一种负压输出的电源芯片的开关控制电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种负压输出的电源芯片的开关控制电路，包括第一电阻、第二电阻以及控制开关，通过合理设置第一电阻、第二电阻以及控制开关之间的连接关系以及选用合理阻值的第一电阻和第二电阻，进而使得通过控制控制开关的开通或者关断以及第一电阻和第二电阻的分压有效的控制了负压输出的电源芯片的开启和关断。
【专利说明】
一种负压输出的电源芯片的开关控制电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及芯片的开关控制技术领域，特别是涉及一种负压输出的电源芯片的开关控制电路。
【背景技术】
[0002]大多数负压输出的电源芯片的连接方式如图1所示，其工作原理为:当使能控制信号对地电压高于电源芯片的打开门限电压时，电源芯片开始工作；当使能控制信号对地电压低于电源芯片的关断门限电压时，电源芯片关断。但是由于负压输出的电源芯片的输出为负压，即地上的电压为负而非正常所认为的OV，因此，即使使能脚上的电压为OV，其相对于输出端来说也是高电压，若该压差大于使能脚的打开门限电压，也即使能关断门限电压-输出电压〉打开门限电压，则芯片会处于一直开启的状态，无法关断。
[0003]因此，如果能够提供一种能够有效控制负压输出的电源芯片的开启和关断是本领域技术人员目前需要解决的问题。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是提供一种负压输出的电源芯片的开关控制电路，有效控制了负压输出的电源芯片的开启和关断。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种负压输出的电源芯片的开关控制电路，包括第一电阻、第二电阻以及控制开关，其中:
[0006]所述第一电阻的I端口与所述电源芯片的输入端连接，所述第一电阻的2端口分别与所述电源芯片的使能端以及所述控制开关的输入端连接，所述控制开关的输出端通过所述第二电阻与所述电源芯片的接地端连接，所述控制开关的使能端与使能控制信号输入端连接，其中，在所述控制开关断开时，所述第一电阻的阻值满足使得所述电源芯片的使能端的电压大于所述电源芯片的打开门限电压;在所述控制开关关断时，所述第一电阻与所述第二电阻的比值满足使得所述电源芯片的使能端的电压小于所述电源芯片的关断门限电压。
[0007]优选地，所述控制开关具体包括第一 NM0S、NPN型三极管、第三电阻以及第四电阻，所述第一NMOS为增强型N沟道MOSFET，其中:
[0008]所述第一匪OS的漏极作为所述控制开关的输入端，所述第一NMOS的源极作为所述控制开关的输出端，所述第一 NMOS的栅极分别与所述NPN型三极管的集电极以及通过所述第三电阻与所述电源芯片的输入端连接，所述NPN型三极管的发射极接地，所述NPN型三极管的基极与所述第四电阻的I端口连接，所述第四电阻的2端口作为所述控制开关的使能端。
[0009]优选地，所述控制开关具体包括第二匪OS、非门、第五电阻以及第六电阻，所述第二NMOS为增强型N沟道MOSFET，其中:
[0010]所述第二匪OS的漏极作为所述控制开关的输入端，所述第二NMOS的源极作为所述控制开关的输出端，所述第二 NMOS的栅极分别与所述第六电阻的I端口以及通过所述第五电阻与所述电源芯片的输入端连接，所述第六电阻的2端口与所述非门的输出端连接，所述非门的输入端作为所述控制开关的使能端。
[0011]优选地，所述控制开关具体包括PM0S、第七电阻以及第八电阻，所述PMOS为耗尽型P沟道MOSFET，其中:
[0012]所述PMOS的源极作为所述控制开关的输入端，所述PMOS的漏极作为所述控制开关的输出端，所述PMOS的栅极分别与所述第八电阻的I端口以及通过所述第七电阻与所述PMOS的漏极连接，所述第八电阻的2端口作为所述控制开关的使能端。
[0013]优选地，所述第一电阻和第二电阻均为滑动变阻器。
[0014]优选地，所述第一电阻和第二电阻均为可调电阻。
[0015]本实用新型提供了一种负压输出的电源芯片的开关控制电路，包括第一电阻、第二电阻以及控制开关，在控制开关断开时，第一电阻的阻值使得电源芯片的使能端的电压大于电源芯片的打开门限电压;在控制开关闭合时，第一电阻与第二电阻的比值使得电源芯片的使能端的电压小于电源芯片的关断门限电压，可见，电源芯片的使能端是由电源芯片的输入端与输出端之间的分压来控制的，当需要电源芯片工作时，使能控制信号控制控制开关断开，利用输入端的输入电压的分压控制电源芯片开启工作；当需要电源芯片断开时，使能控制信号控制控制开关闭合，则电源芯片的使能端的信号会低于关断门限电压，从而控制电源芯片的关断，本实用新型有效控制了负压输出的电源芯片的开启和关断。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为现有技术中的负压输出的电源芯片的连接结构示意图；
[0018]图2为本实用新型提供的一种负压输出的电源芯片的开关控制电路的结构示意图；
[0019]图3为电源芯片工作时，图2的等效图；
[0020]图4为电源芯片关断时，图2的等效图；
[0021]图5为本实用新型提供的一种具体的负压输出的电源芯片的开关控制电路的结构示意图；
[0022]图6为本实用新型提供的另一种具体的负压输出的电源芯片的开关控制电路的结构示意图；
[0023]图7为本实用新型提供的另一种具体的负压输出的电源芯片的开关控制电路的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]本实用新型的核心是提供一种负压输出的电源芯片的开关控制电路，有效控制了负压输出的电源芯片的开启和关断。
[0025]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0026]请参照图2，图2为本实用新型提供的一种负压输出的电源芯片的开关控制电路的结构不意图，该开关控制电路包括:
[0027]第一电阻R1、第二电阻R2以及控制开关I，其中:
[0028]第一电阻Rl的I端口与电源芯片UI的输入端连接，第一电阻Rl的2端口分别与电源芯片Ul的使能端以及控制开关I的输入端连接，控制开关I的输出端通过第二电阻R2与电源芯片Ul的接地端连接，控制开关I的使能端与使能控制信号输入端连接，其中，在控制开关I断开时，第一电阻Rl的阻值满足使得电源芯片Ul的使能端的电压大于电源芯片Ul的打开门限电压;在控制开关I关断时，第一电阻Rl与第二电阻R2的比值满足使得电源芯片Ul的使能端的电压小于电源芯片Ul的关断门限电压。
[0029]首先需要说明的是，这里的接地端是指电源芯片Ul的GND端，实际上它是作为电源芯片Ul的输出端(输出负压)的。
[0030]作为优选地，第一电阻Rl和第二电阻R2均为滑动变阻器。
[0031]作为优选地，第一电阻Rl和第二电阻R2均为可调电阻。
[0032]当然，这里的第一电阻Rl和第二电阻R2还可以为其他类型的电阻，能够满足在控制开关I断开时，第一电阻Rl的阻值满足使得电源芯片Ul的使能端的电压大于电源芯片Ul的打开门限电压;在控制开关I闭合时，第一电阻Rl与第二电阻R2的比值满足使得电源芯片Ul的使能端的电压小于电源芯片Ul的关断门限电压即可。
[0033]可以理解的是，当需要电源芯片Ul工作时，则使能控制信号控制控制开关I断开，此时的等效图如图3所示，图3为电源芯片工作时，图2的等效图，因为要求在控制开关I断开时，第一电阻Rl的阻值满足使得电源芯片Ul的使能端的电压大于电源芯片Ul的打开门限电压，因此，此时电源芯片Ul将会开启工作。
[0034]另外，这里的第一电阻Rl的阻值是可调的，如果刚开始第一电阻Rl的阻值不能满足使得电源芯片Ul的使能端的电压大于电源芯片Ul的打开门限电压，则可对第一电阻Rl进行调节，直至其阻值能够使得电源芯片Ul的使能端的电压大于电源芯片Ul的打开门限电压。此外，在实际应用中，如果需要调节第一电阻Rl和第二电阻R2，也可以直接更换。
[0035]当需要电源芯片Ul关断时，则使能控制信号控制控制开关I闭合，此时的等效图如图4所示，图4为电源芯片关断时，图2的等效图，可以理解的是，使能端的电位由第一电阻Rl和第二电阻R2的比值决定，是由第一电阻Rl和第二电阻R2共同控制的，可以对第一电阻Rl和第二电阻R2进行适当调节，从而使得电源芯片Ul的使能端的电压小于电源芯片Ul的关断门限电压，因此，此时的电源芯片Ul将会关断。
[0036]另外，这里的第一电阻Rl和第二电阻R2的阻值是可调的，如果刚开始第一电阻Rl和第二电阻R2的比值不能满足使得电源芯片Ul的使能端的电压小于电源芯片Ul的关断门限电压，则可对第一电阻Rl和/或第二电阻R2进行调节，直至其比值能够使得电源芯片Ul的使能端的电压小于电源芯片Ul的关断门限电压。
[0037]作为优选地，控制开关I具体包括第一 NMOS 11、即~型三极管12、第三电阻1?3以及第四电阻R4，第一NMOS 11为增强型N沟道MOSFET，其中:
[0038]第一NMOS 11的漏极作为控制开关I的输入端，第一 NMOS 11的源极作为控制开关I的输出端，第一NMOS 11的栅极分别与NPN型三极管12的集电极以及通过第三电阻R3与电源芯片Ul的输入端连接，NPN型三极管12的发射极接地，NPN型三极管12的基极与第四电阻R4的I端口连接，第四电阻1?4的2端口作为控制开关I的使能端。
[0039]具体地，请参照图5所示，图5为本实用新型提供的一种具体的负压输出的电源芯片的开关控制电路的结构示意图。
[0040]需要说明的是，图5以及包括下面将提到的图6和图7中，电源芯片UlUl中的RUN弓I脚即为图2-图4中的EN使能端。
[0041]作为优选地，控制开关I具体包括第二 NMOS 13、非门14、第五电阻R5以及第六电阻R6，第二 NMOS 13为增强型N沟道MOSFET，其中:
[0042]第二NMOS 13的漏极作为控制开关I的输入端，第二 NMOS 13的源极作为控制开关I的输出端，第二NMOS 13的栅极分别与第六电阻R6的I端口以及通过第五电阻R5与电源芯片Ul的输入端连接，第六电阻1?6的2端口与非门14的输出端连接，非门14的输入端作为控制开关I的使能端。
[0043]具体地，请参照图6所示，图6为本实用新型提供的另一种具体的负压输出的电源芯片的开关控制电路的结构示意图。
[0044]作为优选地，控制开关I具体包括PMOS 15、第七电阻R7以及第八电阻R8，PM0S 15为耗尽型P沟道MOSFET，其中:
[0045]PMOS 15的源极作为控制开关I的输入端，PMOS 15的漏极作为控制开关I的输出端，PMOS 15的栅极分别与第八电阻R8的I端口以及通过第七电阻R7与PMOS 15的漏极连接，第八电阻R8的2端口作为控制开关I的使能端。
[0046]具体地，请参照图7所示，图7为本实用新型提供的另一种具体的负压输出的电源芯片的开关控制电路的结构示意图。
[0047]可以理解的是，这里的控制开关I还可以是其他结构，本实用新型在此不做特别的限定，能实现本实用新型的目的即可。
[0048]综上所述，本实用新型中，通过开关控制电路的引入，将原来电源芯片Ul的使能控制信号作为开关控制电路的使能控制信号，然后通过开关控制电路控制电源芯片Ul使能端的电压，从而达到控制电源芯片Ul通断的作用。在此效果下，即使电源芯片Ul输出为负电压，使能控制信号依然可以控制电源芯片Ul的通断。
[0049]本实用新型提供了一种负压输出的电源芯片的开关控制电路，包括第一电阻、第二电阻以及控制开关，在控制开关断开时，第一电阻的阻值使得电源芯片的使能端的电压大于电源芯片的打开门限电压;在控制开关闭合时，第一电阻与第二电阻的比值使得电源芯片的使能端的电压小于电源芯片的关断门限电压，可见，电源芯片的使能端是由电源芯片的输入端与输出端之间的分压来控制的，当需要电源芯片工作时，使能控制信号控制控制开关断开，利用输入端的输入电压的分压控制电源芯片开启工作；当需要电源芯片断开时，使能控制信号控制控制开关闭合，则电源芯片的使能端的信号会低于关断门限电压，从而控制电源芯片的关断，本实用新型有效控制了负压输出的电源芯片的开启和关断。
[0050]需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0051]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种负压输出的电源芯片的开关控制电路，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻以及控制开关，其中: 所述第一电阻的I端口与所述电源芯片的输入端连接，所述第一电阻的2端口分别与所述电源芯片的使能端以及所述控制开关的输入端连接，所述控制开关的输出端通过所述第二电阻与所述电源芯片的接地端连接，所述控制开关的使能端与使能控制信号输入端连接，其中，在所述控制开关断开时，所述第一电阻的阻值满足使得所述电源芯片的使能端的电压大于所述电源芯片的打开门限电压;在所述控制开关关断时，所述第一电阻与所述第二电阻的比值满足使得所述电源芯片的使能端的电压小于所述电源芯片的关断门限电压。2.如权利要求1所述的开关控制电路，其特征在于，所述控制开关具体包括第一NMOS、NPN型三极管、第三电阻以及第四电阻，所述第一NMOS为增强型N沟道MOSFET，其中: 所述第一匪OS的漏极作为所述控制开关的输入端，所述第一 NMOS的源极作为所述控制开关的输出端，所述第一匪OS的栅极分别与所述NPN型三极管的集电极以及通过所述第三电阻与所述电源芯片的输入端连接，所述NPN型三极管的发射极接地，所述NPN型三极管的基极与所述第四电阻的I端口连接，所述第四电阻的2端口作为所述控制开关的使能端。3.如权利要求1所述的开关控制电路，其特征在于，所述控制开关具体包括第二NM0S、非门、第五电阻以及第六电阻，所述第二NMOS为增强型N沟道MOSFET，其中: 所述第二匪OS的漏极作为所述控制开关的输入端，所述第二 NMOS的源极作为所述控制开关的输出端，所述第二 NMOS的栅极分别与所述第六电阻的I端口以及通过所述第五电阻与所述电源芯片的输入端连接，所述第六电阻的2端口与所述非门的输出端连接，所述非门的输入端作为所述控制开关的使能端。4.如权利要求1所述的开关控制电路，其特征在于，所述控制开关具体包括PM0S、第七电阻以及第八电阻，所述PMOS为耗尽型P沟道MOSFET，其中: 所述PMOS的源极作为所述控制开关的输入端，所述PMOS的漏极作为所述控制开关的输出端，所述PMOS的栅极分别与所述第八电阻的I端口以及通过所述第七电阻与所述PMOS的漏极连接，所述第八电阻的2端口作为所述控制开关的使能端。5.如权利要求1-4任一项所述的开关控制电路，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻均为滑动变阻器。6.如权利要求1-4任一项所述的开关控制电路，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻均为可调电阻。
【文档编号】H03K17/687GK205545189SQ201620197456
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年3月15日
【发明人】阳立, 王德刚
【申请人】湖南基石通信技术有限公司