专利名称：超低噪音助听器电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种助听器，特别是涉及一种能将噪声控制在极低状态的超低噪音助听器电路。
背景技术：
助听器噪声是影响助听器内在质量的技术问题，因此，技术人员面临如何提高助听器产品的内在质量；尽快解决噪声问题；以提高语音清晰度和可懂度这一技术难题。目前，国内生产的助听器噪声一般达到30dB，质量最好的能达到20dB以上，国外生产的助听器噪声也只能达到16dB。可见，国内外都面临解决助听器噪声这一技术难题，而要解决这一技术问题的关键在于必须设计能将噪声控制在极低状态的助听器电路。
发明内容
为解决上述现有技术存在的技术问题，本发明的目的在于为提高助听器的内在质量，解决噪声大、语音清晰度和可懂度差的问题，特提供一种能将噪声控制在极低状态的超低噪音助听器电路。
本发明为解决其技术问题所采取的技术方案是一种超低噪音助听器电路，包括输入部分和输出部分，其特征在于还包括噪声抑制部分，该噪声抑制部分包括晶体管T1-T3、二极管D1-D4、电容C7-C13、电阻R7-R13和可调电阻VR2，所述的输入部分中集成电路HK505输出两路信号一路接由晶体管T1构成的放大整流电路；一路接由二极管D1D2构成的小信号噪音抑制电路，集成电路HK505的输出端6脚接电容C7的正极，电容C7的负极接电阻R7的一端，电阻R7的另一端接晶体管T1的基极，晶体管T1的发射极接地，晶体管T1的集电极接电阻R9的一端，电阻R9的另一端分别接电源E和电阻R8的一端，电阻R8的另一端接晶体管T1基极，电容C9的一端接晶体管T1集电极，电容C9的另一端分别接二极管D3的正极和二极管D4的负极，二极管D4的正极接地，二极管D3的负极接电容C10的正极，电容C10的负极接地，二极管D3分别接电阻R11的一端和晶体管T2的基极，电阻R11的另一端接晶体管T3的基极后，再与电阻R10的一端相连，电阻R10的另一端接晶体管T2的发射极，晶体管T2的集电极接电源E，电容C8的一端接集成电路HK505输出端6脚，电容C8的另一端分别接二极管D1的负极、二极管D2的正极和晶体管T3的集电极，二极管D1的正极接二极管D2的负极，再接晶体管D3的发射极后，再分别接电阻R12的一端、电阻R13的一端及电容CI1的一端，电阻R13和电容C11另一端分别接地，电阻R12的另一端接电容C12的一端，电容C12的另一端分别接可变电阻VR2及电容C13的一端，电容C13的另一端与可变电阻VR2的另一端相接后，再与输出部分中晶体管T4的基极相连。
采取上述技术方案的助听器，经国家质量检测中心检测，其等效输入噪声级可达0dB，与现有技术的助听器相比，其等效输入噪声级降低了20dB～30dB，从而提高了语音清晰度和可懂度，解决了助听器噪声大的技术难题。噪声这一指标是衡量助听器质量的重要标志，因此本发明提供的高质量超低噪音助听器，在国内外具有一定的市场前景。
图1是本发明的电原理图并作为摘要附图。
具体实施例方式
参照附图，本发明输入部分中的集成电路HK505输出两路信号一路接由晶体管T1构成的放大整流电路；一路接由二极管D1D2构成的小信号噪音抑制电路。集成电路HK505输出的电信号通过电容C7送入晶体管T1进行信号放大，放大信号通过由二极管D3D4和电容C10组成的整流电路将交流信号变为直流信号，直流信号送入晶体管T3和T2，晶体管T3和T2随输入信号的不同处于导通或截至状态，使小信号噪音抑制电路导通或处于噪音抑制状态。同时，晶体管T2提供一个补充偏置电流，使晶体管T3充分导通，输出电路正常放大。当外界没有输入信号时，由晶体管T1构成的放大整流电路没有足够的直流信号输出，晶体管T3和T2处于截止状态，输入电路产生的噪声被抑制，既听不到助听器本底的噪声。当外界有语音输入信号时，噪声抑制电路导通，语音信号正常输出，使整机的等效输入噪声级大幅度降低。
权利要求
1.一种超低噪音助听器电路，包括输入部分和输出部分，其特征在于还包括噪声抑制部分，该噪声抑制部分包括晶体管T1-T3、二极管D1-D4、电容C7-C13、电阻R7-R13和可调电阻VR2，所述的输入部分中集成电路HK505输出两路信号一路接由晶体管T1构成的放大整流电路；一路接由二极管D1D2构成的小信号噪音抑制电路，集成电路HK505的输出端6脚接电容C7的正极，电容C7的负极接电阻R7的一端，电阻R7的另一端接晶体管T1的基极，晶体管T1的发射极接地，晶体管T1的集电极接电阻R9的一端，电阻R9的另一端分别接电源E和电阻R8的一端，电阻R8的另一端接晶体管T1基极，电容C9的一端接晶体管T1集电极，电容C9的另一端分别接二极管D3的正极和二极管D4的负极，二极管D4的正极接地，二极管D3的负极接电容C10的正极，电容C10的负极接地，二极管D3分别接电阻R11的一端和晶体管T2的基极，电阻R11的另一端接晶体管T3的基极后，再与电阻R10的一端相连，电阻R10的另一端接晶体管T2的发射极，晶体管T2的集电极接电源E，电容C8的一端接集成电路HK505输出端6脚，电容C8的另一端分别接二极管D1的负极、二极管D2的正极和晶体管T3的集电极，二极管D1的正极接二极管D2的负极，再接晶体管D3的发射极后，再分别接电阻R12的一端、电阻R13的一端及电容CI1的一端，电阻R13和电容C11另一端分别接地，电阻R12的另一端接电容C12的一端，电容C12的另一端分别接可变电阻VR2及电容C13的一端，电容C13的另一端与可变电阻VR2的另一端相接后，再与输出部分中晶体管T4的基极相连。
全文摘要
本发明涉及一种助听器，特别是涉及一种能将噪声控制在极低状态的超低噪声助听器电路。它包括输入部分和输出部分，其特征在于还包括噪声抑制部分，该噪声抑制部分包括晶体管、二极管、电容、电阻和可调电阻，所述的输入部分中集成电路输出两路信号一路接由晶体管构成的放大整流电路，一路接由二极管构成的小信号噪音抑制电路。采取上述技术方案的超低噪音助听器可将等效输入噪声级降低20dB～30dB，从而解决了助听器噪声大、语音清晰度和可懂度差的问题，大大的提高了助听器的内在质量。因此，本发明提供的高质量超低噪音助听器，在国内外具有一定的市场前景。
文档编号H04R25/00GK1649447SQ20041009407
公开日2005年8月3日 申请日期2004年12月29日 优先权日2004年12月29日
发明者唐惠德, 莫庆荣 申请人:天津市助听器厂