS管的栅极连接所述输出端，其源极连接所述第一电源端，其漏极连接至所述第一 PMOS管的栅极；第二NMOS管连接于所述输入端与第一 PMOS管、第一 NMOS管的栅极之间，所述第二 NMOS管的栅极连接至第二电源端；所述第一电源端具有第一直流电压，所述第二电源端具有第二直流电压。
[0005]于本实用新型的一个或多个实施例当中，所述第一 PMOS管的源极连接所述第一电源端，其漏极连接所述第一 NMOS管的源极，所述第一 NMOS管的漏极连接地端。
[0006]于本实用新型的一个或多个实施例当中，所述第一直流电压的可取范围是+1V至+30V，所述第二直流电压的可取范围是+5V至+10V。
[0007]于本实用新型的一个或多个实施例当中，所述第一直流电压为+15V，所述第二直流电压为+5V。
[0008]本实用新型的优越性体现在:将低电压幅值的方波以反占空比转换成放大为足够电压幅值的信号输出，满足控制或驱动的需求；同时，本实用新型电路结构简单、实用，只需调整第一电源端的电压值便可轻松获得所需电压幅值，方便电子工程师灵活获取适合幅值的方波信号。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型之具体电路结构示意图。
[0010]图2为本实用新型输入端与输出端的信号对照示意图。
【具体实施方式】
[0011]如下结合附图1-2，对本申请方案作进一步描述:
[0012]—种反占空比的方波信号放大电路，具有输入端和输出端，主要系由第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管和第二 NMOS管组成，所述第一 PMOS管与第一 NMOS管串联接于第一电源端与地端之间，且第一 PMOS管的栅极和第一 NMOS管的栅极共同连接至所述输入端，第一 PMOS管与第一 NMOS管的连接点连接至所述输出端；所述第二 PMOS管的栅极连接所述输出端，其源极连接所述第一电源端，其漏极连接至所述第一 PMOS管的栅极；第二NMOS管连接于所述输入端与第一 PMOS管、第一 NMOS管的栅极之间，所述第二 NMOS管的栅极连接至第二电源端；所述第一电源端具有第一直流电压，所述第二电源端具有第二直流电压。
[0013]所述第一 PMOS管的源极连接所述第一电源端，其漏极连接所述第一 NMOS管的源极，所述第一 NMOS管的漏极连接地端。
[0014]具体实施原理:(所述输入端处输入幅值为+5V的周期方波，第一直流电压为+15V，所述第二直流电压为+5V)
[0015]所述第二 NMOS管的栅极常接+5V直流电压，处于常开状态，+5V的周期方波直接通过连接至所述第一 PMOS管、第一 NMOS管的栅极；
[0016]当方波的“5V”到来时，所述第一 PMOS管Tl截止，第一 NMOS管T3导通，从而将输出端OUT的电压拉低至OV ;所述第二 PMOS管的栅极电压拉低，令其导通，拉高第一 PMOS管栅的电压，以保证其截止；
[0017]当方波的“O”到来时，所述第一 PMOS管导通，第一 NMOS管截止，从而令输出羰OUT的电压拉高至+15V ;所述第二 PMO管的栅极电压拉高，令其截止；
[0018]所述第二 NMOS管利用PN结电气特性，令第二 PMOS管导通时+15V电压不会回涌，起到隔离、保护方波信号源的作用。
[0019]由上述方式，便能对+5V周期方波信号的以反占空比正向放大，产生+15V周期方波信号，满足后续电路的驱动电压需求；同理，合理选择第一电源端的电压值，便能产生对应电压幅值的信号输出，灵活且方便。
[0020]上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。
【主权项】
1.一种反占空比的方波信号放大电路，具有输入端和输出端，其特征在于:主要系由第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管和第二 NMOS管组成，所述第一 PMOS管与第一 NMOS管串联接于第一电源端与地端之间，且第一 PMOS管的栅极和第一 NMOS管的栅极共同连接至所述输入端，第一 PMOS管与第一 NMOS管的连接点连接至所述输出端；所述第二 PMOS管的栅极连接所述输出端，其源极连接所述第一电源端，其漏极连接至所述第一 PMOS管的栅极；第二 NMOS管连接于所述输入端与第一 PMOS管、第一 NMOS管的栅极之间，所述第二 NMOS管的栅极连接至第二电源端；所述第一电源端具有第一直流电压，所述第二电源端具有第二直流电压。2.根据权利要求1所述的一种反占空比的方波信号放大电路，其特征在于:所述第一PMOS管的源极连接所述第一电源端，其漏极连接所述第一 NMOS管的源极，所述第一 NMOS管的漏极连接地端。3.根据权利要求2所述的一种反占空比的方波信号放大电路，其特征在于:所述第一直流电压的可取范围是+1V至+30V，所述第二直流电压的可取范围是+5V至+10V。4.根据权利要求3所述的一种反占空比的方波信号放大电路，其特征在于:所述第一直流电压为+15V，所述第二直流电压为+5V。
【专利摘要】本实用新型提出一种反占空比的方波信号放大电路，具有输入端和输出端，其特征在于：主要系由第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成，所述第一PMOS管与第一NMOS管串联接于第一电源端与地端之间，且第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极共同连接至所述输入端，第一PMOS管与第一NMOS管的连接点连接至所述输出端；所述第二PMOS管的栅极连接所述输出端，其源极连接所述第一电源端，其漏极连接至所述第一PMOS管的栅极；第二NMOS管连接于所述输入端与第一PMOS管、第一NMOS管的栅极之间，所述第二NMOS管的栅极连接至第二电源端。本实用新型电路结构简单、实用，只需调整第一电源端的电压值便可轻松获得所需电压幅值，方便电子工程师灵活获取适合幅值的方波信号。
【IPC分类】H03K5/13
【公开号】CN204810246
【申请号】CN201520422597
【发明人】方镜清
【申请人】中山芯达电子科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月18日