专利名称：双电源场的保护方法及其电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及电视机的双电源场，尤其是涉及双电源场的保护方法及其电路。
背景技术：
目前使用的电视机的双电源场IC，在其中一路供电短路或者场输出串入过高直流分量的状态下，会使电子束偏转角度过大，没有直接轰击在荧光屏上而轰击在显像管管颈上，只需几分钟就会烧断管颈。即使及时发现后关机，由于故障未解除，在修理或查看时反复开关机，也容易造成贵重元器件损坏。
发明内容
本发明所要解决的技术问题之一是提供一种双电源场的保护方法，该方法在电视机的场输出的直流分量过大时，可以使电视机进入待机状态，从而避免电子束偏转角度过大，直接轰击在显像管管颈上，烧断管颈。
本发明所述的方法的特征在于在电视机正常工作时，场输出的直流分量大于规定值时，将CPU的POWER脚置为低电平。
所述的方法在场输出的直流分量大于规定值时，电视机将锁定于不能开机的保护状态。
本发明所要解决的技术问题之二是提供一种双电源场的保护电路，该电路在电视机的场输出的直流分量过大时，可以使电视机进入待机状态，从而避免电子束偏转角度过大，直接轰击在显像管管颈上，烧断管颈。
本发明所述的双电源场的保护电路包括可以使电视机进入待机状态的瞬间短路保护电路，瞬间短路保护电路连接在电视机的场的偏转性插座与CPU的POWER脚之间。
所述的瞬间短路保护电路包括起开关作用的NPN三极管Q1、分压电阻R2、分压电阻R3、隔离二极管D1，分压电阻R2连接于偏转性插座的接头5与三极管Q1的基极之间，分压电阻R3连接于三极管Q1的基极与地之间，三极管的发射极接地，隔离二极管D1的正极连接CPU的POWER脚，隔离二极管D1的负极连接三极管Q1的集电极。这是瞬间短路保护电路的一种模式。
所述的三极管Q1的基极与地之间还连接有滤波电容C2。这样可以增强电路的抗干扰性。
所述的瞬间短路保护电路还包括分压电阻R1、电解电容C1，分压电阻R1连接于偏转性插座的接头5与分压电阻R2之间，电解电容C1的负极接地，正极连接于分压电阻R1分压电阻R2之间。这样电解电容C1起到滤波、稳压作用，可以进一步增强电路的抗干扰性。
所述的双电源场的保护电路还包括可以使电视机处于锁定状态的自锁电路，瞬间短路保护电路连接自锁电路。
所述的自锁电路包括起开关作用的PNP三极管Q2、限流电阻R5、偏置电阻R4，三极管Q2的集电极连接三极管Q1的基极，三极管Q2的基极连接三极管Q1的集电极，偏置电阻R4连接于三极管Q2的发射极与三极管Q2的基极之间，三极管Q2的发射极通过限流电阻R5连接5V直流电源。这是自锁电路的一种模式。
所述的双电源场的保护电路还包括一个降压二极管D2，降压二极管D2的正极端连接CPU的POWER脚，负极连接电源次极。降压二极管D2用于降低POWER脚的电平，可以使瞬间短路保护电路更好地起作用。
本发明由于场的偏转性插座与CPU的POWER脚之间设有可以使电视机进入待机状态的瞬间短路保护电路。所以在电视机的场输出的直流分量过大时，可以使电视机进入待机状态，从而避免电子束偏转角度过大，直接轰击在显像管管颈上，烧断管颈。
图1是本发明具体实施方式
中的瞬间短路保护电路的结构图。
下面参照附图对本发明作进一步的说明。
具体实施例方式
具体实施方式
中的双电源场的保护电路包括瞬间短路保护电路和自锁电路，瞬间短路保护电路包括起开关作用的NPN三极管Q1、分压电阻R2、分压电阻R3、隔离二极管D1、滤波电容C2、分压电阻R1、电解电容C1，偏转性插座CN301的接头5顺序串联分压电阻R1、分压电阻R2、三极管Q1的基极，分压电阻R3连接于三极管Q1的基极与地之间，三极管Q1的基极与地之间连接有滤波电容C2，三极管的发射极接地，隔离二极管D1的正极连接CPU(IC001)的POWER脚，隔离二极管D1的负极连接三极管Q1的集电极，电解电容C1的负极接地，正极连接于分压电阻R1分压电阻R2之间。
自锁电路包括起开关作用的PNP三极管Q2、限流电阻R5、偏置电阻R4，三极管Q2的集电极连接三极管Q1的基极，三极管Q2的基极连接三极管Q1的集电极，偏置电阻R4连接于三极管Q2的发射极与三极管Q2的基极之间，三极管Q2的发射极通过限流电阻R5连接5V直流电源。
所述的双电源场的保护电路还包括一个降压二极管D2，降压二极管D2的正极端连接CPU的POWER脚，负极连接电源次极。
下面结合附图，说明双电源场的保护电路的工作过程，此处列举的场正供电为(+15V)，实际工作时，这个电压可以在一定范围内变化。
在电视机正常工作时，同场输出短路后直流分量大于规定值时，通过R1，R2将三极管Q1的基极处于高电平，Q1随即导通到地，通过D1将P29(POWER)置为低电平，从而使电视机进入待机状态。
在电视机进入待机状态后，+15V供电消失，由于故障仍然存在，会使电视机反复开机，从而损坏元器件。为此，特增加了如下Q2，R4，R5构成的电路。当Q1导通进入保护状态时，Q1集电极(即Q2基极)处于低电平，此时Q2导通，仍旧将Q1的基极锁定在高电平，从而使Q1仍旧处于导通状态，保证了P29(POWER)为低电平，从而使电视机锁定于待机状态。
权利要求
1.双电源场的保护方法，其特征在于在场输出的直流分量大于规定值时，将CPU的POWER脚置为低电平。
2.根据权利要求1所述的双电源场的保护方法，其特征在于在场输出的直流分量大于规定值时，电视机将锁定于不能开机的保护状态。
3.双电源场的保护电路，其特征在于包括可以使电视机进入待机状态的瞬间短路保护电路，瞬间短路保护电路连接在电视机的场的偏转性插座与CPU的POWER脚之间。
4.根据权利要求3所述的双电源场的保护电路，其特征在于所述的瞬间短路保护电路包括起开关作用的NPN三极管(Q1)、分压电阻(R2)、分压电阻(R3)、隔离二极管(D1)，分压电阻(R2)连接于偏转性插座的接头(5)与三极管(Q1)的基极之间，分压电阻(R3)连接于三极管(Q1)的基极与地之间，三极管的发射极接地，隔离二极管(D1)的正极连接CPU的POWER脚，隔离二极管(D1)的负极连接三极管(Q1)的集电极。
5.根据权利要求4所述的双电源场的保护电路，其特征在于所述的三极管(Q1)的基极与地之间还连接有滤波电容(C2)。
6.根据权利要求4或5所述的双电源场的保护电路，其特征在于所述的瞬间短路保护电路还包括分压电阻(R1)、电解电容(C1)，分压电阻(R1)连接于偏转性插座的接头(5)与分压电阻(R2)之间，电解电容(C1)的负极接地，正极连接于分压电阻(R1)分压电阻(R2)之间。
7.根据权利要求4所述的双电源场的保护电路，其特征在于所述的双电源场的保护电路还包括可以使电视机处于锁定状态的自锁电路，瞬间短路保护电路连接自锁电路。
8.根据权利要求7所述的双电源场的保护电路，其特征在于所述的自锁电路包括起开关作用的PNP三极管(Q2)、限流电阻(R5)、偏置电阻(R4)，三极管(Q2)的集电极连接三极管(Q1)的基极，三极管(Q2)的基极连接三极管(Q1)的集电极，偏置电阻(R4)连接于三极管(Q2)的发射极与三极管(Q2)的基极之间，三极管(Q2)的发射极通过限流电阻(R5)连接5V直流电源。
9.根据权利要求8所述的双电源场的保护电路，其特征在于所述的双电源场的保护电路还包括一个降压二极管(D2)，降压二极管(D2)的正极端连接CPU的POWER脚，负极连接电源次极。
全文摘要
本发明公开了双电源场的保护方法及其电路，电路包括可以使电视机进入待机状态的瞬间短路保护电路，瞬间短路保护电路连接在电视机的场的偏转性插座与CPU的POWER脚之间。在场输出的直流分量大于规定值时，将CPU的POWER脚置为低电平。本发明由于场的偏转性插座与CPU的POWER脚之间设有可以使电视机进入待机状态的瞬间短路保护电路。所以在电视机的场输出的直流分量过大时，可以使电视机进入待机状态，从而避免电子束偏转角度过大，直接轰击在显像管管颈上，烧断管颈。
文档编号H04N5/63GK1996692SQ20061006240
公开日2007年7月11日 申请日期2006年8月31日 优先权日2006年8月31日
发明者秦立波 申请人:深圳创维－Rgb电子有限公司