专利名称：固体摄像装置以及使用了该固体摄像装置的照相机的制作方法
技术领域：
本发明涉及固体摄像装置以及摄像系统，特别涉及具备光电变换像素单元的放大型固体摄像装置以及照相机，所述光电变换像素单元由排列多个至少具有光电变换单元以及用于放大并输出来自上述光电变换单元的信号的晶体管的像素组成。
背景技术：
以往，作为固体摄像装置，从其SN比好的观点出发大多使用CCD。但是，另一方面，还开发了以使用方法简便和消耗电力少为优点的所谓的放大型固体摄像装置。所谓放大型固体摄像装置是把蓄积在受光像素上的信号电荷导入配备在像素单元上的晶体管的控制电极中，从主电极输出被放大的信号的类型。具体地说，有作为放大用晶体管使用了SIT的SIT型图像传感器(A.Yusa、J.Nishizawa et al.，“SIT image sensorDesign consideration and characteristics，”IEEEtrans.Vol.ED-33，pp.735-742，June 1986)，使用了场效应晶体管的BASIS(N.Tanaka et al.“A 310K pixel bipolar imager(BASIS)，”IEEE Trans.Electron Devices，vol.35，pp.646-652，may 1990)，使用了控制电极耗尽的JFET的CMD(中村等“栅极蓄积型MOS光电二极管图像传感器”，电视学会志，41，11，pp.1075-1082 Nov.，1987)、使用了MOS晶体管的CMOS传感器(S.K.Mendis，S.E.Kemeny andE.R.Fossum，“A 128×128CMOS active image sensor for highlyintegrated imaging systems，”in IEDM Tech.，1993，pp.583-586.)等。
特别是CMOS传感器因为和CMOS工艺的匹配好，可以单片化外围CMOS电路，所以在开发中倾注了力量。但是，作为在这些放大型固体摄像装置中都存在的问题，可以例举因为配备在各像素中的放大用晶体管的输出偏置对每个像素不同，所以作为图像传感器的信号载有固定图像噪声(FPN)这一问题。为了除去该FPN，以往开发了各种各样的信号读出电路。
放大型固体摄像装置的另一问题是关于动作时刻的问题。该型的图像传感器的像素信号读出针对每1行分别进行，进而在该1行读出后接着进行水平转送动作。因此，像素的信号蓄积动作每次偏离1行。这是因为在1字段中的像素信号蓄积动作是以像素信号读出为结束的缘故。因而，第一行和最后一行的时间偏差几乎是1字段时间。另一方面，在CCD中是把全部的像素信号一起转送到垂直CCD，但CCD像素的蓄积动作因为该一起转送而结束，并且开始，所以CCD像素的动作是同时的。如果放大型图像传感器的该动作时刻偏离，则在拍摄高速动作的被照物时，出现像的失真。
以改善该问题为目的，在日本国专利的特开昭58-125982号公报以及日本国专利的特开平02-65380号公报中，提出了具备用MOS开关和电容形成的存储单元所构成的模拟帧存储器的图像传感器。在这些提案的传感器中，在像素信号对应的存储单元中，在不伴随水平转送动作的短时间中转送，其后伴随水平转送的存储器信号的读出大致使用1字段期间进行。由此，可以显著缩短动作时刻的偏离。
另外，在日本国专利的特开2003-51989号公报中，公开了在各列设置增益超过1倍的放大器的固体摄像装置。
图8是展示采用上述以往例的放大型固体摄像装置的电路图的图，在该图中，1表示至少具有光电二极管和放大用晶体管的放大型像素。图9是作为图8中的放大型像素例子的典型的CMOS传感器像素电路图。用图8以及图9说明以往技术。
如图9所示，像素1由光电二极管18、由φTX控制的转送晶体管20、转送来自光电二极管18的信号电荷的浮动扩散(FD)单元19、连接FD单元19和栅极的放大用晶体管21、用φSEL控制的像素选择用的选择晶体管22、用φRES控制的复位晶体管23构成。选择晶体管22与垂直像素输出线2连接，垂直像素输出线2与由φG控制的电流供给用晶体管7连接。
如图8所示，由扫描电路4所选择的行的像素1的放大用晶体管21如果φSEL处于高电平选择晶体管22处于导通状态，则由电流供给用晶体管7提供电流，作为源跟随器动作，向垂直像素输出线2输出该输出电压。起初浮动扩散(FD)单元19通过把复位脉冲φRES施加在复位晶体管23进行复位，与该FD电位相当的输出出现在垂直像素输出线2上。垂直像素输出线2一侧的该基准电压因为源跟随器的阈值电压的像素间离散而离散，而在垂直存储器输出线11一侧，因为通过φC和φSH脉冲的作用使箝位晶体管6和开关晶体管8导通，所以所有的箝位电位VR都变为基准电压。接着把箝位晶体管6设置为截止状态，把耦合电容5的垂直存储器输出线11一侧设置为浮动状态，通过在转送晶体管20上施加脉冲φTX，把在光电二极管18上的信号电荷转送到FD单元19。与该信号成比例的FD电压的下降部分被读出到垂直像素输出线2，进而通过耦合电容5向垂直存储器输出线11传送。该信号电压通过存储器选择线12向写入晶体管10施加脉冲，因而被写入存储单元电容9。存储器选择线12按照存储器扫描电路13依次被选择。被写入存储单元电容9的信号电压通过上述的箝位动作，不包含像素的固定图像噪声(F.P.N.)。即，与在光电二极管18上的信号电荷对应的信号被读出到垂直像素输出线2(被读出的信号包含噪声成分)，而预先在垂直像素输出线2上读出噪声成分。因而，垂直像素输出线2的电位变化量只随着信号成分变化，经由耦合电容5传送到垂直存储器输出线11中的信号被除去噪声成分。如果从该每行像素对存储器的信号转送结束，则存储器的信号读出如下那样进行。
首先，通过把脉冲φC和φSH施加在箝位晶体管6和开关晶体管8上，把垂直存储器输出线11复位到电位VR。在把开关晶体管8设置成截止状态后，蓄积在由存储器扫描电路13选择的行存储单元电容9中的信号电压被转送到垂直存储器输出线11。该垂直存储器输出线11上的信号电压通过由水平扫描电路16接收了扫描的开关晶体管15顺序地转送到水平输出线14。水平输出线上的信号电压由放大电路17放大，作为传感器输出被读出。存储器信号这样由存储器扫描电路13和水平扫描电路16读出。像素信号对存储器的转送时间与没有存储器的一般的CMOS传感器的读出时间相比大幅度缩短。因此，与像素蓄积动作时间的时间差有关的问题得到充分改善。
可是，该以往技术的带帧存储器的放大型固体摄像装置存在与SN比有关的问题。即，从像素读出的信号电压在信号的转送路径中受到信号的分割大幅度减少，因而受到转送线路上的热噪声的影响。信号的分割因在信号的转送时受到容量分割而引起，第一，在从垂直像素输出线2向存储器电容9的转送时产生，第二，在从存储器电容9向水平输出线14的转送时产生。热噪声在对信号线路，即耦合电容5、垂直存储器输出线11、存储器电容9、水平输出线14进行复位时产生。该噪声电荷用(kTC)1/2表示。在此，k是玻耳兹曼常数，T是绝对温度，C是被复位的部位的电容。
发明内容
因而本发明的目的在于提供一种像素的动作时间偏离小，并且表现高SN比的传感器输出的固体摄像装置。
本发明的固体摄像装置具备由排列多个至少具备把入射光变换为信号电荷并蓄积的光电变换单元，和为了把上述信号电荷变换为电压信号并放大输出的晶体管的像素组成的光电变换像素单元；把与光电变换像素单元的至少一部分像素对应的模拟存储单元排列成二维状组成的存储器单元，其特征在于包括被排列在上述光电变换单元的每列上，通过箝位来自上述像素的信号电压除去上述像素的噪声用的耦合电容；被排列在上述光电变换单元的每列上，用超过1的增益放大来自上述像素的信号电压，输出用于写入到与上述像素对应的上述模拟存储单元中的放大信号的放大器。
本发明通过设置在每列上的放大器的高增益放大抑止由信号分割产生的信号减少和随之产生的噪声的影响问题。当由放大器的偏置产生的固定图像噪声(FPN)成为问题的情况下，输出偏置和被放大的信号，通过减算两者，除去偏置可以实现高SN比。
如果采用本发明，则在把像素输出保持在高SN比的同时，可以实现像素动作时间的时间偏离小的放大型固体摄像装置。另外如果采用本发明，则用比较容易的设计实现在把像素输出保持在高SN比的同时，像素的动作时间的时间偏离小的放大型固体摄像装置。
进一步如果采用本发明，则可以实现在把像素输出保持在更高的SN比的同时，像素动作时间的时间偏离小的放大型固体摄像装置。
图1是展示本发明实施方式1的传感器构成的电路图。
图2是说明图1所示的传感器动作的脉冲时序图。
图3是展示本发明实施方式2的传感器构成的电路图。
图4是展示本发明实施方式3的传感器构成的电路图。
图5是展示图4所示的传感器动作的脉冲时序图。
图6是展示把本发明的固体摄像装置适用在与活动图像对应的“静态视频照相机”时的方框图。
图7是把本发明的固体摄像装置适用于“摄像机”时的方框图。
图8是展示采用以往技术的带有帧存储器的放大型固体摄像装置的电路图。
图9是展示以往典型的CMOS传感器像素的电路图。
具体实施例方式
以下在本发明的实施方式的说明图中，在和图8以及图9所示构件相同的构件上标注相同符号。
(实施方式1)图1是展示在本发明的实施方式1中的，沿着从像素到传感器输出的信号线路的传感器电路图。在此为了简单，展示一个像素、一个存储单元、一列读出装置，但实际上如图8所示像素以及存储单元被排列成2维状，读出装置被设置在每列上。另外在图8中为了简单像素和存储单元分别展示3×3像素和存储单元，但像素和存储单元数根据需要而设定，存储单元数也可以少于像素数。例如，当加算或者间隔剔除来自多个像素的信号存储在存储单元中的情况下，存储单元数也可以少于像素数，但当然需要为了形成图像所需要的与像素数对应的数的存储单元数。例如，为了形成VGA的图像需要具有640个×480个存储单元的存储器单元。
这样需要与所形成的图像规格一致数量的存储单元。
因而，一般存储单元的排列在大多数情况下行、列都在数百以上。像素1的构成和图9所示的构成相同。另外，如果像素是放大型像素则并不特别限定于CMOS传感器像素，可以使用上述的CMD等的放大型固体摄像装置。另外VMIS(Threshold Voltage Modulation ImageSensor)、BCAST(Buried Charge Accumulator and Sensing Transistorarray)、LBCAST(Lateral Buried Charge Accumulator and SensingTransistor array)等当然也可以适用。特别是针对BCAST和LBCAST通过把放大用MOS晶体管置换为JFET晶体管，可以没有本质变更地实现。
图2是用于图1中的传感器动作用的脉冲时序图。
图1的构成和图8的构成相比，在设置列放大器24、存储电容25、27、开关晶体管26、28、30，把放大电路17置换为差动放大器33这一点不同。因为这些构件以外的各构件的功能动作和图8的各部件相同，所以省略说明。另外图8所示的扫描电路4、13在图1中为了简单起见被省略。
在图1中，列放大器24其输入端子与耦合电容连接，如可以补偿由在帧存储器以后的信号线路中的信号分割以及热噪声引起的SN比的降低那样，用高的增益放大像素的箝位信号。蓄积电容25通过开关晶体管26，接收来自由存储单元电容9和写入晶体管10组成的存储单元的信号，蓄积电容27通过开关晶体管28，接收来自列放大器24的偏置输出。用蓄积电容25和蓄积电容27接收到的电压分别通过开关晶体管29和开关晶体管30发送到水平输出线31、32。差动放大器33把其输入端子与水平输出线31、32连接，放大输出这2个输入单元的电压差。来自差动放大器33的最终的传感器输出，受热噪声的影响少，还具有没有列放大器的偏置的高SN比。
如果依照图2进行说明，最初像素输出被转送到存储单元。用于该动作的脉冲时序和在图8、图9中说明的以往技术中的脉冲时间相同。但是，关于被写入存储单元的信号，在用列放大器24以高的增益放大(用超过1的增益放大)，以及包含列24的偏置这一点上不同。
在从像素到存储器的一连串的信号转送结束后，进行存储器信号向蓄积电容25、27的读出。在该动作中，列放大器24的输入单元把φC设置在高电平，用被设置为导通状态的箝位晶体管6箝位在电位VR。垂直存储器输出线11和蓄积电容25首先把φSH、φTS设置为高电平，通过分别被设置在导通状态的开关晶体管8和开关晶体管26被列放大器24的偏置输出复位。在把φSH设置为低电平把开关晶体管8设置为截止后，把存储器选择线12设置为高电平，通过把写入晶体管10设置为导通状态，存储器电容9上的信号被释放到垂直存储器输出线11和蓄积电容25。该信号通过把脉冲φTS施加在开关晶体管26上被蓄积电容25取样。
接着，把φSH、φTN设置为高电平通过分别被设置为导通状态的开关晶体输8和开关晶体管28，垂直存储器输出线11和蓄积电容27被列放大器24的偏置输出复位。该偏置通过把脉冲φTN施加在开关晶体管28上，被蓄积电容27取样。
接着上述动作进行的水平扫描在图2中被省略，水平扫描由水平扫描电路16进行。水平扫描电路16扫描作为开关对的晶体管31和晶体管32，把蓄积电容25和27上的电压分别转送到水平输出线31以及32。差动放大器33除去列放大器24的偏置，输出具有高SN比的传感器信号。
(实施方式2)
图3展示在本发明的实施方式2中的，沿着从像素到输出传感器的信号线路的传感器电路图。在图3中，列放大器24是反馈型放大器，其输出经由耦合电容34传递到负输入端子。因而，列放大器24的增益由耦合电容5和耦合电容34的比来确定。正输入端子(+)被固定在箝位电位VR。负输入端子(-)通过把脉冲φC施加在箝位晶体管6上，被箝位在箝位电位VR，这是因为上述2个输入端子处于虚短路状态的缘故。因而，用于使该传感器构成动作的脉冲定时和图2所示的实施方式1的脉冲时刻相同。但是，在图3中的电路在用于箝位的耦合电容5兼作确定列放大器24的增益的作用，和容易设计高的增益的列放大器这一点上，更适合本发明。作为反馈型的放大器理想的是使用了电容的反馈型放大器。例如在使用了电阻的反馈型放大器中如果电阻值小则电流值变大消耗电力增大，如果电阻值大则在噪声增大的同时应答性变差。如果考虑这些问题则使用电容的反馈性放大器更理想。
(实施方式3)图4展示在本发明的实施方式3中的，沿着从像素到传感器输出的信号线路的传感器电路图。在该图中，使用在单元中具有放大功能的存储器。例如如在美国专利第5,805,429号中揭示一个构成那样，放大型的模拟存储单元已存在。在图4中，存储单元35由放大用晶体管36、存储器选择晶体管37、写入晶体管10、存储单元电容9组成。
电流供给用晶体管38提供电流使放大用晶体管36作为源跟随器动作。在本发明实施方式3中代替在实施方式1以及2中使用的DRAM型存储器使用该放大型帧存储器。
图5是展示本发明实施方式3的传感器动作的脉冲时序图。根据图4、图5进行动作说明。对从像素到存储器的信号转送，和在图2中说明的实施方式1一样进行。但是在图2中将由12表示的存储器写入脉冲，在图5中用φMWR来表示。
来自存储单元的信号读出通过把脉冲φMG和φMSEL分别施加在电流供给用晶体管38和存储器选择晶体管37的栅极上进行。被选择出的存储单元的输出被读出到垂直存储器输出线11，经由开关晶体管26被蓄积电容25采样。其次，在使箝位晶体管6导通的状态下，通过把脉冲φSH和φMWR分别施加在开关晶体管8和写入晶体管10上，把列放大器24的偏置写入存储单元。
被写入存储单元的偏置的读出和采样与被写入存储单元的信号读出、采样一样。从存储单元的偏置输出向蓄积电容27的采样通过把脉冲φTN施加在开关晶体管28上进行。蓄积电容25上的电压除了被放大的像素信号和列放大器24的偏置以外，还包含放大晶体管36的偏置，另一方面，蓄积电容27上的电压除了列放大器24的偏置外，还包含放大晶体管36的偏置。因而在来自差动放大器33的最终的传感器输出上不包含因这些偏置引起的固定图像噪声。在从该实施方式3中的存储器向蓄积电容的读出，由于存储单元35具有的放大作用的缘故，信号电压不会被下降。因而，实施方式3与实施方式1、2相比可以输出更高的SN比的信号。
在上述各实施方式中，只要至少与一部分像素对应，设置与形成图像所需要的像素数对应数的存储单元即可，另外对于列放大器，为了补偿信号的分割只要具备超过1的增益即可。
如果进一步补充的话，则还可以构成基于本发明主旨的几个实施方式。例如，为了防止从存储器向蓄积电容的信号转送中的信号分割，考虑进一步把另一列放大器与垂直存储器输出线连接这一构成。另外，作为偏置除去电路，考虑使用箝位电路。
另外在上述各实施方式中，固体摄像装置可以设置在同一半导体衬底上，也可以把差动放大器33设置在衬底外以使由差动放大器33产生的噪声不影响其他电路部件。
基于图6详细叙述把本发明的固体摄像装置适用到活动图像对应的静态照相机时的一个实施方式。
图6是展示把本发明的固体摄像装置适用到活动图像对应的“静态照相机”时的方框图。
在图6中，101是兼作透镜的保护和主开关的防护屏，102是把被照物的光学像成像在摄像元件(固体摄像装置)104上的透镜，103是用于改变通过透镜102的光量的光圈，104是用于把在透镜102上成像的被照物作为图像信号取入的摄像元件，106是进行由摄像元件104输出的图像信号的模拟/数字变化的A/D变换器，107是对从A/D变换器106输出的图像数据进行各种补正或者压缩数据的信号处理单元，108是向摄像元件104、摄像信号处理电路105、A/D变换器106、信号处理单元107输出各种时间信号的时间发生单元，109是控制各种计算和静态摄像机全体的全体控制/计算单元，110是用于暂时存储图像数据的存储器单元，111是用于在记录介质进行记录或者读出的接口单元，112是进行图像数据的记录或者读出用的半导体存储器等的可以装卸的记录介质，113是用于和外部计算机等进行通信的接口单元。
以下，说明上述构成中的拍摄时的静态摄像机的动作。
如果防护屏101开启则主电源被接通，接着控制系统的电源接通，进一步A/D变换器106等的摄像系统电路的电源被接通。
然后，为了控制曝光量，整体控制/计算单元109把光圈103打开，从摄像元件104输出的信号在A/D变换器106中被变换后，被输入信号处理单元107。以该数据为基础用整体控制/计算单元109进行曝光计算。
根据进行了该测光的结果判断亮度，依照其结果整体控制/计算单元109控制光圈。
然后，以从摄像元件104输出的信号为基础，取出高频成分用整体控制/计算单元109进行到被照物的距离的计算。此后，起动透镜判断是否聚焦，在判断为未聚焦时，再次驱动透镜进行测距。而后，在确认聚焦后开始本曝光。
如果曝光结束，则从拍摄元件104输出的图像信号在A/D变换器106中进行A/D变换，通过信号处理单元107由整体控制/计算单元109写入存储器单元110。
其后，被存储在存储器单元110中的数据由整体控制/计算单元109的控制，通过记录介质控制I/F单元111被记录在半导体存储器等的可以装卸的记录介质112上。
另外，也可以通过外部I/F单元113直接输入计算机等进行图像的加工。
另外基于图7详细说明把本发明的固体摄像装置适用在摄像机中的情况下(摄像系统)的例子。
图7是展示把本发明的固体摄像装置适用于“摄像机”时的方框图，201是摄像透镜，具备用于进行焦点调节的聚焦透镜201A，进行变焦动作的变焦镜头201B、成像用的镜头201C。
202是光圈，203是光电变换被成像在拍摄面上的被照物像并变换为电气摄像信号的固体摄像元件(固体摄像装置)，204是采样保持从固体摄像元件203输出的摄像信号，还是放大电平的采样保持电路(S/H电路)，输出视频信号。
205是对从采样保持电路204输出的视频信号施加伽马补正、颜色分离、抑制处理等的规定的处理的程序电路，输出亮度信号Y以及色彩信号C。从程序电路205输出的色彩信号C在颜色信号补正电路221中进行白色平衡以及颜色平衡的补正，作为色差信号R-Y，B-Y输出。
另外，从程序电路205输出的亮度信号Y，和从颜色补正电路221输出的颜色信号R-Y、B-Y用编码器电路(ENC电路)224进行调制，作为标准电视信号输出。而后，提供给未图示的视频译码器或者电子取景器等的监视器EVF。
其次，206是光圈控制电路，是基于从采样保持电路204所提供的视频信号控制光圈驱动电路207，使视频信号的电平为规定电平的一定值那样，自动控制应该控制光圈202的开口量的ig测量器。213、214是从由采样保持电路204输出的视频信号中抽出为了进行聚焦检测需要的高频成分的、不同的频带限制的带通滤波器(BPF)。从第一带通滤波器213(BPF1)以及第二导通滤波器214(BPF2)输出的信号由选通电路215以及聚焦选通范围信号来各自选通。而后，用峰值检测电路216检测峰值并保持，同时输入到逻辑控制电路217。
把该信号称为焦点电压，用该焦点电压聚焦。
另外，218是检测聚焦镜头210A的移动位置的聚焦编码器，219是检测变焦透镜201B的焦点距离的变焦编码器，220是检测光圈202的开口量的光圈编码器。这些编码器的检测值提供给进行系统控制的逻辑控制电路217。逻辑控制电路217基于相当于被设定的焦点检测区域内的视频信号，进行相对被照物的聚焦检测并进行焦点调节。即，0取入由各个带通滤波器213、214提供的高频成分的峰值信息。而后，对应该向高频成分的峰值最大的位置驱动聚焦透镜201A的聚焦驱动电路209提供聚焦电机210的旋转方向、旋转速度、旋转/停止等的控制信号，并控制它。
本发明可以用于数字照相机(静态照相机)、数字摄像机等的固体摄像装置，特别适用于可以拍摄高速动作的被照物的固体摄像装置。
权利要求
1.一种固体摄像装置，具备由排列多个至少具备把入射光变换为信号电荷并蓄积的光电变换单元，和为了把上述信号电荷变换为电压信号并放大输出的晶体管的像素组成的光电变换像素单元；把与上述光电变换像素单元的至少一部分像素对应的模拟存储单元排列成二维状组成的存储器单元，其特征在于包括被排列在上述光电变换单元的每列上，通过箝位来自上述像素的信号电压来除去上述像素的噪声用的耦合电容；被排列在上述光电变换单元的每列上，用超过1的增益放大来自上述像素的信号电压，输出用于写入到与上述像素对应的上述模拟存储单元中的放大信号的放大器。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于在把上述耦合电容设置为第1耦合电容时，上述放大器是反馈型的构成，具有用于将上述放大器的输出端子和输入端子进行电容耦合的第2耦合电容，用上述第1耦合电容和上述第2耦合电容的比来确定上述放大器的增益。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于上述模拟存储单元是至少具备信号蓄积电容、用于写入信号的晶体管、以及用于放大该信号的晶体管的放大型存储单元。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于包括被排列在上述存储器单元的上述模拟存储单元的每列上，用于输出上述放大器以及上述模拟存储单元的偏置和来自上述模拟存储单元的信号的电路装置。
5.根据权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于上述电路装置具有蓄积上述偏置的第1蓄积电容；把上述偏置转送到上述第1蓄积电容的第1转送晶体管；蓄积来自上述模拟存储单元的信号的第2蓄积电容；把来自上述模拟存储单元的信号转送到上述第2蓄积电容的第2转送晶体管。
6.根据权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于包括减算来自上述电路装置的上述偏置和上述信号的装置。
7.一种照相机，其特征在于包括权利要求1所述的固体摄像装置；对该固体摄像装置成像光的光学系统；处理来自该固体摄像装置的输出信号的信号处理电路。
全文摘要
本发明提供固体摄像装置以及使用了该固体摄像装置的照相机。提供像素动作时间偏差小，并且可以得到高SN比的传感器输出的固体摄像装置。在具备排列多个至少具备光电变换单元，以及用于放大来自上述光电变换单元的信号的晶体管的像素组成的光电变换像素单元；排列与光电变换像素单元的至少一部分像素对应的模拟存储单元组成的存储器单元的固体摄像装置中，具有分别与各个像素的一列共用连接的多个输出线连接，通过箝位来自像素的信号用于除去像素噪声的多个耦合电容；与多个耦合电容分别连接，用超过来自耦合电容的信号电压的增益进行放大，输出用于写入模拟存储器单元的放大信号的多个放大器。
文档编号H04N5/357GK1697494SQ20051007028
公开日2005年11月16日 申请日期2005年5月13日 优先权日2004年5月13日
发明者篠原真人 申请人:佳能株式会社