专利名称：阴极射线管装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及利用偏转线圈使从电子枪发射出的多束电子束或一束电子束偏转，显示彩色图像或单色图像的阴极射线管装置，特别是涉及对画面的中间部与周边部的畸变差别进行补偿的阴极射线管装置。
通常彩色阴极射线管装置具备包含内表面形成荧光屏的大致为矩形的面板、玻锥(funnel)以及圆筒状的管颈(neck)的真空外壳，从配置于管颈内的电子枪发射出的多束电子束受到安装于玻锥的小直径部分到管颈外侧的偏转线圈的偏转，通过荫罩对荧光屏进行水平和垂直扫描，显示出彩色图像。而单色阴极射线管装置的电子枪用作发射单色电子束的电子枪，其结构是比彩色阴极射线管装置少荫罩的结构。
这样的彩色阴极射线管装置中，向荧光屏的对角端偏转的电子束经过的路程最长，并且通过最接近偏转线圈的位置。因此，本来应该成矩形的光栅(roster)畸变为枕形(pincushion)。通常，为了对这种畸变进行修正，在偏转线圈的荧光屏一侧的开口部上下配置具有辅助垂直偏转的极性的磁体，对上述光栅的上下端的畸变进行补偿。还有，对于光栅的左右端的畸变，采取使水平偏转电压作动态变化的方法进行补偿。
如上所述，阴极射线管装置由于向荧光屏对角端偏转的电子束通过的路程最长、而且通过最接近偏转线圈的位置，本来应该成矩形的光栅畸变为枕形。通常为了补偿这种畸变，在偏转线圈的荧光屏一侧的开口部上下以辅助垂直偏转的极性配置磁体，对所述光栅的上下端的畸变进行补偿。
但是利用磁体进行的补偿，在画面上下方向的中间比画面的上下周边部小，因此在中间部发生称为inner Kissen distorsion(日本电子工业标准EIAJ用语)的畸变。其结果是，画面上下方向的中间部与周边部之间产生畸变差。
这种畸变差在最近的大偏转角彩色阴极射线管装置和能够得到平面画面的彩色阴极射线管装置中变得明显，已经到了不能无视的程度。
本发明鉴于上述存在问题而作，其目的是提供能够补偿画面中间部与周边部的畸变差的阴极射线管装置。
为了达到上述目的，本发明的阴极射线管装置具备包含内表面有荧光屏同时具有水平轴与垂直轴的大致为矩形的面板、与上述面板连接的玻锥(funnel)、以及设置于玻锥的小直径部分的管颈的真空外壳、设置于上述管颈内，向所述荧光屏发射电子束的电子枪、安装于所述玻锥的小直径部分及管颈外围使所述电子束偏转以对所述荧光屏进行水平及垂直扫描的偏转线圈，这种偏转线圈具有使电子束向水平方向偏转的水平偏转线圈和使电子束向垂直方向偏转的垂直偏转线圈、与上述水平偏转线圈连接的被饱和控制线圈、与上述垂直偏转线圈连接的饱和控制线圈、缠绕所述被饱和控制线圈的可饱和铁心(core)、以及使所述可饱和铁心偏磁的磁体的调制器(modulator)，所述调制器设定得，使所述垂直偏转电路的电感沿着所述荧光屏的水平轴方向的变化或所述水平偏转电路的电感沿着所述荧光屏的垂直轴方向的变化在所述画面的中间部与周边部不同，以补偿在所述荧光屏上形成的画面在中间部与周边部的畸变差。
又，本发明的另一阴极射线管装置具备包含内表面有荧光屏同时具有水平轴与垂直轴的大致为矩形的面板、与上述面板连接的玻锥、以及设置于玻锥的小直径部分的管颈的真空外壳、设置于上述管颈内，向所述荧光屏发射电子束的电子枪、安装于所述玻锥的小直径部分及管颈外围使所述电子束偏转以对所述荧光屏进行水平及垂直扫描的偏转线圈，这种偏转线圈具有使电子束向水平方向偏转的水平偏转线圈和使电子束向垂直方向偏转的垂直偏转线圈、与上述水平偏转线圈连接的水平辅助线圈、与上述垂直偏转线圈连接的垂直辅助线圈、缠绕所述水平辅助线圈或垂直辅助线圈的可饱和铁心(core)、以及具有使所述可饱和铁心偏磁的磁体的畸变补偿元件，所述畸变补偿元件设定得，使所述垂直偏转电路的电感沿着所述荧光屏的水平轴方向的变化或所述水平偏转电路的电感沿着所述荧光屏的垂直轴方向的变化在所述画面的中间部与周边部不同，以补偿在所述荧光屏上形成的画面在中间部与周边部的畸变差。
图1是本发明的实施形态的彩色阴极射线管装置的部分剖开的立体图。
图2A是表示所述彩色阴极射线管装置的调制器的剖面图。
图2B是表示所述调制器的铁心的概略图。
图3A表示所述调制器的被饱和控制线圈与水平偏转线圈的连接结构。
图3B表示所述调制器的饱和控制线圈与垂直偏转线圈的连接结构。
图4A是所述调制器的磁通密度B与磁场强度H的关系曲线。
图4B是电感L与磁场强度H的关系曲线。
图5是说明利用所述调制器进行的聚焦修正的说明图。
图6A是表示画面的上下周边部的、所述调制器的各可饱和铁心的磁学状态的曲线。
图6B是表示画面的、各可饱和铁心上缠绕的线圈的电感的曲线。
图7A是表示画面的上下方向中间部的、所述调制器的各可饱和铁心的磁学状态的曲线。
图7B是表示画面的上下方向中间部的、各可饱和铁心上缠绕的线圈的电感的曲线。
图8是说明在画面上产生的称为inner Kissen distorsion的畸变的说明图。
图9是说明在画面上产生的其他称为inner Kissen distorsion的畸变的说明图。
图10是表示本发明其他实施形态的彩色阴极射线管装置的调制器的结构的剖面图。
图11是表示图10所示的调制器的被饱和控制线圈的、电感随垂直偏转电流变化的曲线。
图12A～图12E分别为表示设置图10所示的调制器的情况下整个画面上沿水平轴的垂直偏转电路的电感的变化的曲线。
图13A～图13E分别为表示设置图10所示的调制器的情况下整个画面上沿垂直轴的水平偏转电路的电感的变化的曲线。
图14表示设置所述调制器的彩色阴极射线管装置的畸变的变化。
图15是表示本发明又一实施形态的彩色阴极射线管装置的畸变修正元件的剖面图。
图16A表示所述畸变修正元件的水平修正线圈与水平偏转线圈的连接结构。
图16B表示所述畸变修正元件的垂直修正线圈与垂直偏转线圈的连接结构。
下面参照附图对本发明实施形态的成一列式结构(in line型)的彩色阴极射线管装置进行详细说明。
如图1所示，彩色阴极射线管装置具备真空外壳8，该真空外壳具有大致为矩形的面板10、与面板的裙边部分连接的玻锥11、以及圆筒状的管颈12。面板10具有通过管轴Z相互正交的水平轴X及垂直轴Y，同时在面板10内表面设置有发蓝、绿、红色光线的带状的3色荧光体层构成的荧光屏13。又在真空外壳8内与荧光屏13相对，在其内侧配置荫罩14。
另一方面，在管颈12内配置电子枪16，这种电子枪发射通过同一水平面的由中心束15G及一对边束15B、15R组成的成一列配置的3束电子束15B、15G、15R。又，从玻锥11的小直径部分到管颈的外围安装着偏转线圈17。
偏转线圈17包含发生使电子枪16发射出的3束电子束15B、15G、15R在水平方向(X轴方向)上偏转的磁场的水平偏转线圈和发生使其在垂直方向(Y轴方向)上偏转的磁场的垂直偏转线圈。该水平偏转线圈连接于对其进行驱动的水平偏转电路，而垂直偏转线圈连接于垂直偏转电路。
又，如下所述，在偏转线圈17附设对内部Kissen畸变等在画面中间部与周边部不同的畸变进行补偿的调制器或畸变补偿元件。利用附设调制器或畸变补偿元件的方法，能够对以往难于进行补偿的内部Kissen畸变等在画面中间部与周边部不同的畸变进行充分补偿，特别是适用于该畸变显著的大偏转角度的彩色阴极射线管装置和平面彩色阴极射线管装置能够得到很大的效果。
下面对上述调制器进行说明。
向来，附设于彩色阴极射线管装置的调制器是相应于垂直偏转电流使水平偏转磁场上下不对称，对例如成一列式结构(in line型)的彩色阴极射线管装置的交感错位聚焦(cross miss convergence)进行补偿的元件，公开于日本专利特公昭52-33449号公报、特公昭52-33451号公报、特开昭57-206148号公报、特公平1-29018号公报、特公平2-12429号公报、实公平1-39383号公报、实公平3-11800号公报、实开平2-86273号公报、或SPM(Slit wounded Precision deflection yoke withMagnetic current modulation)方式的高精密度偏转线圈公开于NationalTechnical Report No.2，Apl.1985。
如图2A、2B、3A及3B所示，调制器7具备分别串联连接于上下成对的水平偏转线圈19u、19d的1组被饱和控制线圈20a、20b及1组被饱和控制线圈20c、20d、连接于左右成对的垂直偏转线圈21R、21L的饱和控制线圈22、分别缠绕被饱和控制线圈20a～20d的2个一组的可饱和铁心23a～23d、缠绕饱和控制线圈22同时处于可饱和铁心23a、23b与可饱和铁心23c、23d之间的铁心24、分别配置于可饱和铁心23a、23b的外侧及铁心23c、23d的外侧，使可饱和铁心23a～23d及铁心24磁偏的磁体25a、25b。被饱和控制线圈20a、20b与被饱和控制线圈20c、20d缠绕成相反极性，对左右偏转时发生的被饱和控制线圈20a～20d的磁场Hh的影响进行补偿。而且，缠绕饱和控制线圈22的铁心24也可以省略。
在这样的调制器中，可饱和铁心23a～23d如图4A所示磁通密度B和磁场强度H具有曲线27所示的B-H特性曲线。又，被饱和控制线圈20a～20d如图4B所示具有曲线28所示的L-H特性曲线，其中L为电感。各被饱和控制线圈20a～20d在荧光屏13的中心的电感L利用磁体25a、25b发生的磁场Hm设定为外磁场为0时的电感L的一半左右。又，在垂直偏转时利用饱和控制线圈22发生的磁场Hv使被饱和控制线圈20a～20b与被饱和控制线圈20c～20d的电感差动变化。其结果如图5所示，发生上下不对称的水平偏转磁场29，适于进行3束电子束15B、15G、15R的聚焦调整。
采用本实施例，在上述调制器7中，着眼于被饱和控制线圈20a～20d引起的水平偏转电路的电感增量或饱和控制线圈22引起的垂直偏转电路的电感增量取决于可饱和铁心23a～23d的饱和状态的和这一事实，使被饱和控制线圈20a～20d的电感L减半的点的磁偏量设定得极大或极小，同时把饱和控制线圈22或被饱和控制线圈20a～20d的电场范围设定于适当的范围。
也就是说，如图6A所示进行设定，加强调制器7的磁体25a、25b，以磁偏点A作为饱和状态的点，利用饱和控制线圈22在画面下端发生的磁场Hv使磁偏减小的一侧的可饱和铁心23c、23d处于半饱和状态的B点。这时，如图6B所示，在画面中央的0点，各可饱和铁心23a～23d上缠绕的线圈20a～20d的电感为只由磁体25a、25b产生的磁场Hm决定的饱和状态的电感LA，在画面上下端的点V，缠绕于可饱和铁心23c、23d上的线圈20c、20d的电感处于半饱和状态的LB，缠绕于可饱和铁心23a、23b上的线圈20a、20b的电感处于极端饱和状态的LC。观察由于偏转而从画面下端的点V移向画面对角端的D点时的各可饱和铁心23a～23d的电感变化，可以看出处于半饱和状态的可饱和铁心23c、23d由于各被饱和控制线圈在画面左右端发生的磁场Hh而变成B1、B2点的状态，B点处于半饱和状态，因此LB1与LB2的和等于LB的2倍，磁场Hh没有引起电感变化。同样，处于极端饱和状态的可饱和铁心23a、23b也几乎没有因为磁场Hh的作用而产生变化，结果，从V点到D点的线上电感的变化没有发生。
但是，在进行这样的设定的情况下，如图7A、图7B所示，在画面上下方向的中间部的点Vm，饱和控制线圈22产生的磁场Hv/2造成磁偏下降的一侧的可饱和铁心23c、23d在图7B的L-H曲线上还处于饱和状态的D点，因此，在由于水平偏转而从该点Vm更向画面左右端移动的点Dm，相对于LD的增量LD1超过相对于LD的减少量LD2，其结果是，在D点的电感比在Vm的电感大。
在这里，饱和控制线圈22的电感与缠绕于可饱和铁心23a～23d上的线圈的电感的和大致成正比例变化。这是由于饱和控制线圈22是以可饱和铁心23a～23d为磁芯的线圈，其电感与磁心的导磁率变化成正比。
因此，上述调制器7的设计中，在画面上下方向的中间部，垂直偏转电路的电感越往画面的左右端越大，而垂直振幅减少，在画面的上下方向的中间部桶形畸变的修正得以进行。因此，在画面的上下方向的周边部，即使向画面的左右端移动也不会引起垂直偏转电路的电感变化，畸变的修正没有进行。其结果是，能够修正图8所示的画面中间部的内部Kissen畸变。
还有，垂直偏转由于是低频偏转，垂直偏转振幅的变化相对于电感的变化并不敏感。但是，相对于全部垂直偏转的电感5～6mH，饱和控制线圈22的电感有1～3mH左右的大小和变化，因此容易进行数mm的畸变修正。
又，由于相同的变化也发生于水平偏转电路的电感，所以即使对于图9所示的画面左右方向的中间部的内部Kissen畸变，也能够发挥修正效果。在这种情况下，把磁体造成的磁偏点设定为饱和状态，把被饱和控制线圈在画面左右端产生的磁场Hh使磁偏减小的一侧的可饱和铁心设定为半饱和状态。
又，应用上述作用，反之把磁体产生的磁偏作为不饱和状态，把利用饱和控制线圈的磁场Hv加强磁偏的一侧的可饱和铁心设定为不饱和状态，以此可以修正与图8所示的畸变相反的在画面上下方向的中间部形成桶形的内部Kissen畸变。
图10表示本发明其他实施例的调制器7。该调制器7具备分别串联连接于上下成对的水平偏转线圈19u、19d(见图3A)的2组被饱和控制线圈20a、20b及20c、20d、串联连接于垂直偏转线圈的4个饱和控制线圈22a～22d、分别缠绕被饱和控制线圈20a～20d的2个一组的2组可饱和铁心23a～23d、分别配置于这些可饱和铁心的外侧端部的铁氧体芯30a、30b，以及配置于这些铁氧体芯30a、30b的外侧，使可饱和铁心23a～23d向箭头方向磁偏的磁体25a、25b。
在该调制器7中，可饱和铁心23a～23d与铁氧体芯30a、30b构成闭合磁路，被饱和控制线圈20a～20d与饱和控制线圈22a～22d分别缠绕于同一可饱和铁心23a～23d，被饱和控制线圈20a～20d缠绕于内侧，饱和控制线圈22a～22d缠绕于外侧。
更具体地说，对4个可饱和铁心23a～23d与铁氧体芯30a、30b构成的闭合磁路，串联连接的饱和控制线圈22a～22d以相互加强磁动势的极性分别缠绕40匝，被饱和控制线圈22a～20d以相互补偿磁场的极性分别缠绕28匝。
图11表示具有上面所述结构的调制器7中的垂直偏转电流与线圈的电感的关系。在图中，曲线33表示相对于垂直偏转电流Iv的被饱和控制线圈20a、20b的合成电感，曲线34表示被饱和控制线圈20c、20d的合成电感，曲线32表示被饱和控制线圈20a、20b的合成电感与被饱和控制线圈20c、20d的合成电感的差。由图11可知，磁偏点处于极端饱和状态。又，饱和控制线圈22a～22d在图像的上下端产生的磁场Hv设定得极大，在画面上下端磁场Hv使磁偏减小的一侧的可饱和铁心处于不饱和状态。
如果是在通常的情况下，4个可饱和铁心23a～23d被磁偏到电感大约减半的点，利用饱和控制线圈22a～22d的磁场Hv或被饱和控制线圈20a～20d的磁场Hh，使影响相互进行补偿。因此，垂直偏转电流或水平偏转电流没有造成水平/垂直偏转电路的电感变化。但是，如本实施例所述，进行磁偏使可饱和铁心23a～23d处于极端饱和状态的情况下，利用磁场Hv或Hh加大饱和的极性的、缠绕在可饱和铁心上的线圈的电感与减弱饱和的极性的、缠绕在可饱和铁心上的线圈的电感中，减弱饱和的极性的、缠绕在可饱和铁心上的线圈的电感的变化更大。因此，随着垂直偏转电流或水平偏转电流的增大，水平/垂直偏转电路的电感也增大。还有，由于加大饱和控制线圈的磁场Hv，在画面上下方向的周边部，一方成为不饱和状态，越是往画面的左右方向，电感反而越是减少。图12A～图12E及图13A～图13E分别以曲线36a～36e、曲线37a～37e表示在整个荧光屏上沿着垂直方向(Y方向)及水平方向(X方向)测定设置调制器的情况下水平偏转电路的电感的结果。
图12A～图12E表示水平坐标(水平偏转电流)固定时的被饱和控制线圈的电感L随垂直偏转电流Iv的变化，亦即表示涉及图9所示那样的水平方向的内部Kissen畸变的电感的变化。图12A表示在水平轴端部(水平偏转电流Ih＝3.36A)的沿着垂直方向的电感变化，图12B表示离荧光屏中心的距离为从荧光屏的中心到水平轴端部的距离D的3/4的位置(Ih＝2.52A)上的垂直方向的电感L的变化，图12C表示从荧光屏的中心到水平轴端部的方向上距离为D/2的位置(Ih＝1.68A)处的沿着垂直方向的电感L的变化，图12D表示离荧光屏中心的、同样在从荧光屏的中心到水平轴端部的方向上距离为D/4的位置(Ih＝0.84A)处的沿着垂直方向的电感L的变化，图12E表示在垂直轴Y上(Ih＝0A)上的沿着垂直方向的电感L的变化。
图13A～图13E分别表示垂直坐标(垂直偏转电流)固定时被饱和控制线圈的电感L随水平偏转电流Ih的变化。图13A表示在垂直轴端部(垂直偏转电流Iv＝0.85A)的沿着水平方向的电感L变化，图13B表示离荧光屏中心的距离为从荧光屏的中心到垂直轴端部的距离F的3/4的位置(Iv＝0.64A)处的水平方向的电感L的变化，图13C表示在从荧光屏的中心到垂直轴端部的方向上距离为F/2的位置(Iv＝0.43A)处的沿着水平方向的电感L的变化，同样，图13D表示在从荧光屏的中心到垂直轴端部的方向上距离为F/4的位置(Iv＝0.21A)处的沿着水平方向的电感L的变化，图13E表示在水平轴X上(Iv＝0A)处的沿着水平方向的电感L的变化。在这里，饱和控制线圈的电感变化也与被饱和控制线圈的电感变化大致相同，该变化就是涉及图8所示的垂直方向的内部Kissen畸变的电感L的变化。
图12A～图12E及图13A～图13E的任何一种情况都是在荧光屏的中央附近磁偏较强，因此随着偏转电流Ih、Iv的增大电感L也增大，在荧光屏的周边部则电感L都是均匀的。在荧光屏的周边部电感L这样均匀的原因是，由于偏转电流Ih和Iv，一边的一组可饱和铁心转换为相互补偿电感的变化的半饱和状态，另一边的一组可饱和铁心转换为电感L没有变化的非常大的饱和状态。而且，偏转电流Ih或Iv一旦变大，如图12A所示，一边的一组可饱和铁心变成比以往的磁偏点小的磁偏状态，亦即半饱和状态，因此电感L反而随着偏转电流的增大而减少。
在使用上述调制器7的情况下，如图14所示，相应于电感L的变化只是在画面的中央畸变为桶形，在画面的周边部畸变为枕形。
还有，调制器引起的电感变化对于水平、垂直偏转电路都是相同的，基本上如图14所示，一旦对垂直方向的内部Kissen畸变进行补偿，水平方向上的内部Kissen畸变也发生变化。对此，在想要只对图8所示的垂直方向上的内部Kissen畸变进行修正时，如果使饱和控制线圈的电感相对于垂直偏转电路的电感为极其大的数值，使被饱和控制线圈的电感相对于水平偏转电路的电感为极其小的数值，则能够减轻水平方向上的内部Kissen畸变。
又，使用不具有上述调制器那样的聚焦修正功能的可变电感元件构成的畸变补偿元件能够不改变聚焦而对畸变进行修正。
如图15～图16B所示，该畸变补偿元件6具有由一对可饱和铁心23a、23b和配置于这些可饱和铁心23a、23b的两端部的铁氧体芯30a、30b构成的闭合磁路。各可饱和铁心23a、23b上缠绕着串联连接的具有相互加强磁动势的极性的2个垂直辅助线圈39a、39b、串联连接的具有相互削弱磁动势的极性的2个水平辅助线圈40a、40b，水平辅助线圈40a、40b作为内侧，垂直辅助线圈39a、39b作为外侧缠绕。在铁氧体芯30a、30b的外侧配置使可饱和铁心23a、23b在箭头所示的方向上产生磁偏的磁体25a、25b。垂直辅助线圈39a、39b连接于左右成对的垂直偏转线圈21R、21L上，水平辅助线圈40a、40b分别连接于上下成对的水平偏转线圈19u、19d上。
使用这样的畸变修正元件6时，可以不改变聚焦而利用电感的变化与所述调制器一样进行畸变修正。因此能够简化结构，增大设计自由度。
如上所述，与已有的调制器相比，使磁偏点大大加强或减弱，同时合适地设定饱和控制线圈或垂直辅助线圈以及被饱和控制线圈与水平辅助线圈的在外面周边部发生的磁场的强度的调制器或将畸变补偿元件配置于阴极射线管装置的偏转线圈上，能够有效地修正内部Kissen畸变等画面中间部与周边部的畸变差。
权利要求
1.一种阴极射线管装置，其特征在于，包含具备内表面有荧光屏同时具有水平轴与垂直轴的大致为矩形的面板、与上述面板连接的玻锥、以及设置于玻锥的小直径部分的管颈的真空外壳、设置于上述管颈内，向所述荧光屏发射电子束的电子枪，以及具有安装于所述玻锥的小直径部分及管颈外围，使所述电子束偏转以对所述荧光屏进行水平及垂直扫描的偏转线圈，这种偏转线圈具有使电子束向水平方向偏转的水平偏转线圈和使电子束向垂直方向偏转的垂直偏转线圈、与上述水平偏转线圈连接的被饱和控制线圈、与上述垂直偏转线圈连接的饱和控制线圈、缠绕所述被饱和控制线圈或所述饱和控制线圈的可饱和铁心、以及使所述可饱和铁心偏磁的磁体的调制器，所述调制器设定得，使所述垂直偏转电路的电感沿着所述荧光屏的水平轴方向的变化或所述水平偏转电路的电感沿着所述荧光屏的垂直轴方向的变化在所述画面的中间部与周边部不同，以补偿在所述荧光屏上形成的画面在中间部与周边部的畸变差。
2.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述调制器在画面垂直轴方向的中间部修正桶形的NS畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的饱和状态，并且在画面的垂直轴方向的周边部由于增加了所述饱和控制线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心变成极其饱和的状态，在画面的垂直轴方向中间部，所述饱和控制线圈的电感越往画面的水平轴方向的两端越是变大，在画面的垂直轴方向的周边部，所述饱和控制线圈的电感不随着往画面的水平轴方向的两端而变化。
3.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述调制器在画面垂直轴方向的中间部修正桶形的NS畸变，即在画面垂直轴方向的周边部修正枕形NS畸变，所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的饱和状态，并且在画面的垂直轴方向的周边部由于增加了所述饱和控制线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心变成极其饱和的状态，在画面的垂直轴方向中间部，所述饱和控制线圈的电感越往画面的水平轴方向的两端越是变大，在画面的垂直轴方向的周边部，所述饱和控制线圈的电感随着往画面的水平轴方向的两端而发生的变化变小。
4.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述调制器在画面垂直轴方向的中间部修正枕形的NS畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的不饱和状态，并且在画面的垂直轴方向的周边部由于增加了所述饱和控制线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心保持极其不饱和的状态，在画面的垂直轴方向中间部，所述饱和控制线圈的电感越往画面的水平轴方向的两端越是变小，在画面的垂直轴方向的周边部，所述饱和控制线圈的电感不随着往画面的水平轴方向的两端而发生变化。
5.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述调制器在画面垂直轴方向的中间部修正枕形NS畸变，即在画面垂直轴方向的周边部修正桶形NS畸变，所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的不饱和状态，并且在画面的垂直轴方向的周边部由于增加了所述饱和控制线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心保持极其不饱和的状态，在画面的垂直轴方向中间部，所述饱和控制线圈的电感越往画面的水平轴方向的两端越是变小，在画面的垂直轴方向的周边部，所述饱和控制线圈的电感随着往画面的水平轴方向的两端而发生的变化变大。
6.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述调制器在画面水平轴方向的中间部修正桶形EW畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的饱和状态，并且在画面的水平轴方向的周边部由于增加了所述被饱和控制线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心变成极其饱和的状态，在画面的水平轴方向中间部，所述被饱和控制线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端越是变大，在画面的水平轴方向的周边部，所述被饱和控制线圈的电感不随着往画面的垂直轴方向的两端而发生变化。
7.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述调制器在画面水平轴方向的中间部修正桶形EW畸变，即在画面水平轴方向的周边部修正枕形EW畸变，所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的饱和状态，并且在画面的水平轴方向的周边部由于增加了所述被饱和控制线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成不饱和状态，另一方的可饱和铁心变成极其饱和的状态，在画面的水平轴方向中间部，所述被饱和控制线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端越是变大，在画面的水平轴方向的周边部，所述被饱和控制线圈的电感随往画面的垂直轴方向的两端而发生的变化变小。
8.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述调制器在画面水平轴方向的中间部修正枕形EW畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的不饱和状态，并且在画面的水平轴方向的周边部由于增加了所述被饱和控制线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心保持极其不饱和的状态，在画面的水平轴方向中间部，所述被饱和控制线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端越是变小，在画面的水平轴方向的周边部，所述被饱和控制线圈的电感不随往画面的垂直轴方向的两端而发生变化。
9.根据权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述调制器在画面水平轴方向的中间部修正枕形EW畸变，在画面水平轴方向的周边部修正桶形EW畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的不饱和状态，并且在画面的水平轴方向的周边部由于增加了所述被饱和控制线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成饱和状态，另一方的可饱和铁心保持极其不饱和的状态，在画面的水平轴方向中间部，所述被饱和控制线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端越是变小，在画面的水平轴方向的周边部，所述被饱和控制线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端变化越大。
10.一种阴极射线管装置，其特征在于，包含具备内表面有荧光屏同时具有水平轴与垂直轴的大致为矩形的面板、与上述面板连接的玻锥、以及设置于玻锥的小直径部分的管颈的真空外壳、设置于上述管颈内，向所述荧光屏发射电子束的电子枪，以及具有安装于所述玻锥的小直径部分及管颈外围的，使所述电子束偏转以对所述荧光屏进行水平及垂直扫描的偏转线圈，这种偏转线圈具有使电子束向水平方向偏转的水平偏转线圈和使电子束向垂直方向偏转的垂直偏转线圈、与上述水平偏转线圈连接的水平辅助线圈、与上述垂直偏转线圈连接的垂直辅助线圈、缠绕所述水平辅助线圈或所述垂直辅助线圈的可饱和铁心、以及使所述可饱和铁心偏磁的磁体的畸变补偿元件，所述畸变补偿元件设定得，使所述垂直偏转电路的电感沿着所述荧光屏的水平轴方向的变化或所述水平偏转电路的电感沿着所述荧光屏的垂直轴方向的变化在所述画面的中间部与周边部不同，以补偿在所述荧光屏上形成的画面在中间部与周边部的畸变差。
11.根据权利要求10所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述畸变补偿元件在画面垂直轴方向的中间部修正桶形的NS畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的饱和状态，并且在画面的垂直轴方向的周边部由于增加了所述垂直辅助线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心变成极其饱和的状态，在画面的垂直轴方向中间部，所述垂直辅助线圈的电感越往画面的水平轴方向的两端越是变大，在画面的垂直轴方向的周边部，所述垂直辅助线圈的电感不随着往画面的水平轴方向的两端而变化。
12.根据权利要求10所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述畸变补偿元件在画面垂直轴方向的中间部修正桶形的NS畸变，在画面垂直轴方向的周边部修正枕形NS畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的饱和状态，并且在画面的垂直轴方向的周边部由于增加了所述垂直辅助线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成不饱和状态，另一方的可饱和铁心变成极其饱和的状态，在画面的垂直轴方向中间部，所述垂直辅助线圈的电感越往画面的水平轴方向的两端越是变大，在画面的垂直轴方向的周边部，所述垂直辅助线圈的电感随着往画面的水平轴方向的两端而发生的变化变小。
13.根据权利要求10所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述畸变补偿元件在画面垂直轴方向的周边部修正枕形的NS畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的不饱和状态，并且在画面的垂直轴方向的周边部由于增加了所述垂直辅助线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心保持极其不饱和的状态，在画面的垂直轴方向中间部，所述垂直辅助线圈的电感越往画面的水平轴方向的两端越是变小，在画面的垂直轴方向的周边部，所述垂直辅助线圈的电感不随着往画面的水平轴方向的两端而发生变化。
14.根据权利要求10所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述畸变补偿元件在画面垂直轴方向的中间部修正枕形NS畸变，在画面垂直轴方向的周边部修正桶形NS畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的不饱和状态，并且在画面的垂直轴方向的周边部由于增加了所述垂直辅助线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成饱和状态，另一方的可饱和铁心保持极其不饱和的状态，在画面的垂直轴方向中间部，所述垂直辅助线圈的电感越往画面的水平轴方向的两端越是变小，在画面的垂直轴方向的周边部，所述垂直辅助线圈的电感随着往画面的水平轴方向的两端而发生的变化变大。
15.根据权利要求10所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述畸变补偿元件在画面水平轴方向的中间部修正桶形EW畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的饱和状态，并且在画面的水平轴方向的周边部由于增加了所述水平辅助线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心变成极其饱和的状态，在画面的水平轴方向中间部，所述水平辅助线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端越是变大，在画面的水平轴方向的周边部，所述水平辅助线圈的电感不随着往画面的垂直轴方向的两端而发生变化。
16.根据权利要求10所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述畸变补偿元件在画面水平轴方向的中间部修正桶形EW畸变，在画面水平轴方向的周边部修正枕形EW畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的饱和状态，并且在画面的水平轴方向的周边部由于增加了所述水平辅助线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成不饱和状态，另一方的可饱和铁心变成极其饱和的状态，在画面的水平轴方向中间部，所述水平辅助线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端越是变大，在画面的水平轴方向的周边部，所述水平辅助线圈的电感随着往画面的垂直轴方向的两端而发生的变化变小。
17.根据权利要求10所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述畸变补偿元件在画面水平轴方向的周边部修正枕形EW畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的不饱和状态，并且在画面的水平轴方向的周边部由于增加了所述水平辅助线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成半饱和状态，另一方的可饱和铁心保持极其不饱和的状态，在画面的水平轴方向中间部，所述水平辅助线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端越是变小，在画面的水平轴方向的周边部，所述水平辅助线圈的电感不随往画面的垂直轴方向的两端而发生变化。
18.根据权利要求10所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述畸变补偿元件在画面水平轴方向的中间部修正枕形EW畸变，在画面水平轴方向的周边部修正桶形EW畸变，即所述磁体产生的偏磁点处于所述可饱和铁心的不饱和状态，并且在画面的水平轴方向的周边部由于增加了水平辅助线圈的磁场，一方的可饱和铁心变成饱和状态，另一方的可饱和铁心保持极其不饱和的状态，在画面的水平轴方向中间部，所述水平辅助线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端越是变小，在画面的水平轴方向的周边部，所述水平辅助线圈的电感越往画面的垂直轴方向的两端变化越大。
全文摘要
本发明涉及具备调制器(modulator)的阴极射线管装置,在该阴极射线管装置中,将该调制器设定得,使所述垂直偏转电路的电感沿着所述荧光屏的水平轴方向的变化或水平偏转电路的电感沿着荧光屏的垂直轴方向的变化在画面的中间部与周边部不同,以补偿画面中间部与周边部的畸变差。
文档编号H04N3/237GK1268764SQ00105349
公开日2000年10月4日 申请日期2000年3月31日 优先权日1999年3月31日
发明者横田昌广 申请人:东芝株式会社